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來源:內容來自「馭勢資本」,謝謝。 半導體封裝基礎 半導體制造工藝流程 半導體制造的工藝過程由晶圓制造(Wafer Fabr ication)、晶圓測試...
據IEEE報道,來自IMEC的Hans Mertens研究小組,使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統硅表面上成功制作了環柵式晶體管,未來經過技術改進有可...
得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移動揚聲器介紹
本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產品——Nexperia的CFP封裝SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移動系列揚聲器。 1 產品...
眾所週知,恩智浦半導體(NXP Semiconductors)是從荷蘭皇家飛利浦(Philips)獨立而出。而在歷經多年的發展轉變后,今天的恩智浦,已經...
格羅方德推出性能增強型130nm硅鍺射頻技術,以促進下一代無線網絡通信發展
格羅方德半導體(GlobalFoundries)于今日宣布針對硅鍺(SiGe)高性能技術組合,推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術專為需要更優性能解決方...
恩智浦半導體 NXP近日宣布推出SiGe:C低噪聲放大器(LNA),進一步提高了GPS信號的線性度、噪聲系數以及GPS(包括GLONASS和伽利略衛星定...
美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)日前推出世界首款單晶片硅鍺(SiGe)RF前端(FE)器件L...
SiGe推出集成式前端模塊SE2600S SiGe半導體公司 宣布擴大其無線LAN和藍牙(Bluetooth™) 產品系列,推出帶有藍牙端...
格芯(GLOBALFOUNDRIES)公布了針對一系列技術平臺而制訂的愿景和路線圖,這些技術平臺旨在幫助客戶過渡到下一代5G無線網絡。格芯為多種5G應用...
SiGe前端Wi-Fi /藍牙模組(SE2571U前端模組)
SiGe前端Wi-Fi /藍牙模組(SE2571U前端模組)輸出功率20dBm SiGe Semiconductor推出SE2571U前端模組,目標是...
2009-07-01 標簽:SiGe 1066 0
SiGe全新高集成度前端模塊為WLAN產品載入集成PA選擇 SiGe半導體公司 (SiGe Semiconductor) 宣布擴大其無線LAN和藍牙(...
瑞薩電子推出新型SiGe:C異質接面晶體管NESG7030M04
瑞薩電子宣布推出新款 SiGe :C異質接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04,可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網絡系統、...
SiGe半導體推出帶藍牙端口的單芯片集成式前端模塊 SiGe半導體公司 (SiGe Semiconductor) 宣布擴大其無線LAN和藍牙(Blue...
這篇應用筆記描述了硅鍺技術是如何提高RF應用中IC性能的。文中使用Giacoleto模型分析噪聲的影響。SiGe技術顯示出更寬的增益帶寬從而可以給出更小...
2006-05-07 標簽:SiGe 844 0
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX/OTCQX: IFNNY)今日發布一個可取代十余個獨立器件從而簡化系統設計和生產工作的收發器產品線。由于功耗更低,...
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