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      標簽　>　UIS

      UIS

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      uis技術(shù)

      UIS測試是什么？雪崩能量對實際應(yīng)用的影響

      UIS測試是什么？雪崩能量對實際應(yīng)用的影響

      UIS：英文全稱Unclamped Inductive Switching，中文譯為非嵌位感性負載開關(guān)過程。

      2023-11-24 標簽：MOSFETUIS擊穿電壓 9253 0

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      uis資訊

      碳化硅JBS二極管 結(jié)勢壘肖特基二極管 UIS前沿感性負載開關(guān)能力顯著：開關(guān)損耗降低60%

      碳化硅JBS二極管 結(jié)勢壘肖特基二極管 UIS前沿感性負載開關(guān)能力顯著：開關(guān)損耗降低60%

      華芯邦科技已推出了以碳化硅為基礎(chǔ)的MOSFET和碳化硅JBS二極管（結(jié)勢壘肖特基二極管）。JBS是一種高性能的功率二極管，結(jié)合了肖特基二極管（SBD）和...

      2024-09-26 標簽：二極管負載開關(guān)UIS 403 0

      看懂MOSFET數(shù)據(jù)表第1部分—UIS/雪崩額定值

      看懂MOSFET數(shù)據(jù)表第1部分—UIS/雪崩額定值

      在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、柵極電荷），其它的一些參數(shù)會十分的含糊不...

      2021-11-24 標簽：MOSFET電源管理UIS 4939 0

      看懂MOSFET數(shù)據(jù)表（第1部分）UIS/雪崩額定值

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      在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、柵極電荷），其它的一些參數(shù)會十分的含糊不...

      2017-04-18 標簽：mosfetuis 1.1萬 0

      MOSFET的UIS及雪崩能量解析

      MOSFET的UIS及雪崩能量解析

      MOSFET的UIS及雪崩能量解析 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩

      2010-04-26 標簽：MOSFETUIS 7250 0

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      uis數(shù)據(jù)手冊

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        共享充電寶
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。 　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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