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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
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臺(tái)積電談實(shí)現(xiàn)5nm的關(guān)鍵技術(shù)
? ? 進(jìn)入最近幾年,每當(dāng)我們引入一個(gè)新的先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn),大家都把絕大多數(shù)注意力集中在光刻更新上。引用的常用指標(biāo)是每平方毫米的晶體管或(高密度)SRAM位...
SoC有基于應(yīng)用程序的內(nèi)存,內(nèi)存類(lèi)型包括哪些
SoC有基于應(yīng)用程序的內(nèi)存。這些存儲(chǔ)器是用于計(jì)算的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器塊。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器通常是指在單個(gè)硅片上制造的金屬氧化物半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元。內(nèi)存類(lèi)型包括: 易失...
EEPROM和FLASH在大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合中均無(wú)法替代SRAM
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,各種存儲(chǔ)器相繼推出,性能不斷提高。 眾所周知,普通SRAM在電源掉電后,其中的數(shù)據(jù)隨即消失,再次加電后,存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)為隨機(jī)數(shù)...
詳細(xì)介紹集各種存儲(chǔ)器優(yōu)異性能于一身的MRAM
MRAM即磁阻式隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱(chēng)。經(jīng)過(guò)10多年不間斷的研發(fā),全球第一款正式量產(chǎn)并供貨的MRAM芯片型號(hào)為MR2A16A,它采用44腳的TSOP封裝,...
如若某一天,某種通用存儲(chǔ)器或殺手級(jí)存儲(chǔ)器將能夠同時(shí)替代SRAM,DRAM和閃存。在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái),雖然下一代存儲(chǔ)技術(shù)仍然不能完全取代傳統(tǒng)存儲(chǔ)器,但它們可以...
2020-12-24 標(biāo)簽:DRAMIC設(shè)計(jì)sram 1297 0
NV-SRAM將成為寫(xiě)日記應(yīng)用程序的理想非易失性存儲(chǔ)解決方案
RAID存儲(chǔ)系統(tǒng)概述 RAID最初由UCBerkeley的Garth Gibson,Randy Katz和Dave Patterson于1980年代后期...
NV-SRAM與BBSRAM的對(duì)比,誰(shuí)的優(yōu)勢(shì)更加明顯
隨著無(wú)鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)技術(shù)相比較。 BBS...
詳細(xì)介紹NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)
隨著無(wú)鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。 ...
賽普拉斯NV-SRAM的解決方案,它的優(yōu)勢(shì)是什么
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合,可提供...
關(guān)于游戲機(jī)電池供電的SRAM解決方案的說(shuō)明
游戲機(jī)是一種主要用于娛樂(lè),使用只向獲得許可的軟件開(kāi)發(fā)者開(kāi)放的源代碼,以電視機(jī)或其他專(zhuān)用顯示器以及專(zhuān)用輸入設(shè)備的電腦系統(tǒng)。其與個(gè)人計(jì)算機(jī)最大的區(qū)別在于源代...
?關(guān)于游戲應(yīng)用中的非易失性SRAM(nvSRAM)的講解
數(shù)年來(lái),諸如投幣游戲機(jī)和視頻撲克機(jī)等游戲機(jī)一直是游戲行業(yè)的基礎(chǔ)。通常這些游戲機(jī)的普及程度取決于贏錢(qián)的可能性,游戲機(jī)的可靠性以及游戲機(jī)的娛樂(lè)價(jià)值。相對(duì)于其...
關(guān)于ram的結(jié)構(gòu)和讀寫(xiě)過(guò)程的詳細(xì)講解
ram也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)(刷新時(shí)除外)且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。r...
關(guān)于MRAM的存儲(chǔ)原理以及MRAM的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限...
關(guān)于易失性存儲(chǔ)器SRAM基礎(chǔ)知識(shí)的介紹
存儲(chǔ)器概況 存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,主要是用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)特性可分為非易失和易失兩大類(lèi)。目前常見(jiàn)的多為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。 非易失性存...
FSMC是STM32采用的一種新型存儲(chǔ)器控制技術(shù)
STM32F103ZET6屬于STM32F103xE增強(qiáng)型系列,工作頻率為72MHz,內(nèi)置高速存儲(chǔ)器(高達(dá)512K字節(jié)的閃存和64K字節(jié)的SRAM) ,...
以SRAM芯片為例系統(tǒng)介紹常用的擴(kuò)充存儲(chǔ)容量的方法
SRAM即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,所謂靜態(tài)是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就可以一直保持,但是掉電之后就會(huì)丟失。與DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)相...
關(guān)于提升SRAM性能的傳統(tǒng)方法的詳細(xì)介紹
隨著諸如醫(yī)療電子和無(wú)線傳感節(jié)點(diǎn)等應(yīng)用的興起,低功耗芯片受到了越來(lái)越廣泛的關(guān)注。這類(lèi)芯片對(duì)性能和功耗要求苛刻。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)作為芯片的重要組成...
關(guān)于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器和新興存儲(chǔ)器應(yīng)用的簡(jiǎn)單分析
舊版存儲(chǔ)不再是使用壽命短的低端設(shè)備,因?yàn)橹饕?yīng)商都將精力集中在最新和最重要的產(chǎn)品上。隨著越來(lái)越多的智能設(shè)備和融合了AI的邊緣計(jì)算以及呈指數(shù)增長(zhǎng)的物聯(lián)網(wǎng)...
Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns
Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個(gè)晶體管﹐采用6個(gè)晶體管存儲(chǔ)單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SR...
讀取優(yōu)先和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu),幾個(gè)混合結(jié)構(gòu)的管理策略
MRAM因具有許多優(yōu)點(diǎn),有取代SRAM和DRAM的潛能。用MTJ存儲(chǔ)單元構(gòu)建的MRAM存儲(chǔ)器可以用作高速緩存。然而MRAM寫(xiě)入操作的長(zhǎng)延時(shí)和較高的功耗成...
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