MCM 模塊能夠提供大電流，其可緊挨著處理器部署，可以在主板上，也可以在處理器基板上。這種近距離布置不僅可最大限度降低 PDN 損耗，而且還可減少電源所需的處理器基板 BGA 引腳。

這種架構及其性能都可通過 PRM 及 VTM 中使用的專有拓撲增強。PRM 使用零電壓開關拓撲，而 VTM 則使用專有諧振高頻率正弦振幅轉換器 (SAC) 拓撲。轉換為 PoL 電壓，可使用零電壓和零電流開關。VTM 實際上是一款 DC-DC 變壓器，電壓以 1/K 的比率降低，電流則按 K 因數增加。VTM也叫電流倍增器，是一種高電流密度 PoL 轉換器。（新產品目前可達到 2A/mm2。）它可緊挨著處理器布置，因為它采用創新 ChiP 封裝技術并支持高密度集成磁組件。

這種水平的高電流密度可為設計人員提供極大的靈活性。工程師可根據處理器電流，在橫向供電或縱向供電（LPD 及 VPD）之間做出選擇。在 LPD 中，電流倍增器布置在 AI 處理器的幾毫米范圍內，可在同一個基板上，也可以直接在主板上，從而可將 PDN 電阻降至大約 50μΩ。

縱向供電 (VPD) 可進一步消除配電損耗及 VR PCB 板面占用。VPD 與 Vicor LPD 解決方案類似，在電流倍增器或 GCM 模塊中增加了對旁路電容的集成。

為了進一步提高性能，VPD 將電流倍增器移到了處理器的正下方，在那里其輸出功率引腳位圖與其上方的處理器電源引腳的間距和位置非常吻合。此外，電流倍增器封裝還集成高頻率大容量電容器，其一般位于主板或基板上的處理器的正下方。這種電流倍增器叫齒輪傳動電流倍增器(GCM)。VPD 可將 PDN 電阻降至令人難以置信的5 至 7μΩ，從而可幫助 AI 處理器實現其真正的性能。

對于如此復雜的電源問題，一個整體的設計方法才能確保獲得成功的高性能結果。需要對架構、拓撲以及封裝進行創新，才能解決最艱巨的電源挑戰。提高 PDN 的電壓，可解決大量系統性能挑戰。降低 PDN 電阻是開啟新一代 HPC 電源大門、兌現 AI 承諾的關鍵。