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摘要：本文提供3.5GHz無線本地環路(WLL)收發信機射頻芯片的框圖。MAX2645 SiGe低噪聲放大器(LNA)提供25dB數字邏輯控制的增益步進。MAX2684可從1GHz上變頻或者下變頻到1GHz中頻。MAX2620是一款具有雙緩沖輸出的壓控振蕩器(VCO)。VCO緩沖放大器MAX2472和MAX2473具有高的反向隔離度以及保持諧波分量在-25dBc。
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MAX2645射頻芯片具有邏輯電平增益控制，可提供25dB步進衰減，這樣可以改善在高輸入信號電平情況下的IIP3性能。供電電流從高增益模式的9mA減少至3mA的低增益模式。LNA也具有邏輯控制關斷模式，供電電流可減少至小于0.1µA。請參考快速瀏覽MAX2645數據資料SiGe LNA獲取更詳細的信息。
MAX2683/MAX2684射頻芯片具有內部可調的偏置控制，可用單個電阻設置，允許用戶在供電電流與線性之間折衷以優化系統的性能。這兩款射頻芯片是用雙平衡的Gilbert單元結構，具有單端RF和LO輸入以及差分集電極開路的IF輸出端口。差分IF端口為單端或者差分應用提供寬帶、靈活的接口。
MAX2683/MAX2684射頻芯片工作電壓為單電源+2.7V至+5.5V。為了在3.5GHz工作獲得最佳性能，這兩款芯片采用16引腳、具有裸露焊盤的TSSOP-EP封裝。請參考快速瀏覽MAX2683/MAX2684數據資料獲取詳細信息。
MAX2680/MAX2681/MAX2682射頻芯片工作電壓為單電源+2.7V至+5.5V，可使用3節NiCd電池組或者單節鋰離子電池供電。這三款射頻芯片提供寬范圍的供電電流和輸入交調(IIP3)電平值用于優化系統性能。另外，每款芯片具有低功耗關斷模式，在關斷模式中工作電流典型值低于0.1µA。參考MAX2680/MAX2681/MAX2682數據資料獲取IIP3和工作電流的性能資料。
MAX2680/MAX2681/MAX2682射頻芯片使用高頻、低噪聲、先進的SiGe工藝生產，采用節省空間的6引腳SOT23封裝。
MAX2690具有差分IF端口，提供良好的線性和低的本振泄漏，同時也與使用差分中頻濾波器的應用(比如CDMA蜂窩電話)兼容。混頻器噪聲系數在900MHz上為10dB。
MAX2690在VCC = 3V時消耗16mA電流，可使用+2.7V至+5.5V電源工作。邏輯控制關斷模式減小供電電流至1µA，因此適用于使用電池工作的設備。這款芯片采用微型10引腳µMAX封裝。請參考快速瀏覽MAX2680/MAX2681/MAX2682數據資料獲取詳細的信息。
這幾款射頻芯片提供寬范圍的供電電流和輸出交調電平值用于優化系統性能。供電電流在指定的電壓范圍內為常量。另外每款芯片均具有關斷模式，在該模式中工作電流典型值低于1mA。
MAX2660/MAX2661/MAX2663/MAX2671射頻芯片采用節省空間的6引腳SOT23封裝。需要平衡IF端口的應用可以選擇8引腳µMAX封裝的MAX2673。請參考快速瀏覽MAX2660/MAX2661/MAX2663/MAX2671/MAX2673數據資料獲取詳細信息。
調諧電路的電感與變容二極管片內集成，極大地簡化了芯片的應用。另外，振蕩器中心頻率以及頻率范圍在出廠時預置以保證相對控制電壓的頻率范圍。外部調諧電壓控制振蕩器頻率。輸出信號經過放大器緩沖(僅使用電容便可匹配到50Ω)以便提供更高的輸出功率以及使芯片與負載阻抗變化隔離。
MAX2622/MAX2623/MAX2624可使用+2.7V至+3.3V電源工作，僅需要9mA供電電流。在關斷模式，供電電流減少至0.1µA。請參考快速瀏覽MAX2622/MAX2623/MAX2624數據資料獲取詳細信息。
MAX2472/MAX2473射頻芯片均可使用+2.7V至+5.5V電源工作。VCC = +3.0V和-25dBm輸入功率時，MAX2472消耗5.2mA電流，而MAX2473僅消耗2.7mA電流。這兩款射頻芯片均采用節省空間的微型6引腳SOT23封裝。請參考快速瀏覽MAX2472/MAX2473數據資料獲取詳細的信息。
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MAX2645：3.4GHz至3.8GHz SiGe低噪聲放大器/PA前置驅動器/VCO緩沖器
MAX2645是一款功能多樣的、低噪聲、高線性放大器，設計用于3.4GHz至3.8GHz無線本地環路(WLL)、無線寬帶接入和數字微波無線應用。這款射頻芯片具有一個外部可調的偏置控制，可使用一個電阻設置，允許用戶在減小電流消耗的同時并滿足最低的線性度要求。該射頻芯片的高增益、低噪聲性能以及可調的輸入三階交調點(IIP3)性能可用作接收機中的低噪聲放大器LNA、高IP3放大器、發射機中的PA前級驅動器或者本振(LO)緩沖器。MAX2645射頻芯片具有邏輯電平增益控制，可提供25dB步進衰減，這樣可以改善在高輸入信號電平情況下的IIP3性能。供電電流從高增益模式的9mA減少至3mA的低增益模式。LNA也具有邏輯控制關斷模式，供電電流可減少至小于0.1µA。請參考快速瀏覽MAX2645數據資料SiGe LNA獲取更詳細的信息。
| Application Circuit |
Supply Current (mA) |
Gain (dB) |
Noise Figure (dB) |
Input IP3 (dBm) | ||||
|
High Gain Mode |
Low Gain Mode |
High Gain Mode |
Low Gain Mode |
High Gain Mode |
Low Gain Mode |
High Gain Mode |
Low Gain Mode | |
| Low NF LNA |
9.2 |
2.7 |
14.4 |
-9.7 |
2.3 |
15.5 |
+4 |
+13 |
| High IIP3 LNA |
9.2 |
2.7 |
14.9 |
-10.7 |
2.6 |
16 |
+10.0 |
+15.5 |
| PA Predriver |
12 |
3.6 |
15.2 |
-9.7 |
2.6 |
16 |
+11.8 |
+16.2 |
MAX2683/MAX2684：3.5GHz下變頻器和上變頻器，均具有可選擇的LO倍頻器
MAX2683/MAX2684是專用于3.4GHz至3.8GHz頻段無線本地環路和數字微波無線(DMR)應用的超高性能、低成本射頻芯片。MAX2683優化為下變頻到100MHz至400MHz的中頻，允許高端和低端的本振(LO)注入。MAX2684優化為變頻到800MHz至1000MHz的中頻，允許低端本振注入。邏輯電平控制可使能兩款芯片內部的倍頻器，這樣允許外部的本振信號源工作在全頻率或者1/2頻率上。內置本振濾波器可減少LO諧波分量和雜波混頻。請參考應用筆記"MAX2683低成本高性能3.5GHz上變頻器"中MAX2683/MAX2684作為上變頻器的性能和應用信息。MAX2683/MAX2684射頻芯片具有內部可調的偏置控制，可用單個電阻設置，允許用戶在供電電流與線性之間折衷以優化系統的性能。這兩款射頻芯片是用雙平衡的Gilbert單元結構，具有單端RF和LO輸入以及差分集電極開路的IF輸出端口。差分IF端口為單端或者差分應用提供寬帶、靈活的接口。
MAX2683/MAX2684射頻芯片工作電壓為單電源+2.7V至+5.5V。為了在3.5GHz工作獲得最佳性能，這兩款芯片采用16引腳、具有裸露焊盤的TSSOP-EP封裝。請參考快速瀏覽MAX2683/MAX2684數據資料獲取詳細信息。
MAX2680/MAX2681/MAX2682/MAX2690：400MHz至2.5GHz低噪聲(SiGe)下變頻器
MAX2680/MAX2681/MAX2682/MAX2690微型的、低成本、低噪聲下變頻器設計用于低電壓工作，非常適合在手提通信設備中使用。射頻輸出端口信號通過雙平衡混頻器與本振(LO)端口的信號相混頻。這四款下變頻器射頻輸入頻率可工作在400MHz至2500MHz，下變頻到10MHz至500MHz的中頻輸出頻率。MAX2680/MAX2681/MAX2682射頻芯片工作電壓為單電源+2.7V至+5.5V，可使用3節NiCd電池組或者單節鋰離子電池供電。這三款射頻芯片提供寬范圍的供電電流和輸入交調(IIP3)電平值用于優化系統性能。另外，每款芯片具有低功耗關斷模式，在關斷模式中工作電流典型值低于0.1µA。參考MAX2680/MAX2681/MAX2682數據資料獲取IIP3和工作電流的性能資料。
MAX2680/MAX2681/MAX2682射頻芯片使用高頻、低噪聲、先進的SiGe工藝生產，采用節省空間的6引腳SOT23封裝。
MAX2690具有差分IF端口，提供良好的線性和低的本振泄漏，同時也與使用差分中頻濾波器的應用(比如CDMA蜂窩電話)兼容。混頻器噪聲系數在900MHz上為10dB。
MAX2690在VCC = 3V時消耗16mA電流，可使用+2.7V至+5.5V電源工作。邏輯控制關斷模式減小供電電流至1µA，因此適用于使用電池工作的設備。這款芯片采用微型10引腳µMAX封裝。請參考快速瀏覽MAX2680/MAX2681/MAX2682數據資料獲取詳細的信息。
MAX2660/MAX2661/MAX2663/MAX2671/MAX2673：400MHz至2.5GHz上變頻器
MAX2660/MAX2661/MAX2663/MAX2671/MAX2673微型、低成本、低噪聲上變頻器設計用于低電壓工作，適用于手提消費類設備中。IF輸入端口信號通過雙平衡混頻器與本振端口信號混頻。這幾款上變頻器中頻輸入頻率可工作在40MHz至500MHz之間，上變頻到輸出頻率2.5GHz。這幾款射頻芯片提供寬范圍的供電電流和輸出交調電平值用于優化系統性能。供電電流在指定的電壓范圍內為常量。另外每款芯片均具有關斷模式，在該模式中工作電流典型值低于1mA。
MAX2660/MAX2661/MAX2663/MAX2671射頻芯片采用節省空間的6引腳SOT23封裝。需要平衡IF端口的應用可以選擇8引腳µMAX封裝的MAX2673。請參考快速瀏覽MAX2660/MAX2661/MAX2663/MAX2671/MAX2673數據資料獲取詳細信息。
MAX2620：10MHz至1050MHz帶有緩沖輸出的VCO
MAX2620 VCO在低噪聲振蕩器內集成了兩個輸出緩沖器，采用低成本、塑料表貼、超小µMAX封裝。這款芯片集成了分立器件可實現的功能。當與外部變容管調諧的諧振回路諧振時振蕩器可表現出非常低的相位噪聲。兩個緩沖輸出可驅動混頻器或者預分頻器。緩沖器提供負載與振蕩器之間隔離，并且防止因為負載阻抗變化時振蕩器頻率的牽引。在工作(VCC = 3.0V)時功耗典型值僅為27mW，待機模式下降至0.3µW。MAX2620可工作與單電源電壓+2.7V至+5.25V。請參考快速瀏覽MAX2620數據資料獲取詳細信息。MAX2622/MAX2623/MAX2624：單片壓控振蕩器(VCO)
MAX2622/MAX2623/MAX2624內部包含壓控振蕩器(VCO)，在微型的8引腳µMAX封裝中將一個集成振蕩器和輸出緩沖器結合在一起。調諧電路的電感與變容二極管片內集成，極大地簡化了芯片的應用。另外，振蕩器中心頻率以及頻率范圍在出廠時預置以保證相對控制電壓的頻率范圍。外部調諧電壓控制振蕩器頻率。輸出信號經過放大器緩沖(僅使用電容便可匹配到50Ω)以便提供更高的輸出功率以及使芯片與負載阻抗變化隔離。
MAX2622/MAX2623/MAX2624可使用+2.7V至+3.3V電源工作，僅需要9mA供電電流。在關斷模式，供電電流減少至0.1µA。請參考快速瀏覽MAX2622/MAX2623/MAX2624數據資料獲取詳細信息。
MAX2472/MAX2473：500MHz至2500MHz VCO緩沖放大器
MAX2472/MAX2473射頻芯片為功能多樣的、寬帶、高反向隔離緩沖放大器。MAX2472具有雙集電極開路輸出，能夠為50Ω提供-5dBm功率，同時保證諧波抑制低于-25dBc。MAX2473具有單端集電極開路輸出，偏置控制引腳提供-10dBm至-2dBm功率，同時保持低于-25dBc的諧波抑制。MAX2472/MAX2473結合了高反向隔離和低工作電流特點，適用于需要低功耗、高性能的應用。射頻芯片具有高輸入阻抗和集電極開路輸出，配置靈活多變，可使用在各種結構的振蕩器中。MAX2472/MAX2473射頻芯片均可使用+2.7V至+5.5V電源工作。VCC = +3.0V和-25dBm輸入功率時，MAX2472消耗5.2mA電流，而MAX2473僅消耗2.7mA電流。這兩款射頻芯片均采用節省空間的微型6引腳SOT23封裝。請參考快速瀏覽MAX2472/MAX2473數據資料獲取詳細的信息。
µMAX是Maxim Integrated Products, Inc.的注冊商標。
更多射頻芯片
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10MHz至500MHz、VCO緩沖放大器，差分輸出 | |
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10MHz至500MHz、VCO緩沖放大器，差分輸出 | |
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單片壓控振蕩器 | |
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單片壓控振蕩器 | |
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3.4GHz至3.8GHz、 SiGe低噪聲放大器/PA前置驅動器 | |
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400MHz至2.5GHz上變頻器 | |
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400MHz至2.5GHz上變頻器 | |
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400MHz至2.5GHz上變頻器 | |
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400MHz至2.5GHz上變頻器 | |
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400MHz至2.5GHz上變頻器 | |
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400MHz至2.5GHz、低噪聲、SiGe下變頻混頻器 | |
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400MHz至2.5GHz、低噪聲、SiGe下變頻混頻器 | |
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400MHz至2.5GHz、低噪聲、SiGe下變頻混頻器 | |
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3.5GHz下變頻混頻器，可選的LO倍頻器 | |
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3.5GHz下變頻混頻器，可選的LO倍頻器 | |
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低噪聲、2.5GHz下變頻混頻器 |
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