第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場(chǎng)及應(yīng)用分析

SiC適合高壓領(lǐng)域，GaN更適用于低壓及高頻領(lǐng)域。

2019-05-04 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)MOSFET功率器件 1.4萬(wàn) 0

安森美半導(dǎo)體推出IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)器 提供同類(lèi)最佳的電流性能和保護(hù)特性

展示針對(duì)強(qiáng)固電源應(yīng)用的混合IGBT和廣泛的IGBT驅(qū)動(dòng)器， 提供同類(lèi)最佳的電流性能和保護(hù)特性 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconduct...

2019-05-14 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體安森美 4635 0

第三代半導(dǎo)體材料突破傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體材料的瓶頸，從而引領(lǐng)了新一輪產(chǎn)業(yè)革命

除此之外，為了縮短測(cè)試所用的時(shí)間，這種儀器還必須能夠監(jiān)視這臺(tái)設(shè)備所消耗的電壓和電流，并以此來(lái)判斷設(shè)備的性能或測(cè)試設(shè)備是否正常工作。而與其他器件相比，測(cè)試...

2019-04-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC5G網(wǎng)絡(luò) 8496 0

羅姆推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC

在高耐壓范圍中，SiC MOSFET與Si-MOSFET相比，具有“開(kāi)關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢(shì)。基于這些優(yōu)勢(shì)，當(dāng)Si...

2019-04-24 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器SiCACDC 2318 0

屬于 SiC器件的時(shí)代也許真的要到來(lái)了

開(kāi)啟電動(dòng)車(chē)神奇盒子的鑰匙——碳化硅（SiC）

2019-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC 3398 0

采用GaN和SiC技術(shù)的新一代半橋逆變器的性能分析

新一代逆變器採(cǎi)用GaN和SiC等先進(jìn)開(kāi)關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開(kāi)關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)。

2019-07-25 標(biāo)簽：逆變器sicgan 2135 0

總投資10億,泰科天潤(rùn)六英寸SiC項(xiàng)目落戶(hù)江西九江

在九江市委、市政府主要領(lǐng)導(dǎo)的高位推動(dòng)下，由泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司投資建設(shè)的6寸半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件生產(chǎn)線項(xiàng)目正式簽約落戶(hù)九江經(jīng)開(kāi)區(qū)。

2019-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC 8169 0

UnitedSiC宣布推出適用大型反激式AC-DC的SiC JFET晶片

美國(guó)新澤西州普林斯頓 --- 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布已經(jīng)推出一系列適用于與具備內(nèi)置低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的...

2019-03-20 標(biāo)簽：SiCAC-DC控制器IC 1923 0

國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求持續(xù)上升 產(chǎn)品價(jià)格預(yù)期仍將上漲

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢(xún)?cè)谧钚隆吨袊?guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出，受益于新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持...

2019-03-19 標(biāo)簽：MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 8161 0

TI推出多款新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具備出色的監(jiān)控能力和高壓保護(hù)

新型TI柵極驅(qū)動(dòng)器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能，同時(shí)還能提升汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率。

2019-03-19 標(biāo)簽：德州儀器IGBTSiC 1316 0

滿(mǎn)足新能源汽車(chē)應(yīng)用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品

產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用，...

2019-03-15 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)MOSFETSiC 5251 0

需求持續(xù)擴(kuò)張，2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾2,900億元

受益于新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)了2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.7...

2019-03-11 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)MOSFETIGBT 2256 0

世紀(jì)金光面向新能源汽車(chē)推出SiC MOSFET系列產(chǎn)品

世紀(jì)金光是國(guó)內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底...

2019-03-10 標(biāo)簽：SiC碳化硅 5943 0

安森美：SiC、GaN助力更小電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)發(fā)展

根據(jù)IHS Markit分析，由于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車(chē)，電源和太陽(yáng)能逆變器主要應(yīng)用市場(chǎng)的需求，預(yù)計(jì)2020年碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的...

2019-02-15 標(biāo)簽：電源安森美SiC 1.0萬(wàn) 0

意法半導(dǎo)體收購(gòu)Norstel 55%股權(quán) SiC成巨頭布局熱點(diǎn)

SiC功率器件大勢(shì)所趨，國(guó)際巨頭競(jìng)相布局，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體擬通過(guò)并購(gòu)整合進(jìn)一步擴(kuò)大SiC產(chǎn)業(yè)規(guī)模。日前，意法半導(dǎo)體宣布，公司已簽署協(xié)議，...

2019-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)SiC 2331 0

意法半導(dǎo)體宣布收購(gòu)Norstel55%股權(quán) 收購(gòu)總額將達(dá)1.375億美元

SiC功率器件大勢(shì)所趨，國(guó)際巨頭競(jìng)相布局，如今意法半導(dǎo)體擬通過(guò)并購(gòu)整合進(jìn)一步擴(kuò)大SiC產(chǎn)業(yè)規(guī)模。

2019-02-11 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體SiC 7053 0

GaN-SiC混合材料更薄和更高功率

瑞典的研究人員在碳化硅（SiC）上生長(zhǎng)出更薄的IIIA族氮化物結(jié)構(gòu)，以期實(shí)現(xiàn)高功率和高頻薄層高電子遷移率晶體管（T-HEMT）和其他器件。

2019-02-02 標(biāo)簽：sicgan 3892 0

科銳與意法半導(dǎo)體簽署供貨協(xié)議

科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導(dǎo)體（NYSE: STM）簽署多年協(xié)議，將為意法半導(dǎo)體STMicroelectronics生產(chǎn)和供應(yīng)Wolf...

2019-01-15 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體SiC 4330 0