4m量級高精度SiC非球面反射鏡集成制造系統(tǒng)”項目通過驗收

在碳化硅材料制備技術(shù)方面：由于大口徑碳化硅鏡坯的制備過程伴隨著復(fù)雜的物理相變和化學(xué)反應(yīng)，因此，在此前相當(dāng)長一段時間內(nèi)，國際上公認(rèn)1.5米是單體碳化硅反射...

2018-08-23 標(biāo)簽：制造技術(shù)SiC光學(xué)系統(tǒng) 4546 0

碳化硅市場契機(jī)迎爆發(fā) 瀚天天成尋求IPO上市

隨著全球人口的增加與城市化進(jìn)程的加快，環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展意識越發(fā)受到眾人重視。作為安全、節(jié)能和高效的功率轉(zhuǎn)換材料，碳化硅（SiC）打開了新一代半導(dǎo)體能源大...

2018-07-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC 1.3萬 0

羅姆首次亮相“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國國際展覽中心舉辦的“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”（展位號：2展館...

2018-07-19 標(biāo)簽：新能源汽車sic羅姆 6757 0

半導(dǎo)體材料的代表_GaN和SiC這幾大變化不得不看

雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料由于面臨專利、成本等問題放緩了擴(kuò)張的步伐，但世易時移，新興市場為其應(yīng)用加速增添了新動能。

2018-07-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiCGaN 5384 0

汽車產(chǎn)業(yè)成SiC市場快速成長的關(guān)鍵推手

SiC功率半導(dǎo)體的普及率，取決于汽車制造商的導(dǎo)入。

2018-07-12 標(biāo)簽：sic功率半導(dǎo)體 2504 0

我國SiC單晶生長設(shè)備和粉料獲新突破

近日，在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所（簡稱中國電科二所）生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺碳化硅（SiC）單晶生長設(shè)備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設(shè)備里“...

2018-06-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶sic 7837 0

美高森美展出新型30 kW三相Vienna PFC參考設(shè)計和SiC解決方案

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號...

2018-05-23 標(biāo)簽：pfcsic美高森美 1.5萬 0

2027年超越100億美元！GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模暴增

功率半導(dǎo)體市場一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動力及電動汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長。

2018-05-23 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.0萬 0

UnitedSiC推出UJ3C1200系列 基于UnitedSiC的第三代SiC晶體管技術(shù)

功率因數(shù)校正（PFC）、主動前端整流器、LLC轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器的設(shè)計人員現(xiàn)在可以通過使用來自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（S...

2018-05-25 標(biāo)簽：mosfet晶體管sic 1549 0

聚焦光伏發(fā)電和充電樁 英飛凌碳化硅功率器件開發(fā)和應(yīng)用引領(lǐng)同儕

“半導(dǎo)體功率器件的未來主流將是碳化硅器件，SiC應(yīng)用不會完全取代IGBT，只是在一些高精尖領(lǐng)域應(yīng)用，有非常大的優(yōu)勢代替IGBT?！?英飛凌科技（中國）有...

2018-05-21 標(biāo)簽：英飛凌功率器件SiC 2.4萬 0

行業(yè)巨頭加緊布局 SiC時代已經(jīng)到來

隨著人口激增加之城市化進(jìn)程加快，氣候及資源緊缺問題日益嚴(yán)峻。與此同時，數(shù)字化轉(zhuǎn)型帶來更大的運算量和數(shù)據(jù)處理。

2018-05-18 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體SiC 4133 0

美高森美公司發(fā)布極低電感封裝，專用于公司SP6LI產(chǎn)品系列

美高森美公司（Microsemi） 發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗（RDSon） 碳化硅 （SiC） MOSFET功率模塊的極低電感封裝。這款全新封裝專...

2018-06-01 標(biāo)簽：封裝SiC碳化硅 884 0

ROHM計劃新增SiC功率器件廠房 預(yù)計于2019年動工

目前世界正掀起前所未有的節(jié)能浪潮，業(yè)界對于可有效提升能源效率的SiC功率器件充滿期待。為了滿足日益增加的市場需求，ROHM決定在Apollo筑后工廠增建...

2018-04-22 標(biāo)簽：功率器件sic 743 0

第三代SiC肖特基勢壘二極管：SCS3系列

前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。要想更好地了解第三代產(chǎn)品的優(yōu)勢與特點，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。

2018-04-09 標(biāo)簽：二極管SiC漏電流 6541 0

泰科天潤成為資本、市場、媒體追逐的一匹“黑馬”

中國碳化硅（SiC）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，致力于中國半導(dǎo)體功率器件制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并向全球功率器件消費者提供優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品和專業(yè)服務(wù)。

2018-04-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC 1.8萬 0

我國首條SiCIPM生產(chǎn)線正式投產(chǎn) 實現(xiàn)了戰(zhàn)略新興行業(yè)又一次重要的突破

近日，國內(nèi)首條碳化硅智能功率模塊（SiC IPM）生產(chǎn)線在廈門芯光潤澤科技有限公司正式投產(chǎn)，標(biāo)志著我國在碳化硅芯片這個戰(zhàn)略新興行業(yè)又實現(xiàn)了一次重要的突破。

2018-09-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCIPM 3447 0

慕展上，世強(qiáng)帶來的SiC、GaN、三電平讓你的效率直達(dá)最high點

2018年，世強(qiáng)元件電商在慕尼黑上海電子展上帶來了汽車、工業(yè)控制及自動化、物聯(lián)網(wǎng)、測試測量等九大分區(qū)的最新元件產(chǎn)品及解決方案。

2018-03-29 標(biāo)簽：sicgan電源管理芯片 1.5萬 0

功率半導(dǎo)體需求成長，羅姆加大SiC產(chǎn)能投資

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2017年因國際景氣好轉(zhuǎn)而表現(xiàn)良好，但廠商同時也看出PC與手機(jī)半導(dǎo)體市場走入極限，因此利用這個機(jī)會希望積極轉(zhuǎn)型，據(jù)日刊工業(yè)新聞報導(dǎo)，羅姆...

2018-08-05 標(biāo)簽：SiC羅姆半導(dǎo)體 4213 0