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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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美國北卡羅萊納州達勒姆訊––Cree,Inc.(Nasdaq:CREE)宣布,科銳正在推進從硅(Si)向碳化硅(SiC)的產業轉型。為了滿足日益增長的對...
碳化硅,作為發展的最成熟的第三代半導體材料,其寬禁帶,高臨界擊穿電場等優勢,是制造高壓高溫功率半導體器件的優質半導體材料。
近年來,功率器件逐漸成為眾人矚目的“焦點”。比亞迪功率器件產品總監楊欽耀告訴《中國電子報》記者,功率器件是電力電子的“CPU”,是特高壓電網、高速列車、...
根據此前的公告披露,三安光電擬在長沙高新技術產業開發區管理委員會園區成立子公司投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目,包括長晶...
PI的SIC1182K和汽車級SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅動器,可提供最大峰值輸出門極電流且無...
SiC功率器件在新能源汽車應用中的關注度越來越高,電機驅動、車載充電機(OBC)、DC-DC等應用都需要高品質的SiC功率器件,也因此眾多SiC功率器件...
PI于近期推出了專門適合此應用的一款反激式開關芯片InnoSwitch3-AQ,該芯片支持400V或者800V的母線供電。
由于材料限制,傳統硅基功率器件在許多方面已逼近甚至達到了其材料的本征極限,如電壓阻斷能力、正向導通壓降、器件開關速度等,尤其在高頻和高功率領域更顯示出其局限性。
NTHL020N120SC1的設計旨在在1200V的阻斷電壓(VDSS)下提供極低的導通損耗。此外,它被設計為以低內部門極電阻(Rg =1.81Ω)和低...
ROHM開發出業界先進的第4代低導通電阻SiC MOSFET
對于功率半導體來說,當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短,兩者之間存在著矛盾權衡關系,因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時,如何兼顧短路耐受時...
ROHM研制1200V 第4代SiC MOSFET,單位面積的導通電阻降低了約40%
在這種背景下,ROHM于2010年在全球率先開始了SiC MOSFET的量產。ROHM很早就開始加強符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的產品陣容...
緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案 進一步提高電力電子器件效率
通過使用SiC功率元器件,大陸集團旗下的Vitesco將能夠進一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。
國內首家!陽光推出車用全SiC電機控制器;美光上調第三季營收預期…
德州儀器公司已經取消了一些最受歡迎的計算器運行匯編或C語言編寫的程序的能力,根據TI-Planet上發布的客戶支持電子郵件(通過Linus Tech T...
英飛凌推出650V SiC MOSFET,低壓SiC市場競爭激烈
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
任何電子產品都離不開電源,隨著各個國家和地區能源標準的提升和用戶環保意識的增強,對電源效率的要求越來越高。產業鏈內的公司和工程師們為了提升電源效率,減少...
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