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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,2018年全球?qū)?huì)有超過20家的汽車業(yè)者,在OBC中使用SiC肖特基二極體(Schottky Diodes)或SiC MOSFET;未...
光儲(chǔ)系統(tǒng)高壓化升級(jí),2000V SiC MOSFET開始走進(jìn)市場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)功率SiC器件目前最大的應(yīng)用市場(chǎng)是電動(dòng)汽車。在汽車應(yīng)用中,電動(dòng)汽車的母線電壓普遍在400V左右,因此在主驅(qū)等部件中只需要用...
收購日本先鋒微技術(shù)后,英唐智控發(fā)力第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品
近日,英唐智控完成對(duì)日本先鋒微技術(shù)的股權(quán)交割,正式標(biāo)志著其主營業(yè)務(wù)由電子元器件分銷,向半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的轉(zhuǎn)型升級(jí)。
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法(PVT法)制備碳化硅單晶,再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法(CVD法...
第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場(chǎng)全解析
寬禁帶半導(dǎo)體(WBS)是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料,禁帶寬度大于...
2016-12-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC寬禁帶半導(dǎo)體 4759 0
英飛凌推出650V SiC MOSFET,低壓SiC市場(chǎng)競爭激烈
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
融合SiC和Si的優(yōu)點(diǎn):混合功率模塊和混合分立器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在大功率、大電流的應(yīng)用,比如電動(dòng)汽車目前動(dòng)輒300kW以上的電機(jī)功率中,由于對(duì)損耗和散熱方面的要求較高,所以一般會(huì)在逆變器...
在OBC-PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中SiC MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì)
根據(jù)Yole的預(yù)測(cè),到2024年,碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將增長至20億美元,2018-2024年期間的復(fù)合年增長率將高達(dá)29%。其中,汽車市場(chǎng)無疑是最...
2021-10-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 4664 0
安森美半導(dǎo)體推出IGBT門極驅(qū)動(dòng)器 提供同類最佳的電流性能和保護(hù)特性
展示針對(duì)強(qiáng)固電源應(yīng)用的混合IGBT和廣泛的IGBT驅(qū)動(dòng)器, 提供同類最佳的電流性能和保護(hù)特性 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconduct...
2019-05-14 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體安森美 4634 0
看點(diǎn):第三代半導(dǎo)體碳化硅,爆發(fā)式增長的明日之星。 功率半導(dǎo)體的技術(shù)和材料創(chuàng)新都致力于提高能量轉(zhuǎn)化效率(理想轉(zhuǎn)化率100%),基于 SIC 材料的功率器件...
Cree將宣布投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能
先進(jìn)的制造園區(qū),將加速從Si硅向SiC碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,滿足EV電動(dòng)汽車和5G市場(chǎng)需求。
在外延片方面,我國已經(jīng)取得了可喜的成果。六英寸的碳化硅外延產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)本土供應(yīng),建成或在建一批專用的碳化硅晶圓廠等。比如瑞能的碳化硅二極管產(chǎn)品以及產(chǎn)業(yè)鏈...
科銳宣布與意法半導(dǎo)體簽署供貨協(xié)議 將加速SiC在汽車和工業(yè)兩大市場(chǎng)的商用
近日Cree科銳宣布,其與意法半導(dǎo)體簽署了一份多年供貨協(xié)議,為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)其Wolfspeed碳化硅(SiC)晶圓。
2019-01-11 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SiC科銳 4605 0
季豐電子新增應(yīng)用在MOS等高壓IV Curve和高壓熱點(diǎn)定位
季豐電子新增加高壓IV Curve和高壓熱點(diǎn)定位,主要應(yīng)用在MOS,SiC,IGBT等高壓產(chǎn)品的失效分析,IV Curve掃描電壓范圍在±3000V,通...
功率半導(dǎo)體器件是日本的優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。如今在這個(gè)領(lǐng)域,中國的實(shí)力正在快速壯大。日本要想在這個(gè)領(lǐng)域繼續(xù)保持強(qiáng)大的競爭力,重要的是大力研發(fā)SiC、GaN、組裝...
ROHM研制1200V 第4代SiC MOSFET,單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約40%
在這種背景下,ROHM于2010年在全球率先開始了SiC MOSFET的量產(chǎn)。ROHM很早就開始加強(qiáng)符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品陣容...
SiC上車加速,迎逆變器“高光時(shí)刻”!四大國際巨頭新品揭秘
近日,國際調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole Group發(fā)布報(bào)告顯示,SiC最大的應(yīng)用市場(chǎng)是電動(dòng)汽車市場(chǎng)。Yole分析師表示,SiC 已逐漸在電動(dòng)車主驅(qū)逆變器中扮演主要角...
首次量產(chǎn)至今8年時(shí)間,溝槽柵SiC MOSFET的發(fā)展現(xiàn)狀如何?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)SiC MOSFET的發(fā)展歷史其實(shí)相當(dāng)長遠(yuǎn),全球SiC產(chǎn)業(yè)龍頭Wolfspeed的前身Cree公司,其創(chuàng)始人之一John ...
2023-03-18 標(biāo)簽:SiC 4553 0
4m量級(jí)高精度SiC非球面反射鏡集成制造系統(tǒng)”項(xiàng)目通過驗(yàn)收
在碳化硅材料制備技術(shù)方面:由于大口徑碳化硅鏡坯的制備過程伴隨著復(fù)雜的物理相變和化學(xué)反應(yīng),因此,在此前相當(dāng)長一段時(shí)間內(nèi),國際上公認(rèn)1.5米是單體碳化硅反射...
2018-08-23 標(biāo)簽:制造技術(shù)SiC光學(xué)系統(tǒng) 4545 0
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