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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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擴(kuò)充產(chǎn)能 羅姆推進(jìn)SiC產(chǎn)品布局
在不久前的一場羅姆SiC產(chǎn)品分享會上,筆者詳細(xì)了解了SiC產(chǎn)品在功率器件中的比較優(yōu)勢,以及該公司在SiC產(chǎn)品線、車規(guī)產(chǎn)品以及生產(chǎn)制造方面的情況。
英飛凌亮相PCIM Asia 2019,以最新產(chǎn)品技術(shù)助力多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)節(jié)能增效
英飛凌以“我們賦能世界”為主題,在展會上展示了具備更高功率密度、最新芯片技術(shù)和功能更集成的一系列新產(chǎn)品和技術(shù)。
2019-07-03 標(biāo)簽:英飛凌電機(jī)驅(qū)動IGBT 1055 0
SiC功率半導(dǎo)體市場起飛 電動車為主要驅(qū)動力
電動汽車推動了SiC功率半導(dǎo)體市場,但成本仍然是個(gè)問題。
2019-07-03 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體 4287 0
第三代半導(dǎo)體材料碳化硅的發(fā)展在功率器件市場成為絕對的焦點(diǎn)。全球功率器件龍頭廠商英飛凌持續(xù)投入碳化硅器件的研發(fā)生產(chǎn),并打入多個(gè)應(yīng)用市場。日前,在英飛凌科技...
Power Integration推出高度靈活的門極驅(qū)動器系統(tǒng),適合最新的1.7 kV至4.5 kV IGBT及SiC雙功率模塊
可立即使用的SCALE-iFlex系統(tǒng)輕松支持四個(gè)模塊并聯(lián);出廠涂覆三防漆可極大增強(qiáng)可靠性。
功率半導(dǎo)體需求旺 預(yù)計(jì)2030年SiC增長10倍,GaN翻至60倍
據(jù)日本富士經(jīng)濟(jì)(Fuji Keizai)6月發(fā)布功率半導(dǎo)體全球市場的報(bào)告預(yù)估,汽車,電氣設(shè)備,信息和通信設(shè)備等領(lǐng)域?qū)ο乱淮β拾雽?dǎo)體(SiC和GaN)需...
2019-06-25 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 8104 0
國內(nèi)SiC距離大規(guī)模量產(chǎn)還差“東風(fēng)”吹來
SiC優(yōu)越的半導(dǎo)體特性,未來將可為眾多的元件所采用。
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大,充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁,可以提供高功率密度、超小的體積,因...
CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關(guān)系 共同推動碳化硅功率器件應(yīng)用
高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID日前宣布:公司已與中國科學(xué)院電工研究所(簡稱中科院電工所)達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系,將共同開展基于碳化硅(SiC)功率模塊...
由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn),數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高,運(yùn)算力不斷增強(qiáng),使運(yùn)算的取得愈來愈便宜,也愈來愈輕便,運(yùn)算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦,而...
SiC功率元件憑借電動車發(fā)展擴(kuò)大應(yīng)用 成本問題為主要考量
受惠于電動車市場需求提升,為因應(yīng)高電壓、高頻率及低耗損的技術(shù)需求,SiC(碳化硅)功率元件被視為接替高電壓IGBT的產(chǎn)品,可分為:SiC-SBD(SiC...
Cree成為大眾汽車集團(tuán)FAST項(xiàng)目SiC碳化硅獨(dú)家合作伙伴
這項(xiàng)協(xié)議將兩場同時(shí)進(jìn)行的產(chǎn)業(yè)變革聯(lián)結(jié)在了一起:汽車產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)向EV電動汽車的轉(zhuǎn)型,而在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),SiC碳化硅的采用正在不斷增長。這項(xiàng)協(xié)議同時(shí)...
Cree成為大眾汽車集團(tuán)FAST項(xiàng)目SiC碳化硅獨(dú)家合作伙伴
14日消息,科銳(Cree)宣傳成為大眾汽車集團(tuán)(Volkswagen Group)FAST(Future Automotive Supply Trac...
SiC熱潮來襲!科銳投資10億美元擴(kuò)產(chǎn)SiC
Cree將投資10億美元,擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能。
Cree將宣布投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能
先進(jìn)的制造園區(qū),將加速從Si硅向SiC碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,滿足EV電動汽車和5G市場需求。
搶先看第三代半導(dǎo)體GaN與SiC技術(shù)沙龍
隨著全球5G網(wǎng)絡(luò)規(guī)模化部署和商業(yè)化進(jìn)程加速,電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)小型輕量化需求的提升,GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長,吸引了諸多國際廠商紛紛...
2019-05-09 標(biāo)簽:SiC 3559 0
Cree宣布投資10億美元 用于擴(kuò)大SiC(碳化硅)產(chǎn)能
Cree, Inc. (Nasdaq: CREE)宣布,作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分,將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC(碳化硅)產(chǎn)能,在公司美國總部北卡羅...
UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個(gè)SiC FET
碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布,已經(jīng)為UJ3C(通用型)和UF3C(硬開關(guān)型)系列650V SiC...
富士康濟(jì)南項(xiàng)目將建設(shè)8寸晶圓廠功率半導(dǎo)體器件
據(jù)介紹,中鐵14局主要負(fù)責(zé)項(xiàng)目的基礎(chǔ)工程、主體工程、裝飾裝修、場區(qū)市政以及安裝工程等,目前項(xiàng)目進(jìn)場道路已經(jīng)打通,正在進(jìn)行灰土和面層混凝土施工;降水工程基...
2019-05-06 標(biāo)簽:功率器件SiC半導(dǎo)體器件 7325 0
SiC功率元件憑借電動車發(fā)展擴(kuò)大應(yīng)用,成本問題為主要考量
受惠于電動車市場需求提升,為因應(yīng)高電壓、高頻率及低耗損的技術(shù)需求,SiC(碳化硅)功率元件被視為接替高電壓IGBT的產(chǎn)品,可分為:SiC-SBD(SiC...
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