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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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升級“中國芯”_中車時代電氣第三代功率半導體器件生產線建設見聞
2月7日,株洲中車時代電氣SiC(碳化硅)生產線上,工人忙著生產。透過通透的玻璃擋板,可以看到從頭到腳“全副武裝”的粉色制服技術人員和藍色制服設備人員,...
近日,中車時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成,標志著SiC芯片生產線全線設備、工藝調試圓滿完成,具備SiC產品的生產條件,下個月產線將...
隨著以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導體材料(即第三代半導體材料)設備、制造工藝與器件物理的迅速發展,SiC和GaN基的電力電子器件逐漸成為功率半導體器...
PCIMAsia2017青銅劍科技力推IGBT驅動展現雄厚實力
6月27-29日,2017年國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia)在上海世博展覽館成功舉行。國內IGBT驅動領軍企業青銅劍科技攜旗下全...
由于氮化鎵鎖定中低功率應用,其應用市場規模要大于中高功率,因此Yole預估,氮化鎵組件2015年~2021年的成長率將達83%,其中電源供應器將占相當大...
在SiC功率器件方面,羅姆展示了該公司的第3代產品。SiC MOSFET的第三代產品是采用“雙溝道結構”的溝道型。相同芯片尺寸下,導通電阻較原來的平面型...
由于第三代半導體材料具有非常顯著的性能優勢和巨大的產業帶動作用,歐美日等發達國家和地區都把發展碳化硅半導體技術列入國家戰略,投入巨資支持發展。本文將對第...
過去幾年來,碳化硅(SiC)型功率半導體解決方案的使用情形大幅成長,成為各界仰賴的革命性發展。推動此項市場發展的力量包括下列趨勢:節能、縮減體積、系統整...
臺達電技術長暨總經理張育銘表示,以前電力電子的廠商其實不多,不過近期隨著碳化硅、氮化鎵的半導體元件越來越多,這部分的市場是值得期待的。另外,若以功率設備...
日立運用了以前開發的SiC與GaN并行封裝技術和雙面冷卻型功率模塊技術,開發出了全SiC功率模塊以及采用這種模塊的HEV/EV用逆變器。
功率半導體器件是日本的優勢領域。如今在這個領域,中國的實力正在快速壯大。日本要想在這個領域繼續保持強大的競爭力,重要的是大力研發SiC、GaN、組裝...
英飛凌推出革命性的1200V碳化硅(SiC)MOSFET技術 助力電源轉換設計提升效率和性能
英飛凌全新1200V SiC MOSFET經過優化,兼具可靠性與性能優勢。它們在動態損耗方面樹立了新標桿,相比1200V硅(Si)IGBT低了一個數量級...
市場研究機構IHS最新統計報告指出,隨著愈來愈多供應商推出產品,2015年碳化矽(SiC)功率半導體平均銷售價格已明顯下滑,有望刺激市場加速采 用;與此...
作為業內極具代表性的電子展之一,3月中旬在滬舉辦的慕尼黑上海電子展吸引了海內外眾多半導體廠商的關注。日本的知名廠商羅姆(ROHM)半導體也攜帶了其最新的...
Bulk Si技術近極限,功率半導體大廠加速投入GaN、SiC開發
更高的耐受溫度、電壓,或更高的切換頻率、運作頻率,分別適用在不同的應用,對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓,對于新一代的行動通訊基地臺,...
2015年11月16日,第十七屆高交會電子展在深圳拉開帷幕,作為中國電子行業最具代表性的展會之一,本次展會吸引了眾多半導體廠商關注。來自日本的知名半...
SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 標簽:MOSFETSiCC3M0065090J 2095 0
自去年國家集成電路產業投資基金(以下簡稱大基金)成立,至今已募集資金1300多億元,提前并超額完成了基金的募集任務。正是因為“手握重金”,坊間對于大基金...
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