轉變，不少專注GaN器件的Fabless公司正在 有著越來越大的影響力。 ? 器件設計 GaN器件設計根據類型我們可以分為三個部分，分別是：射頻、功率和光電子，這次主要關注的是射頻以及功率方面的應用。 ? ? GaN射頻器件設計 GaN射頻器件主要可以分為三種：大
2022-07-18 01:59:45
4002 的功率密度。整板重量不足 230g。在穩定的 950kHz 開關頻率下，可達到 97.6% 的峰值效率。 主要特色390V - 48V/1kW 高頻諧振轉換器諧振頻率為 950kHz，重量小于 210g
2018-10-26 10:32:18
使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應用提供功率。GaN更優的開關能力意味著它可以用更少的器件更有效地轉換更高水平的功率，如圖1所示。GaN半導體能夠在交流/直流供電
2022-11-07 06:26:02
硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設計的支柱。雖然它們仍然被廣泛使用，但是在一些新設計中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術的最新發展，以及改進的GaN器件和驅動器電路
2017-05-03 10:41:53
效率耐高溫，允許使用較小的散熱器高度集成，允許在芯片上集成GaN HEMT（與硅材料不同）較少BOM材料，簡化設計方案，在電機驅動方案中GaN HEMT可以處理各種電流，而不需要IGBT所需的反向二極管
2019-07-16 00:27:49
GaN在單片功率集成電路中的工業應用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
我想大多數聽眾都已經了解了GaN在開關速度方面的優勢，及能從這些設備中獲得的利益。縮小功率級極具吸引力，而更高的帶寬則更是錦上添花。電力工程師已考慮在正在開發的解決方案中使用GaN這一材料。既然如此
2022-11-16 08:05:34
所示），以證明GaN用于硬開關時完全合格。我們還在實際工作條件下運行部件，以確定并修復新發現的現場故障機制。這使我們能證明GaN在電源轉換應用中是可靠的。圖1：符合JEDEC標準的測試工具適用于感應開關
2018-09-10 14:48:19
。碳化硅與Si相比，SiC具有： 1.導通電阻降低兩個數量級2.電源轉換系統中的功率損耗較少3.更高的熱導率和更高的溫度工作能力4.由于其物理特性固有的材料優勢而提高了性能 SiC在600 V和更高
2022-08-12 09:42:07
。GaN器件尤其在高頻高功率的應用領域體現了其獨特的優勢，其中，針對GaN功率器件的性能特點，該器件可被用于適配器、DC-DC轉換、無線充電、激光雷達等應用場合。
圖1 半導體材料特性對比
傳統的D類
2023-06-25 15:59:21
”就是把手機收起來的意思；最后，我們終于可以起飛了。我們的行業發言人已經宣布，“GaN已經為黃金時間做好了準備。”這個聲明似乎預示著GaN已經為廣泛使用做好準備，或者說在大量的應用中，已經可以使用GaN
2018-09-06 15:31:50
產生過度加熱部位和過度烹飪的結果。烹飪應用中的射頻能量在固體器件中，射頻的頻率、振幅、相位、脈沖寬度和調制度全部可以進行精確的控制。通過對射頻功率放大器和射頻合成器之間的閉環控制，其反饋回路能夠對射頻
2017-04-05 10:56:33
固態子系統在這種微波爐的應用中，其固態射頻發生器這種子系統應包括以下組成單元︰處于單片機同一位置的小信號發生器附有熱沉的大功率放大器功率電源此系統的框圖如上圖所示。“射頻輸出”通過 RF 發射頭進入
2017-04-06 16:50:08
本帖最后由 刺客508 于 2017-4-18 15:03 編輯
可靠性和成本效益比較長的工作壽命在烹飪和加熱應用中，射頻功率晶體管具有比磁控管長得多的工作壽命。磁控管典型的總工作壽命一般為
2017-04-17 18:19:05
的80%。除了在常規波爐中應用以外，這種射頻能量器件所具有的緊湊外形尺寸，將會產生大量創新應用的機遇。例如在亞洲，電飯煲具有無處不在需求，固體器件可以應用于較小外形尺寸的新型桌上型炊具中，其他具有創新性理念的應用還包括有車內使用的迷你型微波爐，或徒步旅行者和游客使用的緊湊型炊具等。
2017-04-18 15:02:44
效率、緊湊尺寸和可靠性等方面取得恰當的平衡，在價格上能與 LDMOS器件相媲美，才能進入到主流的市場應用中。固態器件的優勢MACOM公司的硅上GaN 技術是所有這些射頻能量應用的理想選擇，它能
2017-05-01 15:47:21
— 價格和效率抑制了增長在上世紀70 年代早期，磁控管首先在微波爐中進入了廣泛的商業應用，但整個射頻能量市場的發展相對還比較緩慢。如今，已經有了各種各樣的應用，包括在工業和消費的烹飪、干燥、照明
2017-04-05 10:50:35
上要優于傳統的磁控管，包括在烹調過程中能對爐內的射頻功率電平和射頻能量投射方向進行更高的精度的控制。而今的微波爐對其功率電平或射頻能量的投射方向缺乏必要的有效控制能力，這將導致產生過度加熱部位和過度烹飪的結果。那么大家知道GaN是如何轉換射頻能量的？如何在烹飪中的應用的嗎？
2019-07-31 06:04:54
晶體管與其驅動器集成在一起（圖1b）可以消除共源電感，并且極大降低驅動器輸出與GaN柵極之間的電感，以及驅動器接地中的電感。在這篇文章中，我們將研究由封裝寄生效應所引發的問題和限制。在一個集成封裝內
2018-08-30 15:28:30
就可以將更多的主板裝入給定的機架中，最大限度地提高數據中心吞吐量和性能。在圖1所示的典型電信電源系統中，48VDC輸入電壓必須進一步降低到中間母線電壓（在此例中為3.3V），然后用一個或多個降壓
2019-07-29 04:45:02
異步起動永磁同步電動機是怎樣實現自起動的？并網運行的同步發電機是怎樣調節無功功率的？在同步電機中怎樣才能實現機電能量轉換呢？
2021-10-22 09:08:53
`網絡基礎設施與反導雷達等領域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件，這使得市場對于射頻氮化鎵（GaN）器件的需求不斷升溫。舉個例子，現在的無線基站里面，已經開始用氮化鎵器件取代硅基射頻器件，在
2016-08-30 16:39:28
能量采集是實現低功耗電子器件(如無線傳感器)長期免維護工作的一項關鍵技術。通過捕獲環境中的多余能量(如照明、溫差、振動和無線電波(射頻能量))，完全可以讓低功耗電子器件正常工作。在這些微功率能源中
2019-07-04 08:02:48
高速和射頻電路有何差異？什么是射頻電路？隨著頻率的升高，相應的電磁波波長變得可與分立電路元件的尺寸相比擬時，電路上的導線、電阻、電容和電感這些元件的電響應開始偏移其理想頻率特性。一般將射頻定義在30
2019-07-08 08:02:55
Zhang則表示：“與之前的半導體工藝相比，GaN的優勢在更高的功率密度及更高的截止頻率。在5G高集成的Massive MIMO應用中，它可實現高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應用上，GaN
2019-12-20 16:51:12
（包括射頻）用于生物治療的理論基礎。到目前為止,醫用射頻已有近 80 年的歷史, 但射頻在美容整形醫學中的應用是本世紀的事情。1 射頻的作用機制1.1 射頻物理作用射頻設備的分類主要是根據電極的幾何
2021-12-22 14:58:32
能力和相關電路喚醒。直流/直流轉換器的設計面臨著進一步的挑戰。收獲的能量通常以一種難以使用的形式。雖然在一個相對較高的電壓，壓電和靜電收割機通常操作，大多數能量捕獲技術產生的電壓低于1 V為例，小的光
2016-03-01 18:26:40
`現在的原件在進行能量轉換的時候通常伴隨著非常可惜的能量損失，能不能對現有的原件進行行而有效地革新，從而達到節能高效的目的`
2012-07-31 16:15:23
的系統。所有這些任務都必須在極低的電源功率條件下實現，以便系統能夠采用小型采集器或傳感器。這些功能高度集成在DC-DC轉換器中，有助于降低這類任務所需的電能。圖1中的系統顯示了一個用于無線環境傳感器
2018-11-01 10:44:36
Flex電源模塊（Flex Power Modules）宣布推出其DC-DC轉換器系列中的最新型號PKB4216HDPI，旨在用于電信市場領域的射頻功率放大器（RFPA）應用。繼最近推出的750W
2020-10-30 06:17:55
演示測試版，2017年秋季開始供貨MACOM 近日宣布推出一款開發工具包，旨在幫助商業OEM快速、輕松地調整其產品設計，以將基于氮化鎵的射頻能量源融合到烹飪、照明、工業加熱/烘干、醫療/制藥和汽車點火
2017-08-03 10:11:14
材料和裸片焊接方法，有效消除了Si相對SiC在襯底中15%到30%的導熱性差異。Doherty功率放大器結構因為高回退效率而被廣泛采用，但由于其引入非線性失真，會導致信號放大的失真問題。這可以通過數字預
2017-08-30 10:51:37
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
的地方找到用武之地。因為它能夠在保持或提升效率的同時，使電源更小巧。目前，GaN正被設計用于電子電源中，電子電源將電力在交流和直流形式間進行轉換，改變電壓電平，并執行一定的功能來確保潔凈電能的可用性
2018-09-11 14:04:25
設計的生態系統。GaN將在電源密集的地方找到用武之地。因為它能夠在保持或提升效率的同時，使電源更小巧。目前，GaN正被設計用于電子電源中，電子電源將電力在交流和直流形式間進行轉換，改變電壓電平，并執行一定的功能
2018-09-10 15:02:53
認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色！帥呆了！至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN之間有什么區別？
2019-07-31 07:54:41
方形，通過兩個晶格常數（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結構在半導體領域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質基板（射頻應用中為碳化硅[SiC]，電源電子應用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
）。因此，硅注入毫無疑問對ITO和GaN材料之間形成歐姆接觸非常有利。 工作晶體管 為了測試這種方法，我們將透明的源極和漏極歐姆接觸技術應用到了真正的氮化鎵晶體管上，其設計如圖1所示。在這些器件中
2020-11-27 16:30:52
什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰？
2021-05-06 07:52:03
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉換器的最大開關頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實現更高
2022-04-12 11:07:51
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉換器的最大開關頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實現更高
2022-06-14 10:14:18
實現的，該FET具有2.2 mΩ R上額定峰值直流電流為 90 A。兩相設計還降低了電感器所需的額定電流。 圖1： 采用eGaN FET的兩相雙向轉換器的簡化原理圖。 在該設計中，電感值和開關
2023-02-21 15:57:35
。因此，在整個美國，由于服務器用電源轉換造成的總浪費電量為330億千瓦時，這幾乎相當于十幾個發電廠產出的電量。但是，服務器場中浪費的總電量更多，因為通過電源轉換的每瓦功率損耗實際上是被轉換成熱能的能量，而
2018-08-29 15:10:47
符合嚴格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）替代技術。固態射頻能量技術具有從生活消費品到工業、科學和醫療系統及基礎設施的全方位優勢，有望在未來撼動
2018-08-21 10:57:30
對磁控管是個很好地補充和優化。通過使用RF能量代替磁控管，我們可以在微波爐中實現固態、高度可控的烹飪。微波爐內的旋轉盤不需要均勻分配熱量。相反，微波爐可以通過程序設定以不同能量的特定區域，最終產生更徹底
2018-08-06 10:44:39
和電機控制中。他們的接受度和可信度正在逐漸提高。（請注意，基于GaN的射頻功放或功放也取得了很大的成功，但與GaN器件具有不同的應用場合，超出了本文的范圍。）本文探討了GaN器件的潛力，GaN和MOSFET器件的不同，GaN驅動器件成功的關鍵并介紹了減小柵極驅動環耦合噪聲技術。
2019-06-21 08:27:30
GaN PA 設計？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個很好的起點。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設計？
2019-07-31 06:44:26
氮化鎵技術非常適合4.5G或5G系統，因為頻率越高，氮化鎵的優勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
如圖所示，其中Vref=2Vcm,由1轉換到2的開關功耗求出是-0.5Vref^2*C，開關轉換不消耗能量反而產生能量，求大神指導！！我按照能量公式也算出了負的能量，相當于給電壓源充電。是不是可以
2021-06-24 07:29:39
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應用為工業市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫療過程，接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業加熱和干燥。從工業角度
2018-01-18 10:56:28
我們在“日常生活中的微波射頻能量”系列此前的技術知識分享中有提到氮化鎵(GaN)技術在固態烹飪和等離子照明應用中的諸多優勢以及普遍認為的氮化鎵將對商業和工業市場產生變革的影響。在談論突破性的半導體
2017-12-27 10:48:11
固態等離子燈由微波射頻能量供電，等離子體照明通常也稱為發光等離子體(LEP)，正快速發展成為主流技術，即將取代眾多應用中的LED和高壓氣體放電(HID)照明，在這些應用中，等離子照明的性能優于傳統
2018-02-07 10:15:47
兼容基于射頻等離子的照明技術，無需改裝。無論在洛杉磯還是世界各地，我們都可以從超精確的照明中帶來巨大的節能效益！將等離子照明中的射頻能量與氮化鎵技術相結合，其價值近乎無窮。關于MACOMMACOM是一家
2017-12-14 10:24:22
微波射頻在生活中的應用有哪些方面？ 1.網絡通信，信號覆蓋以及信息溝通。 2.微波射頻能產生均勻的能量，也用于烹飪或者加熱食物 3.因為微波射頻產生的能量可控，可用于穩定照明。 4.在人體健康方面也有相關應用。
2022-03-30 13:51:57
熱應用。固態射頻晶體管能夠產生超精確、可控且響應迅速的能量場，使射頻能量能夠精確、合理地分布，從而按照精確規范將食物加熱到理想狀態。例如，在小分量的典型烹飪食譜中，MACOM的硅基氮化鎵300W晶體管可在
2017-11-15 10:08:05
網絡系統，目前已得到了廣泛應用。但是采用傳統供電模式的傳感器節點一旦電池耗盡需要重新更換電池，如果傳感器節點大量分布，人工更換電池所需的工作將不容忽視。隨著超低功耗芯片技術的越發成熟，收集周圍環境中的無線射頻能量提供電能成為一種有效可行的新型能源供應模式。
2019-08-13 06:53:48
。相反，我們談論的是我們可以從公共服務中收集到的能量。在城市和人口密集地區，有大量的射頻源，如廣播電臺和電視臺、移動電話基站和無線網絡。人們有可能收集它們的部分能量，并將其轉化為有用的能量。圖1
2022-04-29 17:11:19
，射頻能量收集元件的最大理論功率為7.0 μW 和1.0 μW，自由空間距離為40m。在自由空間以外的環境中，信號的路徑損耗是不同的。表 1 顯示了不同的頻譜及其特殊的應用。不同的頻段有不同的應用，圖1
2021-12-28 09:53:09
數據中心應用服務器電源管理的直接轉換。 此外，自動駕駛車輛激光雷達驅動器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡線跟蹤等應用可從GaN技術的效率和快速切換中受益。 GaN功率器件的傳導損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
35年多來，功率MOSFET一直在低功率到中功率范圍內的功率轉換器設計領域占據主導地位。這得到了元件結構和相關半導體技術不斷創新的支持。快速開關特性和低損耗以及各種電路拓撲結構的易用性也有
2023-02-27 15:53:50
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN
2018-08-17 09:49:42
信號集成到固件中。
正確驅動LMG5200 GaN功率級
LMG5200 GaN半橋功率級對于其輸入信號有特別的需要。我已經在上一篇博文中詳細介紹了這些信號。關鍵是創建2個相反的PWM信號。在特定點上
2018-08-31 07:15:04
描述這個教學演示了一個原型，它通過天線收集周圍環境的射頻輻射來收集能量。該電路放置在 Wi-Fi、手機等射頻發射源附近時，會從周圍收集射頻能量并將其轉換為直流電荷，存儲在超級電容器中，然后用于低壓應用。
2022-08-31 06:13:08
毫微功耗級別時，選擇就變得有限了。幸運的是，目前已經有了可供設計師選擇的功率轉換和電池充電解決方案，其低于 1μA 的靜態電流可延長低功率傳感器以及新一代 WSN 中持續運作電路的電池壽命
2016-02-23 15:09:39
串聯放置。圖1所示為實現此目的的兩種不同配置：共源共柵驅動和直接驅動。現在，我們將對比功耗，并描述與每種方法相關的警告所涉及的問題。在共源共柵配置中，GaN柵極接地，MOSFET柵極被驅動，以控制
2023-02-14 15:06:51
GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。然而，在移動終端領域GaN射頻器件尚未開始規模應用，原因在于較高的生產成本和供電電壓。GaN將在高功率，高頻率射頻市場發揮
2019-04-13 22:28:48
耐受高電壓或承受大電流的半導體分立器件，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。在功率半導體的發展路徑中，功率半導體從結構、制程、技術、工藝、集成化、材料等各方面進行了全面提升，其演進的主要
2021-12-01 13:33:21
未轉換為射頻輸出功率的直流加載電源將作為熱量耗散（除非晶體管的效率為100%）。· 因此，GaN 晶體管變得非常熱，熱管理成為重要的設計考慮因素。幸運的是，碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC) 能夠
2018-08-04 14:55:07
ADuM4121評估板當隔離式柵極驅動器用在高速拓撲中時，必須對其正確供電以保持其性能水平。ADI公司的LT8304/LT8304-1是單芯片、微功耗、隔離式反激轉換器。這些器件從原邊反激式波形直接對隔離
2018-10-22 17:01:41
，以將基于氮化鎵的射頻能量源融合到烹飪、照明、工業加熱/烘干、醫療/制藥和汽車點火系統等各種應用之中。商業OEM將固態射頻能量作為高效、精確的能源，可使未來幾代產品實現全新的性能水平和承受能力。
2017-06-12 15:58:571001 當今射頻能量的最大潛在市場之一是在烹飪和加熱方面的應用。現在全球每年微波爐的制造產量遠超7000 萬臺，從低成本的消費類產品到高端的專業和工業加熱爐，它的產品類型跨度很廣。
2019-03-07 10:51:04450 
鎵(Ga)是一種化學元素，原子序數為31。鎵在自然界中不存在游離態，而是鋅和鋁生產過程中的副產品。 GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構成，最常見的是纖鋅礦晶體結構。GaN-on-SiC在射頻
2017-11-22 10:41:028545 能量采集是實現低功耗電子器件(如無線傳感器)長期免維護工作的一項關鍵技術。通過捕獲環境中的多余能量(如照明、溫差、振動和無線電波(射頻能量))，完全可以讓低功耗電子器件正常工作。在這些微功率能源
2017-11-24 10:14:317533 
半導體RF能量讓烹飪電器制造商有機會打造差異化的烹飪電器產品。結合新興餐飲服務，這些電器可以為消費者提供更好的便捷性，同時提供一致的烹飪效果。本次會議將介紹半導體RF烹飪的關鍵技術、優勢及其如何結合IoT技術來提供更大差異化優勢。
2018-06-28 18:45:002935 固態RF功率器件可以實現烹飪產品的功率調節和高能效。這需要設計師對尺寸、成本和性能作綜合考慮。本次會議將介紹恩智浦推出的一款可擴展功率模塊，它可快速的集成到烹飪產品中，簡化系統設計，實現產品的功率擴展。
2018-06-28 18:43:003506 半導體RF能量讓烹飪電器制造商有機會打造差異化的烹飪電器產品。結合新興餐飲服務，這些電器可以為消費者提供更好的便捷性，同時提供一致的烹飪效果。本次會議將介紹半導體RF烹飪的關鍵技術、優勢及其如何結合IoT技術來提供更大差異化優勢。
2018-06-28 10:47:002898 在現今人工智能的時代，智能、連接、可編程的烹飪設備即將上市，利用有關電器的數字化為消費者提供便利性的烹飪優勢。而RF無線射頻應用在烹飪領域，意味著“吃貨”的春天已經來了。
2018-08-31 17:46:001265 
典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環節：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環節。
2018-10-26 17:33:0610616 當今射頻能量的最大潛在市場之一是在烹飪和加熱方面的應用。現在全球每年微波爐的制造產量遠超7000 萬臺，從低成本的消費類產品到高端的專業和工業加熱爐，它的產品類型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2020-09-29 10:44:00
0 氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙材料，在高功率射頻 (RF) 應用中具有顯著優勢。
2021-07-05 14:46:502779 
能量收集或能量收集的概念是一種使用不同方法從外部環境收集能量的技術，包括熱電轉換、振動激發、太陽能轉換、壓力梯度和射頻信號。射頻無線能量收集為更換電池或延長電池壽命提供了巨大的潛力。目前，電池為大多數物聯網設備供電，包括可穿戴設備。電池的尺寸有限，從而限制了它們的使用壽命并需要定期更換。
2022-08-09 09:07:281867 
文章來源：新華網 老板電器高級副總裁何亞東在接受采訪時表示，用科技助力烹飪，降低烹飪門檻。老板電器認為數字烹飪能夠降低烹飪的門檻，讓更多人有意愿、有動力走進廚房。同時，也可以增加烹飪的參與感，讓家人
2022-09-08 10:38:08237 采用GaN實現48V至POL單級轉換
2022-11-02 08:16:162
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