芯片藏身于城市中隨處可見的電子設備，智能手機、電腦、家電等都離不開它的控制。

2024-03-12 標簽：晶圓晶體管芯片制造 579 0

碳化硅晶片生產工藝流程

采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率，還可以提高能量轉換效率并減小產品體積等特點。

2023-09-27 標簽：SiC電磁感應硅晶片 6337 0

硅晶片的酸基蝕刻：傳質和動力學效應

拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過...

2023-05-16 標簽：半導體晶圓硅晶片 929 0

濕清洗過程中硅晶片表面顆粒去除

在整個晶圓加工過程中，仔細維護清潔的晶圓表面對于在半導體器件制造中獲得高產量至關重要。因此，濕式化學清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應用...

2023-03-30 標簽：半導體晶圓蝕刻 2324 0

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制的研究

薄晶片已成為各種新型微電子產品的基本需求。更薄的模具需要裝進更薄的包裝中。與標準的機械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應力更小。

2022-08-26 標簽：工藝蝕刻硅晶片 2952 0

硅片透蝕MACE化學鍍金工藝優化方案

硅(Si)的深度蝕刻對于廣泛的應用是非常理想的。在這種情況下，通過長時間的金屬輔助化學蝕刻(MACE)和短時間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過蝕刻375微米厚...

2022-07-14 標簽：晶圓蝕刻硅晶片 1282 0

KOH硅濕法蝕刻工藝詳解

引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕襯底。也就是...

2022-07-14 標簽：工藝蝕刻硅晶片 4242 0

硅晶片的清洗技術

摘要 隨著越來越高的VLSIs集成度成為商業實踐，對高質量晶片的需求越來越大。對于表面上幾乎沒有金屬雜質、顆粒和有機物的高度潔凈的晶片來說，尤其如此。為...

2022-07-11 標簽：硅晶片清洗作業 1413 0

硅晶片清洗方式的詳細說明

半導體制造業面臨的最大挑戰之一是硅的表面污染薄片。最常見的是，硅晶片僅僅因為暴露在空氣中而被污染，空氣中含有高度的有機顆粒污染物。由于強大的靜電力，這些...

2022-07-08 標簽：半導體制造業硅晶片 4303 0

磨料形貌及分散介質對4H碳化硅晶片研磨質量有哪些影響

磨料形貌的影響, 分散介質的影響

2024-11-20 標簽：晶圓硅晶片 154 0

硅晶片清洗：半導體制造過程中的一個基本和關鍵步驟

引言 半導體是一種導電率介于絕緣體和導體之間的固體物質。半導體材料的定義屬性是它可以摻雜雜質，以可控的方式改變其電子屬性。硅是開發微電子器件時最常用的半...

2024-04-08 標簽：集成電路半導體硅晶片 1895 0

半導體芯片材料工藝和先進封裝

wafer--晶圓wafer即為圖片所示的晶圓，由純硅（Si）構成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規格不等，晶片就是基于這個wafer上生產出來的。晶...

2024-02-21 標簽：半導體芯片材料硅晶片 1981 0

季豐電子新引入精密芯片裂片設備SELA—MC10

SELA是通過刻痕和斷裂的雙重過程制備樣品，獲得高質量截面。

2023-09-21 標簽：硅晶片SDO季豐電子 1677 0