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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
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RAM代表隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。隨機(jī)訪問(wèn)是能夠以與該存儲(chǔ)器設(shè)備中的任何其他元件一樣快速且容易地訪問(wèn)存儲(chǔ)設(shè)備的元件的能力。設(shè)備的大小或它有多少個(gè)存儲(chǔ)器元件和單元...
DRAM,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,需要不斷的刷新,才能保存數(shù)據(jù)。而且是行列地址復(fù)用的,許多都有頁(yè)模式。 SRAM,靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,加電情況下,不需要刷...
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存...
2019-04-01 標(biāo)簽:sram隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.4萬(wàn) 0
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別解析
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPRO...
SRAM和DRAM的介紹,它們的原理以及特點(diǎn)是怎樣的
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。SRAM具有較高的性能,功耗較小。SRAM主要用于二級(jí)高速緩存。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。但是SRAM也有...
SRAM的S是Static的縮寫(xiě),全稱(chēng)是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫(xiě),全稱(chēng)是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這兩者有什么區(qū)別呢?首先我們...
SRAM 被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、汽車(chē)電子和醫(yī)療設(shè)備等電子產(chǎn)品中”,其快速存取和不需要周期刷新等特點(diǎn)對(duì)提高系統(tǒng)的可靠性、改普系統(tǒng)性能具有至關(guān)...
RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。但是這些數(shù)據(jù)并不是像用袋子盛米那么簡(jiǎn)單,更像是 圖書(shū)館中用有格子的書(shū)架存放書(shū)籍一樣,不但要放...
2017-11-03 標(biāo)簽:sramsram存儲(chǔ) 1.7萬(wàn) 0
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態(tài)RAM,組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技...
關(guān)于ram的結(jié)構(gòu)和讀寫(xiě)過(guò)程的詳細(xì)講解
ram也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)(刷新時(shí)除外)且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。r...
靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器(SRAM)是隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的一種。說(shuō)白了的靜態(tài)數(shù)據(jù),就是指這類(lèi)存儲(chǔ)器要是維持接電源,里邊存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。相對(duì)性...
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random access memory,RAM)又稱(chēng)作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器,也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時(shí)...
SRAM它也由晶體管組成。接通代表1,斷開(kāi)表示0,并且狀態(tài)會(huì)保持到接收了一個(gè)改變信號(hào)為止。這些晶體管不需要刷新,但停機(jī)或斷電時(shí),它們同DRAM一樣,會(huì)丟...
國(guó)產(chǎn)異步低功耗SRAM芯片的詳細(xì)介紹
靜態(tài)存儲(chǔ)SRAM芯片包含業(yè)界多樣的異步低功耗SRAM。而帶有ECC的異步SRAM適用于各種要求最高可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè),醫(yī)療,商業(yè),汽車(chē)和軍事應(yīng)用。快...
DRAM、SRAM和Flash都屬于存儲(chǔ)器,DRAM通常被稱(chēng)為內(nèi)存,也有些朋友會(huì)把手機(jī)中的Flash閃存誤會(huì)成內(nèi)存。SRAM的存在感相對(duì)較弱,但他卻是C...
賽普拉斯授權(quán)UMC生產(chǎn)的 65nm 和 40nm SRAM 器件榮獲航空航天級(jí) QML 認(rèn)證
加利福尼亞州圣何塞,2017年 11 月 15 日 —— 包括抗輻射存儲(chǔ)器在內(nèi)的先進(jìn)嵌入式系統(tǒng)解決方案市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司 (納斯達(dá)克代碼:CY...
2017-11-17 標(biāo)簽:賽普拉斯sram聯(lián)華電子 1.2萬(wàn) 0
ram是指通過(guò)指令可以隨機(jī)地、個(gè)別地對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問(wèn)、訪問(wèn)所需時(shí)間基本固定、且與存儲(chǔ)單元地址無(wú)關(guān)的可以讀寫(xiě)的存儲(chǔ)器。幾乎所有的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和智能電子...
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則...
2017-11-03 標(biāo)簽:sram 1.2萬(wàn) 0
四種存儲(chǔ)器的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用
RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器...
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