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氮化硅

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氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。氮化硅（SI3N4）陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機(jī)械和電性能。

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氮化硅技術(shù)

LPCVD氮化硅薄膜生長的機(jī)理

可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應(yīng)溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應(yīng)物中氫的含量較低。氮...

2025-02-07 標(biāo)簽：芯片薄膜氮化硅 179 0

鈣鈦礦疊層電池：Topcon與HJT底電池性能對比研究

異質(zhì)結(jié)電池結(jié)構(gòu)相比Topcon 電池本身更適合疊層: 因?yàn)殁}礦電池與異質(zhì)結(jié)電池進(jìn)行疊層，異質(zhì)結(jié)電池表面本身就是 TCO，異質(zhì)結(jié)電池的產(chǎn)線無需做更改。

2024-03-27 標(biāo)簽：電池氮化硅 2203 0

光子集成芯片需要的材料有哪些

光子集成芯片所需的材料多種多樣，主要包括硅、氮化硅、磷化銦、砷化鎵、鈮酸鋰等。這些材料各有其特性和應(yīng)用領(lǐng)域，適用于不同的光子器件和集成芯片設(shè)計(jì)。

2024-03-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料集成芯片氮化硅 1884 0

LPCVD技術(shù)助力低應(yīng)力氮化硅膜制備

LPCVD是低壓化學(xué)氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫，低壓主要是相對于常壓的APCVD而言，...

2024-01-22 標(biāo)簽：流量傳感器 mems 壓力傳感器 2233 0

MEMS工藝設(shè)計(jì)中如何實(shí)現(xiàn)應(yīng)力匹配？

相較于本征應(yīng)力，熱應(yīng)力在某些方面是可以化敵為友的。在MEMS熱敏感執(zhí)行器中，基于膜層之間的熱膨脹系數(shù)差來實(shí)現(xiàn)懸臂梁的驅(qū)動。在雙層膜形成的MEMS熱驅(qū)動器...

2024-01-02 標(biāo)簽：mems 熱應(yīng)力氮化硅 1512 0

靶材的種類及制備工藝靶材在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 GaAs 1801 0

基于微諧振器的耗散克爾孤子DKS光頻梳OFC

研究還表明，重復(fù)率的穩(wěn)定性，通過期望的分頻因子與參考激光器的重復(fù)率的穩(wěn)定性相聯(lián)系。最后，跨倍頻程耗散克爾孤子DKS的克爾誘導(dǎo)同步KIS，表現(xiàn)出了相反色散...

2023-12-27 標(biāo)簽：激光器諧振器 OFC 937 0

氮化硅為什么能夠在芯片中扮演重要的地位？

在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。

2023-12-20 標(biāo)簽：晶體管芯片制造氮化硅 3118 0

硅基集成光量子芯片技術(shù)解析

介紹了光量子芯片在未來實(shí)現(xiàn)可實(shí)用化大規(guī)模光量子計(jì)算與信息處理應(yīng)用方面展示出巨大潛力，并對硅基集成光量子芯片技術(shù)進(jìn)行介紹。

2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片技術(shù)光量子 2483 0

CVD中的硅烷詳解

硅烷（SiH4），是CVD里很常見的一種氣體，在CVD中通常用來提供硅的來源，用途很廣泛，我們來詳細(xì)了解一下。

2023-11-24 標(biāo)簽：CVD 氮化硅 2644 0

氮化硅帖子

氮化硅資料下載

晶體硅太陽能電池減反射膜及其影響因素立即下載

類別：電子資料 2023-11-02 標(biāo)簽：太陽能電池發(fā)電晶體硅 380 0

氮化硅陶瓷球材料性能參數(shù)測試立即下載

類別：測試測量論文 2018-03-20 標(biāo)簽：氮化硅 1143 0

氮化硅資訊

2024年電機(jī)材料應(yīng)用的十大創(chuàng)新趨勢

2024電機(jī)材料應(yīng)用 10大創(chuàng)新 ? ? 隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視，電機(jī)材料的創(chuàng)新正在迎來一輪前所未有的突破。2024年，電機(jī)領(lǐng)域在多個(gè)新材...

2025-02-18 標(biāo)簽：電機(jī)LCP 氮化硅 281 0

增強(qiáng)石墨烯基器件穩(wěn)定性的方案

最近發(fā)表在《Small》雜志上的一項(xiàng)研究探討了一種提高跨膜納米流體設(shè)備中石墨烯膜穩(wěn)定性的新方法。研究人員使用一種基于芘的涂層來加強(qiáng)石墨烯與其基底之間的附...

2025-02-14 標(biāo)簽：石墨烯氮化硅 110 0

單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積

本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢，它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處...

2025-02-11 標(biāo)簽：多晶硅晶圓氮化硅 146 0

英諾賽科發(fā)布40V車規(guī)產(chǎn)品駕駛艙快充首選

近年來，隨著第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件在充電器領(lǐng)域的廣泛普及應(yīng)用，大功率充電器也日益小型化。大眾對電子設(shè)備的頻繁使用以及電量焦慮，使得出行時(shí)的充電需求變得十...

2024-12-05 標(biāo)簽：快充英諾賽科車載快充 615 0

氮化硅薄膜的特性及制備方法

氮化硅（Si?N?）薄膜是一種高性能介質(zhì)材料，在集成電路制造領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜不僅介電特性優(yōu)于傳統(tǒng)的二氧化硅，還具備對...

2024-11-29 標(biāo)簽：薄膜 PECVD 氮化硅 960 0

氮化硅薄膜制備方法及用途

一、氮化硅薄膜制備方法及用途氮化硅（Si3N4）薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜的介電特性優(yōu)于二氧化硅，具有對可移動離子較強(qiáng)...

2024-11-24 標(biāo)簽：薄膜氮化硅 898 0

鼎龍股份CMP拋光液業(yè)務(wù)突破：千萬元級訂單助力產(chǎn)能擴(kuò)張

近日，鼎龍股份宣布了其子公司武漢鼎澤新材料技術(shù)有限公司（簡稱“鼎澤新材料”）在CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）拋光液領(lǐng)域的重大進(jìn)展，標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈中...

2024-07-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 CMP 氮化硅 941 0

Atonarp過程控制質(zhì)譜儀Aston?半導(dǎo)體工藝解決方案案例

上海伯東代理日本 Atonarp 過程控制質(zhì)譜儀 Aston?, 通過使用分子傳感技術(shù), 提供半導(dǎo)體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室...

2024-03-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 存儲器 1089 0

京瓷利用SN氮化硅材料研發(fā)高性能FTIR光源

京瓷株式會社（以下簡稱京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。

2023-12-15 標(biāo)簽：FTIR 氮化硅 700 0

國科光芯實(shí)現(xiàn)傳輸損耗-0.1dB/cm（1550 nm波長）級別氮化硅硅光芯片的量產(chǎn)

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，經(jīng)過兩年、十余次的設(shè)計(jì)和工藝迭代，國科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡稱：國科光芯）在國內(nèi)首個(gè)8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺，實(shí)現(xiàn)了傳...

2023-11-17 標(biāo)簽：芯片硅光芯片氮化硅 2110 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會訂立、主要針對手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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電路過電流過電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動或自負(fù)載工況下，對主電路的過電流和過電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過來的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬伏的高頻電壓。
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過零檢測指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測。可作開關(guān)電路或者頻率檢測。漏電開關(guān)的漏電檢測是檢測零序電流。
VHF

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VDD

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
逆變器電路圖

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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲于云端、邊緣端，再通過大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬物數(shù)據(jù)化、萬物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問題。
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功放制作

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功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購重組審核規(guī)則、上市委員會及科技創(chuàng)新咨詢委員會相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。

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氮化硅

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