完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>
電子發燒友網技術文庫為您提供最新技術文章，最實用的電子技術文章，是您了解電子技術動態的最佳平臺。
看了一眼這個電路，我感覺有問題，MOS管應該不會導通，就跟同事講了，同事說這個電路是之前用過的，認為沒有問題，于是就上電了。...
三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。...
壓敏電阻具有較大的寄生電容，當它應用于交流電源系統的保護時，往往會在正常運行狀態下產生數值可觀的泄漏電流。例如一個寄生電容為2nF的壓敏電阻安裝在220V,50hz的交流電源系統中，其泄漏電流可達0.14mA(有效值)，這樣大的泄漏電流往往會對系統的正常運行產生影響。...
① LDO正常工作時，VIN大于VOUT，二極管D3截止； ② LDO掉電，出現VOUT下電比VIN下電慢的情況，反向壓差可能會損壞LDO，加了D3，輸入和輸出電壓差鉗位在二極管壓降大小，保護了LDO。...
Si-MOSFET根據制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時，漂移層會變厚，導致導通電阻增加的問題。...
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導體材料，與傳統的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導率。...
MOS管因為其導通內阻低，開關速度快，因此被廣泛應用在開關電源上。而用好一個MOS管，其驅動電路的設計就很關鍵。...
在實際應用中，運放的同一個封裝里面有雙運放或四運放（如下圖），但有時候我們只需使用其中的一部分，多余的引腳怎么處理呢？...
那么結溫和熱阻有什么用呢？--半導體器件主要通過熱傳遞的方式對元件本身進行散熱，當芯片溫度升高，超過結溫后會導致元件損壞。...
本文采用的DTS（DieTopSystem）技術結合了芯片雙面銀燒結工藝與銅線鍵合工藝，此技術能夠避免直接在芯片上進行銅線鍵合時造成的芯片損傷。...
IGBT在二極管鉗位感性負載條件下的電路如圖1所示，該電路為IGBT常用電路，可作為IGBT開關特性的測試電路，評估IGBT的開通及關斷行為。...
國際半導體IDM廠商，如意法半導體、英飛凌、安森美、羅姆電子等，在中國市場仍然占據碳化硅元件的重要地位。消息人士補充，外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌，也主要依賴于上述供應商進行碳化硅采購。...
雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一，但他的作風一向非常低調。就連Infineon的收購行動也常常被低調處理。...
SPICE在晶體管級別的仿真方面表現出色；然而，IC設計工程師要盡一切可能，讓人難以分辨運算放大器中是否存在晶體管。他們希望您能夠使用運算放大器手冊為設計提供參考，并且不會因為晶體管的限制而偏離理想的運算放大器性能。...
碳化硅功率器件利用SiC半導體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導率，以及更高的臨界擊穿電場強度。...
利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。...
與放電型RCD緩沖電路不同，非放電型RCD緩沖電路的RSNB消耗的功率僅為浪涌能量，因此RSNB的容許損耗可以較小。這可以擴大RSNB的選擇范圍，使得能夠增加CSNB的電容量，因而可以提高鉗位的效果。...
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。...
關注我們的微信
下載發燒友APP
電子發燒友觀察
版權所有 ? 湖南華秋數字科技有限公司
長沙市望城經濟技術開發區航空路6號手機智能終端產業園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發燒友 （電路圖） 湘公網安備43011202000918
工商網監
湘ICP備2023018690號-1
