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vdmos技術(shù)

Cool-MOS的定義、優(yōu)勢及實際應(yīng)用問題分析

對于常規(guī)VDMOS 器件結(jié)構(gòu)， Rdson 與BV 這一對矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI 參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EP...

2017-11-29 標(biāo)簽：vdmos coolmos 9396 0

RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹

IGBT同時集MOSFET易驅(qū)動和BJT大電流兩個顯著特點于一身，因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。

2023-11-24 標(biāo)簽：MOSFET VDMOS IGBT 2918 0

金屬封裝功率器件管殼鍍金層腐蝕機理研究

金屬封裝形式的氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ VDMOS ），在經(jīng)歷篩選試驗后，管殼表面的金屬層出現(xiàn)了腐蝕形貌，通過顯微鏡觀察、掃描電鏡、 EDS 能...

2024-06-20 標(biāo)簽：VDMOS 封裝功率器件 1696 1

如何提高開關(guān)電源芯片MOSFET雪崩可靠性？

當(dāng)功率器件PN結(jié)的反向電壓增大到某一數(shù)值后，半導(dǎo)體內(nèi)載流子通過碰撞電離開始倍增，這一現(xiàn)象與宏觀世界中高山雪崩是很像的，所以我們稱之為雪崩擊穿。

2023-11-23 標(biāo)簽：MOSFET 示波器 VDMOS 1211 0

vdmos和mos有什么區(qū)別

Vdmos（垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體）和MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件，它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用等方面都有所區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)...

2024-09-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 VDMOS 晶體管 987 0

vdmos是什么型器件

VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）是一種垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，...

2024-09-29 標(biāo)簽：電流 VDMOS 半導(dǎo)體器件 833 0

VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹

如圖1所示，VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴散形成P型區(qū)和N+型區(qū)，在硅表面P型區(qū)和N+型區(qū)之間形成溝道，在柵極加壓后溝道開啟，電流在溝道內(nèi)...

2024-10-08 標(biāo)簽：二極管 VDMOS 柵極 779 0

VDMOS技術(shù)概述和特點

在過去的二十年間，MOSFET作為開關(guān)器件發(fā)展迅速。然而，由于MOSFET的通態(tài)功耗較高，導(dǎo)通電阻受擊穿電壓限制而存在一個極限，被稱為“硅極限”。為了突...

2024-10-15 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 VDMOS 539 0

超結(jié)結(jié)構(gòu)工藝實現(xiàn)方式

在過去的二十年，MOSFET主要用作開關(guān)器件，得到了長足的發(fā)展，由于它是多子器件，有相對較小的開關(guān)損耗，但其通態(tài)功耗較高，要降低通態(tài)功耗，導(dǎo)通電阻受擊穿...

2024-10-15 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 VDMOS 366 0

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藍(lán)牙ble稱低功耗藍(lán)牙。低功耗藍(lán)牙是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟設(shè)計和銷售的一種個人局域網(wǎng)技術(shù)。旨在用于醫(yī)療保健、運動健身、信標(biāo)、安防、家庭娛樂等領(lǐng)域的新興應(yīng)用。相較經(jīng)典藍(lán)牙，低功耗藍(lán)牙旨在保持同等通信范圍的同時顯著降低功耗和成本。
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匯頂科技成立于2002年，作為人機交互領(lǐng)域可靠的技術(shù)與解決方案提供商，在包括手機、平板和可穿戴產(chǎn)品在內(nèi)的智能移動終端人機交互技術(shù)領(lǐng)域不斷取得新進(jìn)展，陸續(xù)推出擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的Goodix Link技術(shù) 、指紋識別與觸控一體化的IFS技術(shù) 、活體指紋檢測技術(shù)等。
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直流放大器就是能放大直流信號的放大器。直流放大器常用于測量儀表。在高精度電位測量和生物電與物理電測量中，電信號往往很弱，而且變化緩慢，含有直流成分，經(jīng)放大后才便于檢測、記錄和處理。此外，在許多情況下，被測信號源的內(nèi)阻高，要求放大器具有高增益和高輸入阻抗。具有這種特性的直流放大器也適合用作運算放大器。

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