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SOI全稱為Silicon-On-Insulator,即絕緣襯底上的硅,該技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。SOI是硅晶體管結構在絕緣體之上的意思,原理就是在Silicon(硅)晶體管之間,加入絕緣體物質,可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。
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中國至少已浮出三家晶圓廠將采用SOI工藝先進制程。根據MarketsandMarkets 最新預估,SOI市場在2022年市場價值將達18.6億美元,2...
如何借助高均勻性的 SOI 優化襯底在 MEMS 中實現多種設計創新?
微機電系統 (Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS) 是迄今最具潛力的 CMOS 傳感器與驅動器電子器件集成解決...
目前手機中應用最廣泛的是半導體器件開關,如RF-SOI開關,pHEMT開關等。這些半導體開關的功能與普通的電氣開關相同,符號表示也一致。
常規的絕緣層上硅 (Silicon on Insulator, SOI)是通過注氧隔離 (Separation by Implanted Oxygen,...
使用傳統的硅-玻璃體系能夠以各種方式制備微流控芯片,易于硅加工和表面修飾,并且有利于后續應用,例如細胞接種及相關研究。
1947 年 AT&T 貝爾實驗室的科學家 John Bardeen、Walter Brattain 以及 William Shockley 發明世界上...
由現行SOI(Silicon on Insulator)晶圓與代工制造情形,可大致了解SOI變化趨勢及重點地區,并借此探討目前的發展現況與未來規劃。
在許多人眼中,中科院院士、中科院上海微系統與信息技術研究所所長王曦既是一位具有全球視野的戰略科學家,也是一位開拓創新而又務實的企業家。
上海新昇科技300mm硅片月產能突破25萬 12吋SOI襯底實現自研
電子發燒友網報道(文/章鷹)2021年,全球半導體市場持續景氣,中國集成電路迎來了良好的增長。根據國家統計局數據顯示,1月到6月中國集成電路累計產量是1...
DB HiTek憑借RF SOI/HRS工藝拓展射頻前端業務
DB HiTek已宣布通過基于130/110納米技術的射頻絕緣體上硅(RF SOI)和射頻高電阻率襯底(RF HRS)工藝來拓展射頻前端業務。 射頻前端...
ADI 推出采用先進絕緣硅片 (SOI) 技術的 44 GHz 單刀雙擲 (SPDT) 開關產品 ADRF5024 和 ADRF5025。
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