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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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國(guó)產(chǎn)并口PSRAM存儲(chǔ)芯片EMI164NA16LM的功能描述

EMI164NA16LM該設(shè)備是一個(gè)集成的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中包含64Mbit靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，使用自刷新DRAM陣列由16位組織為4M。模具具有單獨(dú)的電...

2021-03-18 標(biāo)簽：sram 存儲(chǔ)芯片 2357 0

如何用flash保存stm32 html的參數(shù)

STM32F407由一個(gè)Cortex-M4內(nèi)核，片上flash，片上sram，以及片上外設(shè)（uart，I2C，SPI等）組成。內(nèi)核通過(guò)I，S，D三條數(shù)...

2021-07-23 標(biāo)簽：sram Cortex-M4 外設(shè) 2305 0

帶有ECC的256Kx16高速異步SRAM

ISSI IS61WV25616EDALL是高速，低功耗4M位SRAM，組織為256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，并實(shí)現(xiàn)了ECC...

2020-05-19 標(biāo)簽：sram ISSI 2267 0

一種創(chuàng)新的面積和能效AI存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)—MCAIMem

人工智能芯片通常使用 SRAM 存儲(chǔ)器作為緩沖器（buffers），其可靠性和速度有助于實(shí)現(xiàn)高性能。

2024-01-03 標(biāo)簽：編碼器存儲(chǔ)器緩沖器 2252 0

MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待

　　存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)（SRAM）的快速、快閃存儲(chǔ)的高密度以及如同唯讀存儲(chǔ)（ROM）般低成本等各種優(yōu)勢(shì)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)...

2016-03-09 標(biāo)簽：SRAM 存儲(chǔ)技術(shù)MRAM 2206 1

Arm Helium技術(shù)誕生的由來(lái) 為何不直接采用Neon？

經(jīng)過(guò) Arm 研究團(tuán)隊(duì)多年的不懈努力，Arm 于 2019 年推出了適用于 Armv8?M 架構(gòu)的 Arm Cortex-M 矢量擴(kuò)展技術(shù) (MVE)—...

2024-02-29 標(biāo)簽：處理器寄存器 sram 2186 0

MCU單片機(jī)外擴(kuò)的國(guó)產(chǎn)串口SRAM簡(jiǎn)介

靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（SRAM）是指這類存儲(chǔ)器要是維持接電源，里邊存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。SRAM不用更新電源電路即能儲(chǔ)存它內(nèi)部?jī)?chǔ)存的數(shù)據(jù)信息...

2022-04-18 標(biāo)簽：mcu 存儲(chǔ)器 sram 2184 0

基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設(shè)計(jì)

在分析傳統(tǒng)SRAM存儲(chǔ)單元工作原理的基礎(chǔ)上,采用VTC蝴蝶曲線,字線電壓驅(qū)動(dòng),位線電壓驅(qū)動(dòng)和N曲線方法衡量了其靜態(tài)噪聲容限。在這種背景下,分析研究了前...

2020-04-03 標(biāo)簽：sram sram存儲(chǔ) 2183 0

低功耗SRAM存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)單描述及特征介紹

低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，是靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（SRAM）作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣泛...

2021-06-08 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 2174 0

PSRAM在數(shù)據(jù)緩沖應(yīng)用中可以替代SRAM或SDRAM

PSRAM它具有類SRAM的接口協(xié)議：給出地址、讀、寫命令，就可以實(shí)現(xiàn)存取，不像DRAM需要memory controller來(lái)控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新...

2021-01-20 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)sram 2158 0

賽普拉斯針對(duì)掉電數(shù)據(jù)保存推出1Mb nvSRAM

非易失性RAM解決方案簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，無(wú)需電池并減少了管腳數(shù) 用于RAID存儲(chǔ)、工業(yè)自動(dòng)化和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用

2015-08-04 標(biāo)簽：賽普拉斯 SRAM nvSRAM 2131 1

存內(nèi)計(jì)算公司蘋芯科技完成A輪融資，已與國(guó)內(nèi)外頭部電子企業(yè)達(dá)成合作

近日，蘋芯科技宣布已于數(shù)月前完成千萬(wàn)級(jí)美元A輪融資，該輪融資由春華創(chuàng)投領(lǐng)投，紅點(diǎn)中國(guó)、紅杉中國(guó)、真格基金等老股東全部跟投。據(jù)悉，本輪融資資金將主要用于加...

2022-08-08 標(biāo)簽：SRAM AI芯片存算一體 2130 0

業(yè)界最快QDR SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)

QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。這些新型存儲(chǔ)器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633...

2011-04-27 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 SRAM QDR 2059 0

XM8A51216V33A在功能上等效于異步SRAM

XRAM是一種新的內(nèi)存架構(gòu)，旨在以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格提供高密度和高性能RAM.XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新架構(gòu)來(lái)顯著提高內(nèi)存密度，性能并簡(jiǎn)化用戶...

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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)16M異步SRAM芯片EMI516NF16LM

快速異步型SRAM，存取時(shí)間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容...

2022-01-07 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 2016 0

用于替換IS62WV51216EBLL-45TLI的國(guó)產(chǎn)SRAM芯片

IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一個(gè)8M容量，組織結(jié)構(gòu)為512K*16的高速率低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。采用高性能CMOS工藝制...

2022-01-26 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器 sram 2012 0

Microsemi PolarFire FPGA相比基于SRAM的FPGA 耗電量最高可降低50%

貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起備貨 Microsemi的PolarFire?現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）。此款基于閃存的中...

2019-01-19 標(biāo)簽：FPGA SRAM 貿(mào)澤電子 1944 0

偉凌創(chuàng)芯國(guó)產(chǎn)并口SRAM介紹

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。

2023-03-13 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 偉凌創(chuàng)芯 1913 0

如何選擇非易失性SRAM，如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，各種存儲(chǔ)器相繼推出，性能不斷提高。目前存儲(chǔ)器主要有以下幾種類型：靜態(tài)RAM（SRAM），動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）EPROM，EE...

2021-01-11 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1901 0

淺談IntrinsicID提出的不需要存儲(chǔ)密鑰就能保護(hù)數(shù)據(jù)的方法

數(shù)據(jù)保護(hù)現(xiàn)在已經(jīng)成了幾乎每個(gè)人都在考慮的問題。新聞上也每隔一段時(shí)間就會(huì)出現(xiàn)黑客、入侵或網(wǎng)絡(luò)恐怖主義的故事。越來(lái)越多地依賴云計(jì)算、超連接設(shè)備以及AI輔助硬...

2021-03-26 標(biāo)簽：sram IP安全數(shù)據(jù)安全 1871 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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