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SRAM(Static Random Access Memory),即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
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賽普拉斯半導體公司和瑞薩電子公司在內的QDR聯盟日前宣布推出業界最快的四倍數據率(QDR) SRAM(靜態隨機存取存儲器)。
在設計安全關鍵系統時,國際安全標準對我們選擇適當的流程和適當的技術來檢測和避免最終產品中的危險故障至關重要。這些標準確保我們不會像我們之前的安全工程...
意法半導體新推出的STM32L4+微控制器極具性價比,集成最低的存儲容量512KB的閃存和320KB的SRAM,提供緊湊的10mmx10mm64引腳和7...
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易失性存儲器的發展歷程 繼續關于存儲器的發展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲器的發展史,本期內容我們將回顧易失性存儲器的發展歷程。易失性存儲器在計算機開...
? ? ? ST內核M3的32位MCU產品STM32F1xxx這一系列的MCU內置 SRAM 資源非常有限,在應用中如果遇到數據需要擴容的情況下,需要外...
低功耗SRAM存儲器應用于內有電池供電對功耗非常敏感的產品,作為靜態隨機訪問存儲器的一種類別,靜態隨機訪問存儲器(SRAM)作為最重要的半導體存儲器,廣...
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本文核心思想: 美國微芯科技公司(Microchip)宣布,首次推出四款業內容量最大、速度最快的新器件,擴展了其串行SRAM產品組合。這些器件是業內首批...
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PLD可編程器件的發展方向是高密度、高速度、低功耗。隨著PLD的設計規模越來越大,電子設計自動化(EDA)已經成為其主要設計手段。
臺積電在今年早些時候正式推出其 N3 制造技術時表示,與其 N5(5 納米級)工藝相比,新節點的邏輯密度將提高 1.6 倍和 1.7 倍。它沒有透露的是...
1Mbit國產SRAM芯片EMI501NL16VM-55I介紹
偉凌創芯EMI501NL16VM-55I采用的是EMl先進的全CMOS工藝技術制造,位寬64Kx 16位,電源電壓為2.7V~3.6V,支持三態輸出和T...
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