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智能家居的功率器件、電容、可控硅以及繼電器等器件更多是根據控制器的方案而定，但質量可靠、安全穩定等性能必不可少。對于適配器應用來說，開關電源芯片的功能升級和性能優化一定要抓住消費者的需求痛點，就像深圳銀聯寶科技的開關電源芯片U25136，設計合理，簡單有效！...
電線負荷是大家在選購電線前都比較關注的，目前生活中比較常用的電線規格有1平方電線、1.5平方電線、2.5平方電線、4平方電線、6平方電線等那么這些電線可以負荷多少瓦呢，這也是大家比較關心的。...
國際標準的計量單位一般用小寫。僅在涉及以名字命名的單位，比如伏特V、安培A、開爾文K、瓦特W等，為了表示對科學家前輩的尊重，就用大寫，其余的非以人名命名的單位一般用小寫。這里解釋了為何V是大寫。...
配電箱的一級、二、三級箱是啥意思？這是相對而言的問題。我們做個假設：有一個新建的小區引進一條10kV進線，建了一個配電室，從變壓器低壓端出線0.4kV到配電柜（一級配電柜），再引出線到每棟樓的配電箱（二級配電箱），再出線到每個單元樓的配電柜（三級配電），最終入戶。...
四款新型多極碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）單片微波集成電路（MMIC）器件。進一步擴展射頻（RF）解決方案范圍，適用于包括海事、氣象監測和新興的無人機系統雷達等在內的脈沖和連續波 X-波段相控陣應用。...
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體，用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長氮化鋁鎵（AlGaN）薄層并在界面施加應力，從而產生二維電子氣（2DEG）。2DEG用于在電場作用下，高效地傳導電子。2DEG具有高導電性，部分原因是由于電子被困在界面處的非常細小的區域，從而將電子的遷移率從未施...
具體而言，SiC 近年來在很多領域都有應用，比如工業領域。對于 GAN 來說，可使用場景非常廣泛。SiC 產品在高功率市場中有著很好的應用，例如 IGBT 這些產品都有著很好的使用，應用領域在不斷增長中，其主要動力來自汽車行業...
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無線電的領先大功率射頻功率放大器技術。然而，目前的實現方式成本過高。與硅基技術相比，氮化鎵生長在昂貴的III/V族SiC晶圓上，采用昂貴的光刻技術，生產成本特別高。最初嘗試在硅晶圓上生長氮化鎵，但由于性能不佳和不具有成本優勢，沒有被市場采納...
硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。...
Buck converter 的輸入電流一定小于輸出電流，因為在能量守恒的前提下，電壓降低，電流就會變大，而由于交換式電源的轉換效率不可能達到 100%，所以實際上的輸入電流會比 208.3 mA 還要大。...
碳化硅材料以其優異的性能被行業列為第三代半導體材料，其擊穿場強是硅的10倍，熱導率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環境下工作，具有極低的開關損耗和高頻工作能力，減小模塊的體積和重量，顯著提高系統的效率，有利于節能降耗，廣泛應用于風光發電、光伏逆變、UPS儲能、新能源...
碳化硅二極管具有較短的恢復時間、溫度針對電源開關個人行為的危害較小、規范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化硅二極管的關鍵優點取決于它具有極快的電源開關速率且無反向恢復電流量，與硅元器件對比，它可以大幅度降低開關損耗并完成非凡的能耗等級。...
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