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標(biāo)簽 > SST26VF064B
SST26VF064B/064B顯著提高了性能和可靠性,同時(shí)降低了功耗。這些設(shè)備使用2.7-3.6V的單電源進(jìn)行寫入(編程或擦除)。消耗的總能量是施加電壓、電流和施加時(shí)間的函數(shù)。
SST26VF064B/064B顯著提高了性能和可靠性,同時(shí)降低了功耗。這些設(shè)備使用2.7-3.6V的單電源進(jìn)行寫入(編程或擦除)。消耗的總能量是施加電壓、電流和施加時(shí)間的函數(shù)。由于對于任何給定的電壓范圍,SuperFlash技術(shù)使用的編程電流更小,擦除時(shí)間更短,因此在任何擦除或編程操作中消耗的總能量都是零而不是替代閃存技術(shù)。SST26VF064B/064B提供8觸點(diǎn)WSON(6毫米x 5毫米)、8引線SOIC(200密耳)、16引線SOIC(300密耳)和24球TBGA。
SST26VF064B/SST26VF064BA原文資料數(shù)據(jù)手冊PDF免費(fèi)下載(串行閃存)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2017-10-30 標(biāo)簽:閃存SST26VF064B 2444 0
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