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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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sram資訊

SRAM存儲(chǔ)器具有較高的性能，它的優(yōu)缺點(diǎn)分析

SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。SRAM存儲(chǔ)器具有較高的性能，但是SRAM芯片也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大。SRAM...

2020-07-16 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 6550 0

SRAM的工作原理圖解

SRAM六管結(jié)構(gòu)的工作原理

2020-07-15 標(biāo)簽：sram 晶體管 4.7萬 0

FPGA的三種配置方式詳解

FPGA器件有三類配置下載方式：主動(dòng)配置方式（AS）和被動(dòng)配置方式（PS）和最常用的（JTAG）配置方式。AS由FPGA器件引導(dǎo)配置操作過程，它控制著外...

2020-07-09 標(biāo)簽：fpga sram 華秋DFM 8320 0

一款I(lǐng)SSI具有ECC的1Mx8高速異步SRAM的一些特征知識(shí)

美國ISSI存儲(chǔ)器公司的主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM芯片。該公司還設(shè)計(jì)和銷售NOR閃存存儲(chǔ)器產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號(hào)集成電路。...

2020-07-11 標(biāo)簽：sram DRAM芯片 1061 0

SRAM的性能介紹以及它的結(jié)構(gòu)解析

SRAM它也由晶體管組成。接通代表1，斷開表示0，并且狀態(tài)會(huì)保持到接收了一個(gè)改變信號(hào)為止。這些晶體管不需要刷新，但停機(jī)或斷電時(shí)，它們同DRAM一樣，會(huì)丟...

2020-06-29 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1.4萬 0

在使用SRAM時(shí)如何才能有效節(jié)省芯片的面積

SRAM存儲(chǔ)器是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則就會(huì)出現(xiàn)內(nèi)部數(shù)據(jù)會(huì)消失，因此SRA...

2020-06-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1379 0

關(guān)于不同類別存儲(chǔ)器基本原理的解析

存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱主存或內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱輔存或外存）兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。...

2020-06-19 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 1275 0

ARM的Cortex-M0核心并內(nèi)嵌閃存和SRAM

ARM的Cortex-M0核心并內(nèi)嵌閃存和SRAM ARM的Cortex-M0處理器是最新一代的嵌入式ARM處理器，它為實(shí)現(xiàn)MCU的需要提供了低成本的平...

2020-06-23 標(biāo)簽：arm sram 2473 0

簡(jiǎn)單介紹SRAM存儲(chǔ)器支持三種不同的模式

IS62WV102416EBLL是低功耗16M位靜態(tài)SRAM，以1024Kx16位組織。它采用的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的過程與創(chuàng)新的電路設(shè)...

2020-06-19 標(biāo)簽：sram ISSI 2595 0

ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM

ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM，組織為2M字乘8位。它主要是使用ISSI的...

2020-06-01 標(biāo)簽：sram ISSI 1058 0

ISSI具有糾錯(cuò)功能的Async SRAM

近年來，對(duì)精密半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的需求已從個(gè)人計(jì)算機(jī)市場(chǎng)擴(kuò)展到了汽車，通信和數(shù)字消費(fèi)，工業(yè)及醫(yī)療市場(chǎng)。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存容量，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。ISSI為...

2020-05-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram ISSI 832 0

32Mb高速低功耗異步SRAM

ISSI生產(chǎn)的32Mb高速低功耗異步SRAM，這種創(chuàng)新的設(shè)計(jì)加強(qiáng)了ISSI對(duì)具有最高質(zhì)量和性能的SRAM的長(zhǎng)期承諾。32MbSRAM在汽車A3溫度范圍（...

2020-05-28 標(biāo)簽：sram 異步電機(jī)CS 1516 0

SRAM市場(chǎng)動(dòng)向

當(dāng)今世界環(huán)境保護(hù)已蔚然成風(fēng)，力求節(jié)約能源，因此強(qiáng)烈要求電子系統(tǒng)低功耗化和低電壓化。而且由于制造SRAM的半導(dǎo)體工藝精細(xì)化，SRAM要求低電壓供電。因而近...

2020-05-27 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram PC機(jī) 992 0

ISSI代理超低功耗SRAM IS62WV102416DBLL

美國ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車，通信，數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場(chǎng)提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品。IS62WV102416DB...

2020-05-28 標(biāo)簽：DRAM sram ISSI 1192 0

SRAM市場(chǎng)與技術(shù)

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲(chǔ)單元，只要不切斷其供電電源，它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存...

2020-05-26 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram MOS 1660 0

MRAM緩存可行性比SRAM更高

隨著制程邁向5nm甚至3nm，半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗，STT-MRAM存儲(chǔ)器已成為替...

2020-05-26 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram MRAM 1414 0

半導(dǎo)體SRAM存儲(chǔ)器綜述

最近30年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器也正朝著顯著的方向發(fā)展，由于DRAM具有高密度和每位低價(jià)格的優(yōu)點(diǎn)，已成為了生產(chǎn)最多的用于計(jì)算機(jī)主體的易...

2020-05-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 sram 2478 0

帶有ECC的256Kx16高速異步SRAM

ISSI IS61WV25616EDALL是高速，低功耗4M位SRAM，組織為256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，并實(shí)現(xiàn)了ECC...

2020-05-19 標(biāo)簽：sram ISSI 2303 0

SRAM的發(fā)展概況及趨勢(shì)

隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM 逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不...

2020-05-14 標(biāo)簽：IC 存儲(chǔ)器 sram 4371 0

sram是靠什么存儲(chǔ)信息

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)存儲(chǔ)信息,而半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM則是靠電容存儲(chǔ)，半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM的存儲(chǔ)原理是依靠雙穩(wěn)態(tài)電路存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就...

2020-05-10 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 7712 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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