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標(biāo)簽 > vdd
Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正,Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C,和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss,含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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NVIDIA Jetson 作為開發(fā)者套件是最簡(jiǎn)單的入門方法之一,可以將高性能 Arm 內(nèi)核與NVIDIA 自己的高級(jí) GPU 引擎結(jié)合在一起,使其功能...
DCpower一般是指帶實(shí)際電壓的源,其他的都是標(biāo)號(hào)(在有些仿真軟件中默認(rèn)的把標(biāo)號(hào)和源相連的)VDD:電源電壓(單極器件);電源電壓(4000系列數(shù)字電...
首先,芯片啟動(dòng)是需要驅(qū)動(dòng)底層硬件驅(qū)動(dòng)模塊,通常行業(yè)內(nèi)稱之為BootLoader引導(dǎo)啟動(dòng)方式。該引導(dǎo)流程是引導(dǎo)加載程序執(zhí)行,從而初始化 SoC 和并未后續(xù)...
做過(guò)單片機(jī)產(chǎn)品的朋友都知道,STM32芯片有多組VDD和VSS。
I2C通訊協(xié)議具有運(yùn)行可靠、成本低廉、占用IO資源少等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于多級(jí)通訊中;中穎芯片硬件TWI(兩線串行接口)接口完全兼容I2C總線協(xié)議。
UPF是一個(gè)統(tǒng)一的,被廣泛應(yīng)用的低功耗實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)。它用一些標(biāo)準(zhǔn)的語(yǔ)言描述用戶的低功耗設(shè)計(jì)意圖。
Synopsys推出一款低功耗靜態(tài)規(guī)則檢查工具—VCLP
VCLP(VC Low Power)是Synopsys提供的一款低功耗靜態(tài)規(guī)則檢查工具,它能夠幫助驗(yàn)證和清潔IEEE 1801 Unified Powe...
2024-04-15 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器電源開關(guān)Synopsys 2517 0
數(shù)字IC版圖設(shè)計(jì)中Power Mesh打的太寬怎么辦
調(diào)整PG structure,讓電源地間隔放置。或者合理減少power,不要打太多、不要打太寬。
開關(guān)電源芯片輸出電壓調(diào)整率技術(shù)指南
大家首先要了解在DCM工作模式下,高壓浮地Buck工作模態(tài)包括:勵(lì)磁模態(tài)、消磁模態(tài)和振蕩模態(tài)。
SoC電源/地網(wǎng)絡(luò)給整個(gè)芯片供電,一個(gè)設(shè)計(jì)合理的電源/地網(wǎng)絡(luò)要保證整個(gè)芯片的性能和可靠性。
2023-06-16 標(biāo)簽:SoC設(shè)計(jì)計(jì)數(shù)器電源電壓 2376 0
設(shè)計(jì)電路時(shí)為什么加那么多電容呢?
我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路的時(shí)候經(jīng)常會(huì)在電路中VDD, VCC 引腳旁邊放置一些電容,比如1nF,10nF, 100nF, 1uF等。
從理論上講,單片機(jī)每次上電復(fù)位所需的最短延時(shí)應(yīng)該不小于treset。這里,treset等于上電延時(shí)taddrise與起振延時(shí)tosc之和。從實(shí)際上講,延...
FB系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至FB管腳,用于CV模式輸出電壓控制及CC模式輸出電流控制。
innovus里邊有不少physical DRC檢查工具,其中的verifyConnectivity 別有一番有趣的用法,借此機(jī)會(huì),一起來(lái)看看其中的一個(gè)亮點(diǎn)。
數(shù)碼產(chǎn)品的內(nèi)卷從未停息過(guò)。拿手機(jī)來(lái)說(shuō),先是比賽處理器,手機(jī)的性能拉滿后,又開始比賽手機(jī)屏占比,然后是攝像頭的軍備競(jìng)賽,現(xiàn)在正在進(jìn)行折疊轉(zhuǎn)軸的內(nèi)卷。
友恩充電器芯片U6101選型參考5V-12A~1A、12V-5A~1A,外推MOS,可兼容多種啟動(dòng)供電模式。
低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用設(shè)計(jì)指南
本文通過(guò)分析低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的等效電路來(lái)計(jì)算如何合理的選取RGATE電阻的阻值,既要保持MOS管的良好開關(guān)性能,還要有效抑制振鈴的產(chǎn)生。
MIMXRT1170上電DCDC_PSWTICH啟動(dòng)波形異常
在 DCDC_PSWITCH引腳電壓向上提升的過(guò)程中,DCDC_PSWITCH引腳上之前的電壓應(yīng)低于 0.5 V。
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