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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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據(jù)外媒報(bào)道,比利時(shí)Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊(IPM),可用于電動(dòng)出行。
數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施需要以盡可能低的成本提供高效、可靠的電力,這可能會(huì)驅(qū)動(dòng)不間斷電源(UPS)市場(chǎng)在未來(lái)幾年蓬勃發(fā)展。隨著全球經(jīng)濟(jì)向數(shù)字化不斷邁進(jìn),基于云平...
2020-04-17 標(biāo)簽:UPS數(shù)據(jù)中心SiC 2786 0
第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅(Si)元素和鍺(Ge)元素,其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、...
2024年SiC的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)19.3億美元,英飛凌擴(kuò)展SiC MOSFET產(chǎn)品線
根據(jù)2019年Yole發(fā)布的SiC市場(chǎng)報(bào)告,2018年SiC的市場(chǎng)規(guī)模約為4.2億美元,該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)SiC市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率為29%,也就是說(shuō)到2024年...
本文展望了SiC下一步需要做什么,將在哪里應(yīng)用以及如何成為功率半導(dǎo)體的主導(dǎo)力量。
SiC SBD和 MOS是目前最為常見(jiàn)的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭(zhēng)搶份額。我們都知道,IGBT 結(jié)合了 MOS...
GT Advanced Technologies和安森美半導(dǎo)體合作關(guān)于碳化硅
關(guān)鍵詞:CrystX , 碳化硅 , SiC 該五年協(xié)議提高高需求寬禁帶材料的全球供應(yīng) GT Advanced Technologies(GTAT)和安...
2020-03-20 標(biāo)簽:安森美半導(dǎo)體SiCGT 3966 0
天科合達(dá)的高質(zhì)量SiC晶體生長(zhǎng)方法
天科合達(dá)的該項(xiàng)專利提出的改進(jìn)物理物理氣相傳輸法工藝所生成的碳化硅芯片質(zhì)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)方式生成的芯片。
ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車車載充電器
ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC產(chǎn)品采用,與以往的OBC相比,新OBC所在單元的效率提高了1%(效率高達(dá)95.7%,功率損耗比以往降...
2020-03-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCRohm 1730 1
山西開(kāi)展第三代半導(dǎo)體核心技術(shù)攻關(guān),解決制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的難題
集微網(wǎng)消息,日前,山西省發(fā)布重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)集群關(guān)鍵核心、共性技術(shù)研發(fā)攻關(guān)專項(xiàng)指南,以調(diào)動(dòng)創(chuàng)新資源,聚焦重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新,解決制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“卡脖子”難題。
Cissoid推出1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模塊 適用于汽車等應(yīng)用
Cissoid首席執(zhí)行官Dave Hutton表示:“開(kāi)發(fā)和優(yōu)化快速開(kāi)關(guān)SiC電源模塊并可靠地驅(qū)動(dòng)它們?nèi)匀皇且粋€(gè)挑戰(zhàn),這款SiC智能電源模塊是針對(duì)極端溫...
在電子領(lǐng)域,MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為功率開(kāi)關(guān)廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、放大器等電子設(shè)備中,同時(shí)也是硬件設(shè)備發(fā)熱和功率損耗的一大來(lái)源。
碳化硅功率器件下一站關(guān)鍵點(diǎn)將在電動(dòng)汽車領(lǐng)域
到2023年,SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。
從電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航痛點(diǎn)到安全挑戰(zhàn) SiC功率元器件的作用逐漸在顯現(xiàn)
動(dòng)力電池是新能源汽車的核心能量源。為保障電池高效、可靠、安全運(yùn)行,需要通過(guò)電池管理系統(tǒng)(BMS)對(duì)動(dòng)力電池進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控、故障診斷、SOC 估算、短路保護(hù)...
2020-02-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC功率元器件 1136 0
UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET
新發(fā)布的產(chǎn)品應(yīng)用范圍包括無(wú)線和電信系統(tǒng)中50~500KHz頻率范圍的LLC和相移全橋(PSFB)功率轉(zhuǎn)換,以及功率因數(shù)校正(PFC)中的標(biāo)準(zhǔn)硬開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。
UnitedSiC推具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET器件
UnitedSiC的UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S具有超低的柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性,因而非常適合于在任何采用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)...
利用SiC寬禁帶功率器件設(shè)計(jì)寬帶高功率放大器的流程概述
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展, 功率放大器已成為無(wú)線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化...
GaN和SiC能促電動(dòng)汽車電池降本? 一大波半導(dǎo)體器件商表關(guān)注
迄今為止,電動(dòng)汽車電池的價(jià)格昂貴,體積大且效率低。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是汽車電子領(lǐng)域的兩項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù),它們也許可以改變這一切。 較新的化...
2020-01-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCGaN 5259 0
正式落戶西安!中德第三代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目舉行簽約
西安西咸新區(qū)涇河新城舉行外資招商項(xiàng)目集中簽約儀式。中德第三代半導(dǎo)體材料聯(lián)合研究院等四個(gè)項(xiàng)目簽約落戶西安涇河新城。
UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ
UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動(dòng)汽車(EV)逆變器、高功率D...
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