LDO的以下幾個參數在手機設計中特別重要：

　　LDO的穩定性與瞬態響應。由于負載電流動態變化大，要求LDO的穩定性與瞬態響應性能好，否則導致系統工作異常。

　　PSRR參數。PSRR參數直接影響射頻模塊部分地接收靈敏度。如果用在音頻部分，能夠抑制手機中的EMI干擾，使聲音的表現力更好。

　　LDO的輸出噪聲。這直接關系到輸出電源的干凈與否。

　　LDO的啟動時間。啟動時間跟系統設計的上電時序息息相關，直接影響系統的工作與否。

　　LDO 推薦的PCB設計。在設計過程中，需要將輸入電容Cin與輸出電容Cout盡量靠近LDO。在LDO的應用中，熱設計往往是一個容易忽視的地方，需要考慮不同功率情況下選用合適的封裝，常見的有三種，SC70、SOT23和DFN-6。以射頻模塊部分供電為例，SC70封裝，本身允許散熱功率通常在0.2W以內：

　　PD=（Vin-Vout）*Iout+Vin*Ignd 《0.2W

　　Vin=Vbattery=3.6V以上，Vout通常是2.8V，如果電流超過250mA會導致不穩定，而SOT23的封裝允許散熱在0.4W左右，更加適合該部分的應用。如果從芯片尺寸考慮，可以選用DFN封裝，可以兼顧散熱要求（PD》0.4W）。

　　SG MICRO（圣邦微電子）作為新興的半導體供應商，也推出了一系列的LDO產品：通用LDO（三端穩壓），射頻LDO（PSRR可以達到73DB@1kHZ），高精度LDO（滿負載0~300mA，全溫度范圍-40~125℃，精度1.6%）。以射頻LDO SGM2007為例，輸出噪聲為30μVrms，輸出壓差為300mV（全溫度范圍，全負載0-300mA），靜態功耗低至77μA，關斷電流小于10nA，PSRR在1kHz時為73db，216.67Hz為78dB。LDO SGM2007具有過熱保護和過流保護功能，啟動時間在20μS以內。