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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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采用低功耗可重編程解決方案的FPGA器件

當(dāng)然，并非所有的可編程邏輯技術(shù)都能很好地滿足低功耗要求。事實(shí)上，當(dāng)今市場某些所謂的“低功耗”器件的電流消耗高達(dá)30mA，這往往比對功率敏感的典型電池供電...

2020-07-20 標(biāo)簽：fpga sram 低功耗 786 0

NV-SRAM與BBSRAM的對比，誰的優(yōu)勢更加明顯

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）技術(shù)相比較。 BBS...

2020-12-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 783 0

為什么鐵電RAM比串行SRAM更加的具有優(yōu)勢

對于特定的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，關(guān)于鐵電RAM為何比串行SRAM更好，有幾個(gè)原因值得一提。以下各節(jié)將介紹其中的一些注意事項(xiàng)。優(yōu)越的頻率和帶寬傳統(tǒng)和ULE FRA...

2020-10-20 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram RAM 782 0

SRAM存儲(chǔ)器已成為大多數(shù)高性能應(yīng)用程序的首選存儲(chǔ)器

從純技術(shù)角度考慮兩個(gè)最廣泛使用的DRAM選項(xiàng)-同步DRAM（SDRAM）和減少延遲的DRAM（RLDRAM）。SDRAM tRC在過去10年中沒有實(shí)質(zhì)性...

2020-09-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 781 0

使用非易失性FRAM替換SRAM時(shí)的問題和解決方案

? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?M...

2022-01-12 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 775 0

澎湃微的S038系列Cortex-M0 MCU介紹

當(dāng)程序在S038的SRAM里運(yùn)行，并且CPU主時(shí)鐘設(shè)置為200M時(shí)，其CoreMark能夠達(dá)到380分，已經(jīng)達(dá)到或超過目前國際大廠Cortex-M4 M...

2022-12-29 標(biāo)簽：mcu cpu sram 773 0

256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器EMI7256概述及特征

國產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，內(nèi)部組織為32K字，每個(gè)字8位。最大時(shí)鐘20MHz，采用最先進(jìn)的CMO...

2022-04-24 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 768 0

Microchip Technology擴(kuò)展了旗下串行SRAM產(chǎn)品線，容量最高可達(dá)4Mb

為滿足客戶對更大更快的 SRAM 的普遍需求，Microchip Technology（微芯科技公司）擴(kuò)展了旗下串行SRAM產(chǎn)品線，容量最高可達(dá)4 Mb...

2024-03-29 標(biāo)簽：單片機(jī)存儲(chǔ)器 microchip 763 0

芯片設(shè)計(jì)中DRAM類型如何選擇

DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非常快，如HBM，但也很昂貴。其他類型速度較慢，但價(jià)格便宜，如基本的DDR DIMM。然而，變化的是，在異構(gòu)架構(gòu)中，...

2023-11-15 標(biāo)簽：DRAM sram 芯片設(shè)計(jì) 754 0

XL32F003單片機(jī) M0+內(nèi)核主頻48M，64 K flash加8K SRAM存儲(chǔ)器

XL32F003是芯嶺技術(shù)推出的一顆高性能單片機(jī)，搭配32位ARM Cortex-M0+內(nèi)核，最高工作頻率48 MHz。芯片嵌入高達(dá)64 Kbytes...

2024-05-16 標(biāo)簽：單片機(jī)存儲(chǔ)器 sram 740 0

一文看懂SoC的架構(gòu)

一、SoC 架構(gòu)圖：核心功能和設(shè)計(jì)目標(biāo) SoC 是基于通用處理器這樣的思路進(jìn)行設(shè)計(jì)的，與 PC 設(shè)計(jì)思路一樣。即通用處理器是由 CORE + MEM 兩...

2024-11-29 標(biāo)簽：sram soc 通用處理器 729 0

關(guān)于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器和新興存儲(chǔ)器應(yīng)用的簡單分析

舊版存儲(chǔ)不再是使用壽命短的低端設(shè)備，因?yàn)橹饕?yīng)商都將精力集中在最新和最重要的產(chǎn)品上。隨著越來越多的智能設(shè)備和融合了AI的邊緣計(jì)算以及呈指數(shù)增長的物聯(lián)網(wǎng)...

2020-11-24 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 722 0

通過DRAM單元來實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)并降低每存儲(chǔ)位成本

PSRAM是一種存儲(chǔ)技術(shù)，它通過DRAM單元來實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)并降低每存儲(chǔ)位成本。PSRAM帶有異步SRAM外部接口，可實(shí)現(xiàn)高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。COSMORA...

2020-10-23 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 722 0

復(fù)旦微電子榮獲第三十四屆上海市優(yōu)秀發(fā)明選拔賽優(yōu)秀發(fā)明銀獎(jiǎng)

為進(jìn)一步鼓勵(lì)全市廣大職工和青少年開展群眾性科技創(chuàng)新活動(dòng)，充分激發(fā)廣大職工和青少年的聰明才智，加快上海建設(shè)具有世界影響力的社會(huì)主義現(xiàn)代化國際大都市，上海市...

2023-02-22 標(biāo)簽：集成電路 RFID sram 710 0

賽普拉斯異步高速SRAM芯片CY7C1041GN

賽普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM，由256K字16位組成。通過斷言芯片使能（CE）和寫入使能（WE）輸入LOW來執(zhí)行...

2023-05-31 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器 sram 708 0

ISSI推出了三種不同等級的汽車異步SRAM產(chǎn)品

ISSI自1999年以來，就一直為汽車市場提供支持。并在2001年ISSI成立了汽車業(yè)務(wù)部門，開始擴(kuò)大對市場的支持。該業(yè)務(wù)部門的目的是在ISSI中提供跨...

2020-08-27 標(biāo)簽：汽車電子 sram 699 0

非易失MRAM是BBSRAM完美替代產(chǎn)品

MRAM是電池儲(chǔ)備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產(chǎn)品。Everspin MRAM高速非易失性存儲(chǔ)器，使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他...

2022-11-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram MRAM 681 0

為您的嵌入式應(yīng)用選擇最佳閃存設(shè)備

　　假設(shè) （b）的答案是肯定的（至少部分固件需要 XiP），接下來的問題是弄清楚需要多少性能。由于采用高速八通道 DDR 接口，EcoXiP 的吞吐量...

2022-08-17 標(biāo)簽：mcu sram soc 677 0

LQFP100封裝 512K Flash 96K SRAM大資源單片機(jī)MH32F103AVET6介紹

MH32F103AVET6使用高性能的32位內(nèi)核，內(nèi)置了多達(dá)2個(gè)高級定時(shí)器、10個(gè)通用定時(shí)器、2個(gè)基本定時(shí)器、3個(gè)12位的ADC、2個(gè)12位的DAC，還...

2022-10-13 標(biāo)簽：單片機(jī)sram 666 0

三星超車臺(tái)積電、英特爾，搶頭香推10納米SRAM

三星成功開發(fā)新世代SRAM，也代表其處理器制程工藝進(jìn)階至10奈米的過程相當(dāng)順利，估計(jì)有望在2017年初進(jìn)入全面量產(chǎn)，將使三星爭搶處理器代工訂單占得有利位置。

2015-11-19 標(biāo)簽：英特爾三星電子臺(tái)積電 660 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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