摘要:本篇應用筆記介紹如何調整DS3151、DS3152、DS3153和DS3154的脈沖波形。盡管DS315x的信號脈沖總是滿足規范要求的,但有時候,這種脈沖形狀并不恰好是客戶最想要的。本應用筆記介紹如何在T3、E3與STS-1模式中調整脈沖的寬度與幅值,以及如何在T3與STS-1模式中調整脈沖的波形。所有這些都可通過改變內部測試寄存器的值來實現。本應用筆記中示例的示波器波形由DS3154DK設計套件測試獲得。
圖1. 典型的E3與T3發送脈沖
圖1所示為不使用測試寄存器的情況下,E3與T3模式下的發送脈沖波形。在E3、T3或STS-1模式下,該脈沖的寬度與幅值可以通過改變測試寄存器的值進行調整,這些測試寄存器的地址為,0Ah對應線路接口單元(LIU)端口1,1Ah對應LIU端口2,2Ah對應LIU端口3,3Ah對應LIU端口4。
缺省情況下,E3模式的LIU使用11級DLL,且TLBO被忽略。在T3和STS-1模式中,TLBO = 1時LIU使用11級DLL,TLBO = 0時使用12級DLL。
E3模式中,如果我們想減小脈沖寬度,可以設定0Ah、1Ah、2Ah和3Ah寄存器(分別對應于LIU端口1、2、3和4)的值為02h,強制LIU工作于12級DLL。圖2顯示了E3脈沖從典型的脈沖波形到更窄的脈沖波形的轉變。
在T3與STS-1模式中,當TLBO = 0時,LIU采用12級DLL。為了增大脈沖寬度,我們可以設定0Ah、1Ah、2Ah和3Ah寄存器(分別對應于LIU端口1、2、3和4)的值為01h,強制LIU工作于11級DLL。圖3顯示了T3脈沖寬度從典型值到更寬脈沖的轉變。
圖2. 典型E3脈沖與采用12級DLL時更窄的E3脈沖
圖3. TLBO = 0時,采用12級DLL的典型T3脈沖與使用11級DLL時更寬的T3脈沖
同樣,在T3與STS-1模式中,當TLBO = 1時,LIU使用11級DLL。為了減小脈沖寬度,我們可以設定0Ah、1Ah、2Ah和3Ah寄存器(分別對應于LIU端口1、2、3和4)的值為02h,強制LIU工作于12級DLL。圖4顯示了T3脈沖寬度從典型值到更窄脈沖的轉變。
圖4. TLBO = 1時,采用11級DLL的典型T3脈沖與使用12級DLL時更窄的T3脈沖
圖5. 典型的E3脈沖與幅值增加2%后的脈沖(測試寄存器設置為08h)
當測試寄存器地址0Ah、1Ah、2Ah和3Ah的值被設置為10h時,對應的LIU端口1、2、3和4的幅值將增加4%。圖6顯示了幅值增加4%前后的E3脈沖。
圖6. 典型的E3脈沖與幅值增加4%后的脈沖(測試寄存器設置為10h)
當測試寄存器地址0Ah、1Ah、2Ah和3Ah的值被設置為20h時,對應的LIU端口1、2、3和4的幅值將增加8%。圖7顯示了幅值增加8%前后的E3脈沖。
圖7. 典型的E3脈沖與幅值增加8%后的脈沖(測試寄存器設置為20h)
當測試寄存器地址0Ah、1Ah、2Ah和3Ah的值被設置為40h時,對應的LIU端口1、2、3和4的幅值將降低8%。圖8顯示了幅值降低8%前后的E3脈沖。
圖8. 典型的E3脈沖與幅值降低8%后的脈沖(測試寄存器設置為40h)
數值10h使LIU的幅值增加4%,數值20h使LIU的幅值增加8%。二者相加后的30h (10h+20h),會使LIU的脈沖幅值增加12%。選擇50h (10h+40h)會使幅值減小4%。圖9顯示了幅值降低4%前后的E3脈沖。建議不要使用數值60h,因為它會增大幅度直至限流器被觸發。
圖9. 典型的E3脈沖與幅值降低4%后的脈沖(測試寄存器設置為50h)
圖10. 被分成12段的典型T3脈沖
當寄存器地址0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的值被設置為01h時,第3段的寬度將增加350ps。這樣1到4段的總寬度增加350ps。脈沖幅度也同時增加。而脈沖第9、10段的下沖量也減小了。圖11顯示了一個典型的T3脈沖,以及向地址為0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的測試寄存器寫入01h后脈沖的變化情況。
圖11. 典型的T3脈沖及其在設置測試寄存器為01h時同一脈沖內的變化
當寄存器地址0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的值被設置為81h時,第2段和第3段分別加寬350ps。這樣1到4段的總寬度增加700ps。脈沖幅度也同時增加。而脈沖第9、10段的下沖量也比我們將寄存器設為01h時更小了。圖12顯示了一個典型的T3脈沖,以及向地址為0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的測試寄存器寫入81h后脈沖的變化情況。
圖12. 典型的T3脈沖及其在設置測試寄存器為81h時同一脈沖內的變化
當寄存器地址0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的值被設置為02h時,第4段的寬度將增加350ps。這樣1到4段的總寬度增加350ps。脈沖幅度不增加。第9和10段的下沖減小,但減小量不如我們設置寄存器值為01h時那樣大。圖13顯示了一個典型的T3脈沖,以及向地址為0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的測試寄存器寫入02h后脈沖的變化情況。
圖13. 典型的T3脈沖及其在設置測試寄存器為02h時同一脈沖內的變化
當寄存器地址0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的值被設置為04h時,第5段的寬度增加350ps。這樣5到8段的總寬度增加350ps。脈沖幅度沒有減小。第9和10段的下沖有所增加。圖14顯示了一個典型的T3脈沖,以及向地址為0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的測試寄存器寫入04h后脈沖的變化情況。
圖14. 典型的T3脈沖及其在設置測試寄存器為04h時同一脈沖內的變化
當寄存器地址0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的值被設置為08h時,第7段的寬度增加350ps。這樣5到8段的總寬度增加350ps。脈沖幅度略有降低。第9和10段的下沖比寄存器為04h時增加更多。圖15顯示了一個典型的T3脈沖,以及向地址為0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的測試寄存器寫入08h后脈沖的變化情況。
圖15. 典型的T3脈沖及其在設置測試寄存器為08h時同一脈沖內的變化
當寄存器地址0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的值被設置為88h時,第6段和第7段的寬度各增加350ps。這樣5到8段的總寬度增加700ps。脈沖幅度也有降低。第9和10段的下沖量比寄存器設為08h時更有增加。圖16顯示了一個典型的T3脈沖,以及向地址為0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的測試寄存器寫入88h后脈沖的變化情況。
圖16. 典型的T3脈沖及其在設置測試寄存器為88h時同一脈沖內的變化
引言
本篇應用筆記介紹如何調整DS3151、DS3152、DS3153和DS3154 (DS315x)的脈沖波形。盡管DS315x的信號脈沖總是滿足規范要求的,但有時候,這種脈沖形狀并不恰好是客戶最想要的。本應用筆記介紹如何在T3、E3與STS-1模式中調整脈沖的寬度與幅值,以及如何在T3與STS-1模式中調整脈沖的波形。所有這些都可通過改變內部測試寄存器的值來實現。本應用筆記中示例的示波器波形由DS3154DK設計套件測試獲得。圖1. 典型的E3與T3發送脈沖
圖1所示為不使用測試寄存器的情況下,E3與T3模式下的發送脈沖波形。在E3、T3或STS-1模式下,該脈沖的寬度與幅值可以通過改變測試寄存器的值進行調整,這些測試寄存器的地址為,0Ah對應線路接口單元(LIU)端口1,1Ah對應LIU端口2,2Ah對應LIU端口3,3Ah對應LIU端口4。
在E3、T3或STS-1模式下調整發送脈沖的寬度
LIU可以使用11級延遲鎖相環(DLL)電路或12級DLL電路。DLL中的級數越多,脈沖寬度越窄,反之亦然。將地址為0Ah、1Ah、2Ah和3Ah的寄存器(分別對應于LIU端口1、2、3和4)設置為01h,LIU將使用11級DLL電路。將地址為0Ah、1Ah、2Ah和3Ah的測試寄存器設置為02h,LIU將使用12級DLL電路。缺省情況下,E3模式的LIU使用11級DLL,且TLBO被忽略。在T3和STS-1模式中,TLBO = 1時LIU使用11級DLL,TLBO = 0時使用12級DLL。
E3模式中,如果我們想減小脈沖寬度,可以設定0Ah、1Ah、2Ah和3Ah寄存器(分別對應于LIU端口1、2、3和4)的值為02h,強制LIU工作于12級DLL。圖2顯示了E3脈沖從典型的脈沖波形到更窄的脈沖波形的轉變。
在T3與STS-1模式中,當TLBO = 0時,LIU采用12級DLL。為了增大脈沖寬度,我們可以設定0Ah、1Ah、2Ah和3Ah寄存器(分別對應于LIU端口1、2、3和4)的值為01h,強制LIU工作于11級DLL。圖3顯示了T3脈沖寬度從典型值到更寬脈沖的轉變。
圖2. 典型E3脈沖與采用12級DLL時更窄的E3脈沖
圖3. TLBO = 0時,采用12級DLL的典型T3脈沖與使用11級DLL時更寬的T3脈沖
同樣,在T3與STS-1模式中,當TLBO = 1時,LIU使用11級DLL。為了減小脈沖寬度,我們可以設定0Ah、1Ah、2Ah和3Ah寄存器(分別對應于LIU端口1、2、3和4)的值為02h,強制LIU工作于12級DLL。圖4顯示了T3脈沖寬度從典型值到更窄脈沖的轉變。
圖4. TLBO = 1時,采用11級DLL的典型T3脈沖與使用12級DLL時更窄的T3脈沖
在E3、T3或STS-1模式中調整發送脈沖的幅值
通過設定DS315x中地址為0Ah、1Ah、2Ah和3Ah的測試寄存器的值,我們可以增加或降低E3、T3和STS-1模式發送脈沖的幅度。當寄存器地址0Ah、1Ah、2Ah和3Ah的值被設為08h時,對應的LIU端口1、2、3和4的幅值將增加2%。圖5顯示了幅值增加2%前后的E3脈沖。圖5. 典型的E3脈沖與幅值增加2%后的脈沖(測試寄存器設置為08h)
當測試寄存器地址0Ah、1Ah、2Ah和3Ah的值被設置為10h時,對應的LIU端口1、2、3和4的幅值將增加4%。圖6顯示了幅值增加4%前后的E3脈沖。
圖6. 典型的E3脈沖與幅值增加4%后的脈沖(測試寄存器設置為10h)
當測試寄存器地址0Ah、1Ah、2Ah和3Ah的值被設置為20h時,對應的LIU端口1、2、3和4的幅值將增加8%。圖7顯示了幅值增加8%前后的E3脈沖。
圖7. 典型的E3脈沖與幅值增加8%后的脈沖(測試寄存器設置為20h)
當測試寄存器地址0Ah、1Ah、2Ah和3Ah的值被設置為40h時,對應的LIU端口1、2、3和4的幅值將降低8%。圖8顯示了幅值降低8%前后的E3脈沖。
圖8. 典型的E3脈沖與幅值降低8%后的脈沖(測試寄存器設置為40h)
數值10h使LIU的幅值增加4%,數值20h使LIU的幅值增加8%。二者相加后的30h (10h+20h),會使LIU的脈沖幅值增加12%。選擇50h (10h+40h)會使幅值減小4%。圖9顯示了幅值降低4%前后的E3脈沖。建議不要使用數值60h,因為它會增大幅度直至限流器被觸發。
圖9. 典型的E3脈沖與幅值降低4%后的脈沖(測試寄存器設置為50h)
在T3或STS-1模式中調節發送波形的定時
在T3或STS-1模式下,發送波形的定時可以通過改變測試寄存器的值來調整,這些測試寄存器的地址為,0Bh對應LIU端口1,1Bh對應LIU端口2,2Bh對應LIU端口3,3Bh對應LIU端口4。圖10給出了一個典型的T3脈沖。為了說明LIU端口1地址0Bh、LIU端口2地址1Bh、LIU端口3地址3Bh、LIU端口4地址3Bh寄存器的數據變化對T3或STS-1脈沖的影響,我們將T3脈沖分為12段。圖10. 被分成12段的典型T3脈沖
當寄存器地址0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的值被設置為01h時,第3段的寬度將增加350ps。這樣1到4段的總寬度增加350ps。脈沖幅度也同時增加。而脈沖第9、10段的下沖量也減小了。圖11顯示了一個典型的T3脈沖,以及向地址為0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的測試寄存器寫入01h后脈沖的變化情況。
圖11. 典型的T3脈沖及其在設置測試寄存器為01h時同一脈沖內的變化
當寄存器地址0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的值被設置為81h時,第2段和第3段分別加寬350ps。這樣1到4段的總寬度增加700ps。脈沖幅度也同時增加。而脈沖第9、10段的下沖量也比我們將寄存器設為01h時更小了。圖12顯示了一個典型的T3脈沖,以及向地址為0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的測試寄存器寫入81h后脈沖的變化情況。
圖12. 典型的T3脈沖及其在設置測試寄存器為81h時同一脈沖內的變化
當寄存器地址0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的值被設置為02h時,第4段的寬度將增加350ps。這樣1到4段的總寬度增加350ps。脈沖幅度不增加。第9和10段的下沖減小,但減小量不如我們設置寄存器值為01h時那樣大。圖13顯示了一個典型的T3脈沖,以及向地址為0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的測試寄存器寫入02h后脈沖的變化情況。
圖13. 典型的T3脈沖及其在設置測試寄存器為02h時同一脈沖內的變化
當寄存器地址0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的值被設置為04h時,第5段的寬度增加350ps。這樣5到8段的總寬度增加350ps。脈沖幅度沒有減小。第9和10段的下沖有所增加。圖14顯示了一個典型的T3脈沖,以及向地址為0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的測試寄存器寫入04h后脈沖的變化情況。
圖14. 典型的T3脈沖及其在設置測試寄存器為04h時同一脈沖內的變化
當寄存器地址0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的值被設置為08h時,第7段的寬度增加350ps。這樣5到8段的總寬度增加350ps。脈沖幅度略有降低。第9和10段的下沖比寄存器為04h時增加更多。圖15顯示了一個典型的T3脈沖,以及向地址為0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的測試寄存器寫入08h后脈沖的變化情況。
圖15. 典型的T3脈沖及其在設置測試寄存器為08h時同一脈沖內的變化
當寄存器地址0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的值被設置為88h時,第6段和第7段的寬度各增加350ps。這樣5到8段的總寬度增加700ps。脈沖幅度也有降低。第9和10段的下沖量比寄存器設為08h時更有增加。圖16顯示了一個典型的T3脈沖,以及向地址為0Bh、1Bh、2Bh和3Bh的測試寄存器寫入88h后脈沖的變化情況。
圖16. 典型的T3脈沖及其在設置測試寄存器為88h時同一脈沖內的變化
評論
查看更多