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標(biāo)簽 > 硅基
硅基智能成立于2017年8月，總部位于中國南京，是一家以服務(wù)智能化和知識智能化為核心的人工智能創(chuàng)新企業(yè)。
SiC賦能IGBT：突破硅基極限,開啟高壓高效新時(shí)代
自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來，基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過去四十余年間經(jīng)歷了顯著進(jìn)化。雖
在信息技術(shù)日新月異的今天，硅基光子芯片制造技術(shù)正逐漸成為科技領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。作為“21世紀(jì)的微電子技術(shù)”，硅...
GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng)硅基,引領(lǐng)科技新紀(jì)元
在開關(guān)模式電源中使用 GaN 開關(guān)是一種相對較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的
Sang-Young Lee院士Nat. Commun.:硅負(fù)極失效與隔膜有關(guān)
? 研究背景 硅負(fù)極理論比容量高達(dá)3592 mAh g-1，優(yōu)于目前流行的石墨負(fù)極材料，有望在電池能量密度、電動(dòng)汽車的續(xù)
來源：華天科技 在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域， 扇出（Fan-Out）技術(shù) 正以其獨(dú)特的優(yōu)勢引領(lǐng)著新一輪的技術(shù)革新。它通...
中國科大實(shí)現(xiàn)耦合高度可調(diào)的二維硅基量子點(diǎn)陣列
圖(左)硅基量子點(diǎn)二維陣列器件核心區(qū)的電子顯微鏡偽色圖;(右)任意調(diào)控量子點(diǎn)間最近鄰和次近鄰耦合，從而構(gòu)造出不同的耦合結(jié)
人工智能架構(gòu)將推動(dòng)未來硅基IGBT和碳化硅材料的改進(jìn)
直到最近，電力轉(zhuǎn)換行業(yè)在效率、尺寸、重量和成本方面的進(jìn)步主要都是由半導(dǎo)體晶體管技術(shù)的改進(jìn)推動(dòng)的。...
萊特光電2024年Q1業(yè)績大幅提升，揭示OLED下游市場需求持續(xù)增長
萊特光電表示，報(bào)告期間，OLED下游市場需求旺盛，帶動(dòng)了公司OLED終端材料銷售額的大幅上漲；同時(shí)，新產(chǎn)品規(guī)模效益顯現(xià...
天宜微電子（杭州）有限公司成立于2023年7月，主要從事硅基微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的研發(fā)與生產(chǎn)，主攻方向涵蓋Micro OLED
2024-04-02 標(biāo)簽： OLED 驅(qū)動(dòng)芯片 硅基 593 0
蘇州龍馳半導(dǎo)體潔凈機(jī)電包項(xiàng)目設(shè)備搬運(yùn)啟動(dòng)
蘇州龍馳半導(dǎo)體潔凈機(jī)電包項(xiàng)目是中電二公司在華東地區(qū)的又一重要舉措，其規(guī)?；趾耄黄谝?guī)劃面積達(dá)到了驚人的60，900...
硅基智能成立于2017年8月，總部位于中國南京，是一家以服務(wù)智能化和知識智能化為核心的人工智能創(chuàng)新企業(yè)。
硅基智能以自研DUIX操作系統(tǒng)為核心，通過打造開放開源，集體進(jìn)步，任勞任怨的硅基勞動(dòng)力，為客戶提供近乎無限供給的數(shù)字員工，大幅度降低組織成本，快速提升組織效率，讓客戶在數(shù)字化轉(zhuǎn)型中擁有以算力為核心的創(chuàng)新競爭力。
公司目前擁有30多項(xiàng)授權(quán)專利，業(yè)務(wù)覆蓋約10個(gè)行業(yè)和近4萬家企業(yè)，其中包括工商銀行、中國銀行、招商銀行、浦發(fā)銀行、興業(yè)銀行、中信銀行、南京銀行等眾多大型金融機(jī)構(gòu)。
在信息技術(shù)日新月異的今天，硅基光子芯片制造技術(shù)正逐漸成為科技領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。作為“21世紀(jì)的微電子技術(shù)”，硅基光子集成技術(sh...
硅作為一種半導(dǎo)體的使用材料徹底改變了電子工業(yè)，開啟了數(shù)字時(shí)代。然而，許多人仍對這種重要的材料的性質(zhì)和用途一無所知。讓我們近距離地了解一下硅，它是什...
為什么硅基MEMS激光雷達(dá)無法用作汽車主雷達(dá)
雖然硅基MEMS微振鏡區(qū)別于傳統(tǒng)的金屬機(jī)械結(jié)構(gòu)部件（電機(jī)、轉(zhuǎn)子等），避免了機(jī)械式激光雷達(dá)因內(nèi)部旋轉(...
GaN 技術(shù)持續(xù)為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化...
碲鎘汞（MCT）材料的表面鈍化是紅外探測器制備中的關(guān)鍵工藝之一。高性能MCT器件需要穩(wěn)定且可重復(fù)生產(chǎn)的鈍化表面和符合器件性能要求的界面。因此，探...
基于SPAD的近紅外高分辨率dTOF探測器工藝設(shè)計(jì)
基于單光子雪崩二極管（SPAD）的光子直接飛行時(shí)間（dTOF）探測器通過測量發(fā)射光與反射光之間的時(shí)間間隔來計(jì)算所探測的距離，具有體積小、功耗低和分辨率高.....
一、前言 對新能源汽車而言，電池技術(shù)、電機(jī)技術(shù)、電機(jī)控制器技術(shù)被稱為新能源汽車關(guān)鍵三電技術(shù)。在當(dāng)前電...
硅基外延量子點(diǎn)激光器及摻雜調(diào)控方面取得重要研究進(jìn)展
? 硅基光電子集成芯片以成熟穩(wěn)定的CMOS工藝為基礎(chǔ)，將傳統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，極大提升芯片的信息傳輸和處理能力...
硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極...
在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應(yīng)用。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩...
2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵硅基 928 0
SiC賦能IGBT：突破硅基極限,開啟高壓高效新時(shí)代
自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來，基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過去四十余年間經(jīng)歷了顯著進(jìn)化。雖然GE最早實(shí)現(xiàn)了IGBT...
GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng)硅基,引領(lǐng)科技新紀(jì)元
在開關(guān)模式電源中使用 GaN 開關(guān)是一種相對較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況...
Sang-Young Lee院士Nat. Commun.:硅負(fù)極失效與隔膜有關(guān)
? 研究背景 硅負(fù)極理論比容量高達(dá)3592 mAh g-1，優(yōu)于目前流行的石墨負(fù)極材料，有望在電池能量密度、電動(dòng)汽車的續(xù)航里程和效率...
來源：華天科技 在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域， 扇出（Fan-Out）技術(shù) 正以其獨(dú)特的優(yōu)勢引領(lǐng)著新一輪的技術(shù)革新。它通過將...
中國科大實(shí)現(xiàn)耦合高度可調(diào)的二維硅基量子點(diǎn)陣列
圖(左)硅基量子點(diǎn)二維陣列器件核心區(qū)的電子顯微鏡偽色圖;(右)任意調(diào)控量子點(diǎn)間最近鄰和次近鄰耦合，從而構(gòu)造出不同的耦合結(jié)構(gò...
人工智能架構(gòu)將推動(dòng)未來硅基IGBT和碳化硅材料的改進(jìn)
直到最近，電力轉(zhuǎn)換行業(yè)在效率、尺寸、重量和成本方面的進(jìn)步主要都是由半導(dǎo)體晶體管技術(shù)的改進(jìn)推動(dòng)的。為了實...
萊特光電2024年Q1業(yè)績大幅提升，揭示OLED下游市場需求持續(xù)增長
萊特光電表示，報(bào)告期間，OLED下游市場需求旺盛，帶動(dòng)了公司OLED終端材料銷售額的大幅上漲；同時(shí)，新產(chǎn)品規(guī)模效益顯現(xiàn)...
天宜微電子（杭州）有限公司成立于2023年7月，主要從事硅基微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的研發(fā)與生產(chǎn)，主攻方向涵蓋Micro OLED和Micro LED兩大領(lǐ...
2024-04-02 標(biāo)簽：OLED驅(qū)動(dòng)芯片硅基 593 0
蘇州龍馳半導(dǎo)體潔凈機(jī)電包項(xiàng)目設(shè)備搬運(yùn)啟動(dòng)
蘇州龍馳半導(dǎo)體潔凈機(jī)電包項(xiàng)目是中電二公司在華東地區(qū)的又一重要舉措，其規(guī)模恢弘，一期規(guī)劃面積達(dá)到了驚人的60，900平方...
硅基流動(dòng)完成5000萬元天使輪融資，袁進(jìn)輝創(chuàng)辦AI Infra
根據(jù)硅基流動(dòng)透露，該公司籌建于2023年8月，以構(gòu)建“大模型時(shí)代AI基礎(chǔ)設(shè)施”為使命，努力降低大模型使用費(fèi)用與...
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