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SRAM(Static Random Access Memory),即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
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基于DBL結構的嵌入式64kb SRAM的低功耗設計 針對嵌入式系統的低功耗要求,采用位線分割結構和存儲陣列分塊譯碼結構,完成了64 kb低功耗SRA...
2010-01-12 標簽:SRAM 1087 0
1Mb國產異步SRAM芯片EMI501HB08PM-55I特征
隨機存儲器最大的特點就是可以隨時對它進行讀寫操作,但當電源斷開時,存儲信息便會消失。SRAM的數據存儲方式是依靠一對反相器以閉環形式連接的存儲電路,它的...
一款ISSI具有ECC的1Mx8高速異步SRAM的一些特征知識
美國ISSI存儲器公司的主要產品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM芯片。該公司還設計和銷售NOR閃存存儲器產品以及高性能模擬和混合信號集成電路。...
ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM
ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM,組織為2M字乘8位。它主要是使用ISSI的...
8Mbit國產低功耗SRAM芯片EMI508NL08VM-55IT采用EMI先進的全CMOS工藝技術制造。位寬1MX8bit,電源電壓為2.7V~3.6...
XL32F003Q32 QFN32封裝 大資源64K的flash和8K的SRAM
XL32F003系列微控制器采用高性能的32位ARM*Cortex*-M0+內核,寬電壓工作范圍的MCU。嵌入高達64 Kbytes flash和8 K...
迅速發展的IoT繼續為消費者和行業帶來革命性的變化,并增強了他們的日常使用體驗,尤其是在邊緣增加處理能力的需求下。健身追蹤器和智能揚聲器,農業及工廠機器...
NV-SRAM(非易失性 SRAM 或NVRAM)是一種獨立的非易失性存儲器,業界最快的 NV-SRAM,具有無限的耐用性。能夠在斷電時立即捕獲 SRA...
臺積電與英特爾、三星的先進製程競賽依舊打得火熱,10 奈米以下製程成為半導體三雄間的競逐場,三星雖于 11 月中搶先發表 10 奈米 FinFET 製程...
新一代NV SRAM技術 第一代NV SRAM模塊問世近20年來,NV SRAM技術不斷更新,以保持與各種應用同步發展,同時滿足新的封裝技術不斷增長的...
2008-11-26 標簽:SRAM 1011 0
在過去的幾十年中,SRAM領域已劃分為兩個不同的產品系列,快速和低功耗,每個產品都有自己的功能,應用程序和價格。使用SRAM的設備需要它的高速性或低功耗...
世界上最早的全電子化存儲器是1947年誕生的,其原理是用陰極射線管在屏幕表面上留下記錄數據的“點”。從那時起,計算機內存開始使用磁存儲技術并經歷了數代演...
32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM器件在如此高的密度上,擁有非常快的響應時間和最小化的封裝尺寸。目標應用領域包括存儲服務器、交換機和路由器、...
Microchip模擬嵌入式SuperFlash?技術助力存算一體創新企業成功解決邊緣語音處理難題
SuperFlash memBrain?存儲器解決方案使知存科技片上系統(SoC)能夠滿足最苛刻的神經處理成本、功耗和性能要求。
EMI502NF08VM-10C國產SRAM芯片PIN2PIN替換IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND
偉凌創芯國產SRAM芯片EMI502NF08VM-10C是一款位寬256K x 8高速靜態隨機存取SRAM芯片,使用(8)條公共輸入和輸出線,并具有一個...
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