工藝的設計考慮到性能、可靠性和可生產性之間的平衡。從成品率 損失Pareto 圖 Fig. 5 中可以看出發射區/基區短路是影響成品率的主要原因，基區電極柱損失是影響遠小于發射區/基區短路的第二個原因。影響成品率的其它失效模式的影響相對較小，都在測試不確定范圍內。由500個晶體管組成的典型電路所達到的成品率已能夠滿足小規模儀器的應用應用。

一種新的工藝技術對于Agilent 復雜且規模較小的生產其晶片成品率大都如此。造成晶片成品率損失的原因主要有程序錯誤、晶片破裂、工藝和/或儀器問題。我們的經驗顯示GaAsSb /InP雙異質結雙極晶體管DHBTs并不存在異于其它化合物半導體的特有失效機制和更低的可生產性。

所有晶片工藝環節都由具有自動處理晶片功能的設備完成，以最大限度的減小人為因素造成的片與片、批與批之間的差異。具體的工藝步驟需要不斷調整輸入參數（例如，每一次要根據測試得到的目標層厚度進行離線計算），數據被不斷收集以使統計工藝控制軟件進行編程來指導操作者操作。

V. 可靠性

可靠性通過對分立的自對準1 × 3 μm2 HBTs進行高溫壽命測試（HTOL）來確定，電流增益（??漂移是主要的可靠性失效模式。利用測試得到的激活能Ea， 其值大約為1.02 eV， 外推得到Tj = 125 °C.溫度下MTTFs 壽命超過106 小時。電流增益（???漂移和基區?集電區電流泄漏（位列第二的主要可靠性失效模式）示于圖?。以電流增益??漂移???作為失效標準同樣示于圖?，這一標準保證了??值始終保持在??以上。圖?的下半部顯示雙異質結雙極晶體管結構（例如，InP集電區）可在VCE = 4.5 V 下保持高可靠性工作，這一電壓值比InP襯底單異質結雙極晶體管高出 2 3 V。

VI. 電路性能

A. 2 60 GHz 一比二靜態分頻器

靜態分頻器性能和芯片照片示于圖7。雙極晶體管HBT 用作靜電放電保護。 其輸入靈敏度窗口非常寬，單端正弦波輸入狀態下一比二除法功能可在2GHz到60GHz范圍內實現。輸入和輸出可采用差分和單端方式。90 mA時偏置電壓為-3.4V。典型輸出功率從低頻時的。 0 dBm 到高頻60GHz時的 3 dBm 。

B. 差分限幅放大器

由 50個晶體管組成的差分限幅放大器照片示于圖8a。限幅放大器采用兩級Cherry-Hooper，一級cascode和一對有幾級發射極跟隨器緩沖的差分輸出結構，低頻小信號差分增益大于32dB， 單端（S-E）輸入電壓窗口為± 700 mV 最大單端（S-E）輸出幅度500 mVpp 。 放大器從+1 V 到 4.1 V電源消耗0.59 W功率。偏置端采用 雙極晶體管HBT 進行靜電放電保護。輸入輸出均有差分失調/直流監測以及common-mode pull-up 能力。

圖8b 顯示了典型的在片增益特性，低頻S-E 增益26.8±0.5 dB ， 3 dB 帶寬46.8±0.4 GHz.。達到65 GHz時群

延時變化小于5 ps。典型 43 Gb/s 眼圖輸出信號如圖8c 所示，其幅度為0.50 Vpp S E， 10%-90% 上升時間為9.2 ps， 總 RMS抖動378 fs。 295 fs RMS 抖動1 Vpp 差分PRBS 231-1 NRZ輸入信號由以同樣技術制作的半速retimer 提供。