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標(biāo)簽 > tsv
TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進(jìn)展。
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12英寸深硅刻蝕機(jī)銷售突破百腔,北方華創(chuàng)助力Chiplet TSV工藝發(fā)展
隨著晶體管尺寸不斷向原子尺度靠近,摩爾定律正在放緩,面對工藝技術(shù)持續(xù)微縮所增加的成本及復(fù)雜性,市場亟需另辟蹊徑以實(shí)現(xiàn)低成本前提下的芯片高性能,以TSV(...
工業(yè)以太網(wǎng)SPE連接器是一種全新的連接器,它可以實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)以太網(wǎng)(例如,IEEE 802.3)上更高的帶寬,同時還能適應(yīng)工業(yè)環(huán)境下的特殊要求。SPE連接器...
2023-05-25 標(biāo)簽:連接器工業(yè)以太網(wǎng)TSV 1075 0
SAPS兆頻超聲波技術(shù)應(yīng)用于TSV晶片的刻蝕后清洗工藝
本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體將空間交替相移(SAPS)兆頻超聲波技術(shù)應(yīng)用于TSV晶片的刻蝕后清洗工藝,SAPS技術(shù)通過在兆頻超聲波裝置和晶片之間的間隙中...
類比積體電路設(shè)計也將進(jìn)入三維晶片(3D IC)時代。在數(shù)位晶片開發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后,類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產(chǎn)線,期透過矽穿孔(...
類比積體電路設(shè)計也將進(jìn)入三維晶片(3D IC)時代。在數(shù)位晶片開發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后,類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產(chǎn)線,期透過矽穿孔(...
三星電子宣布開發(fā)出業(yè)界首個12層3D-TSV技術(shù) 將鞏固其在高端半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位
10月7日,三星電子宣布已開發(fā)出業(yè)界首個12層3D-TSV技術(shù)。
2023年整體堆疊技術(shù)市場將超過57億美元 醫(yī)療和工業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用將是主力
根據(jù)產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)Yole Développement(Yole)的研究指出,像HBM和CIS這樣的硬件創(chuàng)造了TSV的大部分收入。2023年整體堆疊技術(shù)市...
Sensor Hub(傳感器集線器)方案整合度將再次大幅提升。微控制器(MCU)供應(yīng)商正借重系統(tǒng)級封裝(SiP)和硅穿孔(TSV)技術(shù),整合微控制器和多...
新型封裝技術(shù)盤點(diǎn),小型化設(shè)備可期
無止境地追求更輕薄短小的智能型手機(jī)。TechInsights探討半導(dǎo)體封裝整合的創(chuàng)新能力,同時預(yù)測新上市的三星Galaxy S7和iPhone SE。
IC Insight指出在2007年至2012年期間,全球IC市場的年均增長率CAGR僅為2.1%,而2013年全球集成電路產(chǎn)業(yè)已度過最低增長的困難的5...
20/16nm將成主流 先進(jìn)工藝怎適應(yīng)?
017年20nm、16nm及以下的先進(jìn)工藝將成為主流,這對我們設(shè)計業(yè)、制造業(yè)是一個很大的啟示:我們怎么樣適應(yīng)全球先進(jìn)工藝。
半導(dǎo)體制造孕育新機(jī)遇,新技術(shù)變革在所難免
導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程,2014年開始量產(chǎn)。如果從工藝制程節(jié)點(diǎn)來說,傳統(tǒng)的光學(xué)光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術(shù)可能達(dá)到10n...
英飛凌面向移動系統(tǒng)推出具備低動態(tài)電阻和超低電容的TVS器件
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日推出一系列可為移動電子系統(tǒng)提供一流靜電釋放(ESD)保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制(TVS)...
可穿戴式電腦將會成為下一波主流趨勢,不僅是一種消費(fèi)性電子產(chǎn)品,也會是全方位的運(yùn)算解決方案;在過去數(shù)年,可穿戴式電子產(chǎn)品一直是產(chǎn)業(yè)界的熱門話題,以健身配件...
3D芯片技術(shù)漸到位 業(yè)務(wù)合作模式成關(guān)鍵
采用矽穿孔(TSV)的2.5D或3D IC技術(shù),由于具備更佳的帶寬與功耗優(yōu)勢,并能以更高整合度突破制程微縮已趨近極限的挑戰(zhàn),是近年來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展...
各大廠商傾力開發(fā),芯片立體堆疊技術(shù)應(yīng)用在即
TSV立體堆疊技術(shù)已在各式應(yīng)用領(lǐng)域當(dāng)中嶄露頭角。TSV堆疊技術(shù)應(yīng)用于DRAM、FPGA、無線設(shè)備等應(yīng)用上,可提升其效能并維持低功耗,因而獲得半導(dǎo)體廠及類...
2013-02-24 標(biāo)簽:TSV立體堆疊技術(shù) 3387 0
半導(dǎo)體廠商關(guān)注,TSV應(yīng)用爆發(fā)一觸即發(fā)
TSV技術(shù)應(yīng)用即將遍地開花。隨著各大半導(dǎo)體廠商陸續(xù)將TSV立體堆疊納入技術(shù)藍(lán)圖,TSV應(yīng)用市場正加速起飛,包括影像感應(yīng)器、功率放大器和處理器等元件,皆已...
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