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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic資訊

Cissoid公司最新推出了三相SiC智能功率模塊

據(jù)外媒報(bào)道,比利時(shí)Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊(IPM),可用于電動(dòng)出行。

2020-04-22 標(biāo)簽:CISSOIDSiC 3995 0

SiC技術(shù)走入數(shù)據(jù)中心UPS

SiC技術(shù)走入數(shù)據(jù)中心UPS

數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施需要以盡可能低的成本提供高效、可靠的電力,這可能會(huì)驅(qū)動(dòng)不間斷電源(UPS)市場(chǎng)在未來(lái)幾年蓬勃發(fā)展。隨著全球經(jīng)濟(jì)向數(shù)字化不斷邁進(jìn),基于云平...

2020-04-17 標(biāo)簽:UPS數(shù)據(jù)中心SiC 2786 0

第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN研究

第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN研究

第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅(Si)元素和鍺(Ge)元素,其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、...

2020-04-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 1.0萬(wàn) 0

2024年SiC的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)19.3億美元,英飛凌擴(kuò)展SiC MOSFET產(chǎn)品線

根據(jù)2019年Yole發(fā)布的SiC市場(chǎng)報(bào)告,2018年SiC的市場(chǎng)規(guī)模約為4.2億美元,該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)SiC市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率為29%,也就是說(shuō)到2024年...

2020-04-03 標(biāo)簽:英飛凌MOSFETSiC 1.6萬(wàn) 0

SiC半導(dǎo)體發(fā)展的下一步是什么

本文展望了SiC下一步需要做什么,將在哪里應(yīng)用以及如何成為功率半導(dǎo)體的主導(dǎo)力量。

2020-04-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC 3663 0

SiC IGBT在電力電子變壓器的發(fā)展

SiC SBD和 MOS是目前最為常見(jiàn)的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭(zhēng)搶份額。我們都知道,IGBT 結(jié)合了 MOS...

2020-03-20 標(biāo)簽:IGBTSiC 4496 0

GT Advanced Technologies和安森美半導(dǎo)體合作關(guān)于碳化硅

關(guān)鍵詞:CrystX , 碳化硅 , SiC 該五年協(xié)議提高高需求寬禁帶材料的全球供應(yīng) GT Advanced Technologies(GTAT)和安...

2020-03-20 標(biāo)簽:安森美半導(dǎo)體SiCGT 3966 0

天科合達(dá)的高質(zhì)量SiC晶體生長(zhǎng)方法

天科合達(dá)的高質(zhì)量SiC晶體生長(zhǎng)方法

天科合達(dá)的該項(xiàng)專利提出的改進(jìn)物理物理氣相傳輸法工藝所生成的碳化硅芯片質(zhì)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)方式生成的芯片。

2020-03-18 標(biāo)簽:SiC碳化硅 8329 0

ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車車載充電器

ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC產(chǎn)品采用,與以往的OBC相比,新OBC所在單元的效率提高了1%(效率高達(dá)95.7%,功率損耗比以往降...

2020-03-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCRohm 1730 1

山西開(kāi)展第三代半導(dǎo)體核心技術(shù)攻關(guān),解決制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的難題

集微網(wǎng)消息,日前,山西省發(fā)布重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)集群關(guān)鍵核心、共性技術(shù)研發(fā)攻關(guān)專項(xiàng)指南,以調(diào)動(dòng)創(chuàng)新資源,聚焦重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新,解決制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“卡脖子”難題。

2020-03-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC 3182 0

Cissoid推出1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模塊 適用于汽車等應(yīng)用

Cissoid首席執(zhí)行官Dave Hutton表示:“開(kāi)發(fā)和優(yōu)化快速開(kāi)關(guān)SiC電源模塊并可靠地驅(qū)動(dòng)它們?nèi)匀皇且粋€(gè)挑戰(zhàn),這款SiC智能電源模塊是針對(duì)極端溫...

2020-03-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC 2802 0

比亞迪基于SiC形成的MOSFET制備方法專利

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在電子領(lǐng)域,MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為功率開(kāi)關(guān)廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、放大器等電子設(shè)備中,同時(shí)也是硬件設(shè)備發(fā)熱和功率損耗的一大來(lái)源。

2020-03-02 標(biāo)簽:mosfet比亞迪sic 3353 0

碳化硅功率器件下一站關(guān)鍵點(diǎn)將在電動(dòng)汽車領(lǐng)域

到2023年,SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。

2020-03-01 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 847 0

從電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航痛點(diǎn)到安全挑戰(zhàn) SiC功率元器件的作用逐漸在顯現(xiàn)

動(dòng)力電池是新能源汽車的核心能量源。為保障電池高效、可靠、安全運(yùn)行,需要通過(guò)電池管理系統(tǒng)(BMS)對(duì)動(dòng)力電池進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控、故障診斷、SOC 估算、短路保護(hù)...

2020-02-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC功率元器件 1136 0

UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET

新發(fā)布的產(chǎn)品應(yīng)用范圍包括無(wú)線和電信系統(tǒng)中50~500KHz頻率范圍的LLC和相移全橋(PSFB)功率轉(zhuǎn)換,以及功率因數(shù)校正(PFC)中的標(biāo)準(zhǔn)硬開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。

2020-02-05 標(biāo)簽:FETSiCUnitedSiC 1216 0

UnitedSiC推具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET器件

UnitedSiC的UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S具有超低的柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性,因而非常適合于在任何采用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)...

2020-02-05 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 3054 0

利用SiC寬禁帶功率器件設(shè)計(jì)寬帶高功率放大器的流程概述

利用SiC寬禁帶功率器件設(shè)計(jì)寬帶高功率放大器的流程概述

隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展, 功率放大器已成為無(wú)線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化...

2020-01-19 標(biāo)簽:放大器SiC 1642 0

GaN和SiC能促電動(dòng)汽車電池降本? 一大波半導(dǎo)體器件商表關(guān)注

迄今為止,電動(dòng)汽車電池的價(jià)格昂貴,體積大且效率低。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是汽車電子領(lǐng)域的兩項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù),它們也許可以改變這一切。 較新的化...

2020-01-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCGaN 5259 0

正式落戶西安!中德第三代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目舉行簽約

西安西咸新區(qū)涇河新城舉行外資招商項(xiàng)目集中簽約儀式。中德第三代半導(dǎo)體材料聯(lián)合研究院等四個(gè)項(xiàng)目簽約落戶西安涇河新城。

2019-12-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體sic 1.3萬(wàn) 0

UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ

UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動(dòng)汽車(EV)逆變器、高功率D...

2019-12-10 標(biāo)簽:FETSiC碳化硅 2070 0

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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話,主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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    ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商,致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究,通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求,持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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    共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備,用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金,即可租借一個(gè)充電寶,充電寶成功歸還后,押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月,研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn),用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增,消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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