RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案
2012-09-27 09:17:24
2873 本文針對LTE引入后多模多頻段選擇對終端產品體積、成本、性能等方面所帶來的挑戰進行了深入分析和研究，并給出了現階段解決上述挑戰的射頻芯片和射頻前端參考設計架構。##為了提高多模多頻段終端產品的接收
2015-03-31 11:48:3418680 
4G到5G的升級，給射頻前端帶來了怎樣的挑戰射頻前端(RFFE) 是移動電話的射頻收發器和天線之間的功能區域，主要由功率放大器 (PAs) 、低噪聲放大器 (LNAs) 、開關、雙工器、濾波器和其他
2017-07-20 13:08:34
調諧器尤為明顯。射頻器件制造商及其代工合作伙伴繼續推出基于RF SOI工藝技術的傳統射頻開關芯片和調諧器，用于當今的4G無線網絡。最近，GlobalFoundries為未來的5G網絡推出了45nm
2017-07-13 08:50:15
多項關鍵技術直接推動射頻前端芯片市場成長。5G時代會有更多的頻段資源被投入使用，多模多頻使射頻前端芯片需求增加，同時Massive MIMO和波束成形、載波聚合、毫米波等關鍵技術將助長這一趨勢。物聯網
2017-04-14 14:41:10
功率檢測器兼容低電壓（1.2V）CMOS控制邏輯或VDD級所有端口上的ESD保護電路直流去耦射頻端口所有VDD偏壓管腳上的內部射頻去耦接收通道的低噪聲系數接收信號的高功率能力極低的直流功耗全片匹配去耦電路所需的最小外部組件50歐姆輸入/輸出匹配市場認可的CMOS技術
2019-11-08 17:07:27
CMOS是一個簡單的前道工藝，大家能說說具體process嗎
2024-01-12 14:55:10
近年來，有關將CMOS工藝在射頻（RF）技術中應用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發展。目前，幾個研究組已利用標準
2021-07-29 07:00:00
傳統設計模式所應對的挑戰是什么嵌入式系統開發工具的發展趨勢是什么
2021-04-27 06:08:56
`2.4 GHz CMOS工藝 高效單芯片射頻前端集成芯片 產品介紹 AT2401C 是一款面向Zigbee，無線傳感網絡以及其他2.4GHz 頻段無線系統的全集成射頻功能的射頻前端單芯片
2018-07-28 15:18:34
目前射頻前端元器件基本均由半導體工藝制備，如手機端的功率放大器（PA）和低噪聲放大器（LNA）主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻（RF）開關主要基于CMOS、Si、GaAs
2019-12-20 16:51:12
)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片，一舉彌補了中國TD-SCDMA產業鏈發展的短板。隨后，銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25
牛逼，這是什么軟件制作的，求解答
2012-11-29 10:09:42
產品介紹AT2401C 是一款面向Zigbee，無線傳感網絡以及其他2.4GHz 頻段無線系統的全集成射頻功能的射頻前端單芯片。AT2401C 是采用CMOS 工藝實現的單芯片器件，其內部集成
2019-07-17 12:22:28
/家庭自動化等市場批量生產七種新的CMOS射頻前端集成電路RFaxis董事長兼首席執行官Mike Neshat表示：“RFaxis已經打破了所有的技術障礙，這些障礙一度使得純CMOS無法超越GaAs
2018-07-09 15:16:33
AT2402E 是一款應用于無線通信的集成收發功能的射頻前端單芯片，芯片內部集成了所需要的射頻電路模塊，集成度非常高，主要包括功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，收發模式切換的開關控制電路等
2020-08-03 11:22:26
高速模擬IO、甚至一些射頻電路集成在一起，只要它不會太復雜。 由于工藝技術的不兼容性，RF集成通常被認為是一種基本上尚未解決的SoC挑戰。在數字裸片上集成RF電路會限制良品率或導致高昂的測試成本，從而
2019-07-05 08:04:37
我們都知道處理器芯片， 是依靠不斷縮小制程實現技術升級，而作為模擬電路中應用于高頻領域的一個重要分支，射頻電路的技術升級主要依靠新設計、新工藝和新材料的結合。大家都知道現在已經進入了5G時代，而射頻
2019-11-09 10:29:19
SoC測試技術傳統的測試方法和流程面臨的挑戰是什么？SoC測試技術一體化測試流程是怎樣的？基于光子探測的SoC測試技術是什么？有什么目的？
2021-04-15 06:16:53
AT2402E 采用 CMOS 工藝實現，具有非常低的成本并且具有非 常好的射頻性能，比如發射模式時高的功率增益，發射線性度和發射效率，以及 接收模式下極低的噪聲系數。得益于 AT2402E 優秀的性價比
2023-02-22 18:39:55
。射頻前端芯片AT2401C是采用CMOS 工藝實現的單芯片器件，其內部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發開關控制電路，輸入輸出匹配電路以及諧波濾波電路。集成度超高，使用方便
2018-10-19 11:45:00
。射頻前端芯片AT2401C是采用CMOS 工藝實現的單芯片器件，其內部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發開關控制電路，輸入輸出匹配電路以及諧波濾波電路。集成度超高，使用方便
2018-10-22 13:59:54
神器可以解決之。集成射頻前端芯片AT2401C。射頻前端芯片AT2401C是采用CMOS 工藝實現的單芯片器件，其內部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發開關控制電路，輸入輸出匹配
2019-03-15 18:20:53
【非常牛逼資料分享】深入理解MOSFET規格書datasheet需要原版穩定的朋友，請自行回帖下載。 [hide]https://pan.baidu.com/s/1o85LQWE[/hide] 文章比較長，截了一部分資料的圖片如下
2017-10-24 16:45:30
對樣品的測試結果作了簡單分析。隨著現代無線通訊技術的發展，射頻微波器件和功能模塊的小型化需求日益迫切。本文介紹的L波段收發射頻前端采用LTCC工藝，利用無源電路的三維疊層結構，大大縮小了電路尺寸。在
2019-06-24 07:40:47
，同時此結構射頻功率放大器及輸出匹配網絡與CMOS控制器、射頻開關集成至一個芯片模塊，組成GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊，如圖1所示。 圖1 GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊示意圖。
2019-07-08 08:21:18
完全解決的。這些挑戰包括：多于10萬個器件的設計復雜度、大于幾GHz的時鐘主頻、納米級的CMOS工藝技術、低功耗、工藝變化、非常明顯的非線性效應、極度復雜的噪聲環境以及無線/有線通訊協議的支持問題。
2019-10-11 06:39:24
隨著射頻無線通信事業的發展和移動通訊技術的進步，射頻微波器件的性能與速度成為人們關注的重點，市場對其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數字集成電路設計的主要工藝選擇，對于模擬與射頻集成電路來說，有哪些選擇途徑？為什么要選擇標準CMOS工藝集成肖特基二極管？
2019-08-01 08:18:10
隨著移動行業向下一代網絡邁進，整個行業將面臨射頻組件匹配，模塊架構和電路設計上的挑戰。射頻前端的一體化設計對下一代移動設備真的有影響嗎？
2019-08-01 07:23:17
進入3G/4G/Pre-5G時代，射頻前端，一個手機SoC里不起眼的小角色，開始在高端智能手機市場挑大梁。一旦連上移動網絡，任何一臺智能手機都能輕松刷朋友圈、看高清視頻、下載圖片、在線購物，這完全是
2019-07-30 08:24:01
什么是量子點技術？量子點技術如何應用于液晶面板的？量子點技術牛在哪？量子點技術的有什么特點？
2021-06-02 06:20:39
本文提出一種具有射頻監測能力的雷達接收前端技術，解決了現有雷達及雷達測試系統無法在接收過程中對復雜電磁環境的影響效應進行有效分析和測量的問題。該技術用于對多干擾源及多要素疊加的電磁環境作用下的接收機
2020-12-21 07:29:50
查詢了一些資料，知道了分頻器是鎖相環電路中的基本單元．是鎖相環中工作在最高頻率的單元電路。傳統分頻器常用先進的高速工藝技術實現。如雙極、GaAs、SiGe工藝等。隨著CMOS器件的尺寸越來越小，可用
2021-04-07 06:17:39
產生的原理和固態射頻能量產生原理圖例，從中可以看出，傳統的射頻能量一般由磁控管產生，作用于物品或者工藝需要，固態射頻能量由射頻合成器產生，受控于射頻功率放大器的閉環控制調節，作用于物品或者工序需要
2018-08-21 10:57:30
模式下有非常低的噪聲系數和非常強的功率處理能力· 非常低的直流靜態功耗· 發射模式下非常低的工作電流· 全集成射頻輸入輸出端口的阻抗匹配電路，電阻均為 50Ω· 只需要非常少的外圍器件· 僅使用了可靠的 CMOS 工藝制作· 采用 16 管腳的 QFN 封裝(3×3×0.55mm)
2023-02-02 15:16:19
119%。高增長的背后是射頻市場的機遇，但同時也是挑戰。如何解決5G通信高帶寬和大功率的射頻技術挑戰？就成了一個非常棘手的問題。
2019-08-01 08:25:49
基本的NMOS管串聯結構基礎上，采用深N阱工藝的NMOS器件，運用一種改進型的體懸浮(body-floating)技術，實現了 一個寬帶射頻收發開關。與傳統的串并聯結構開關電路相比，該結構具有更高的線性度
2019-07-31 06:22:33
直接影響著接收機的性能。另一方面，LNA的設計也是無線電設備相關電路設計中最具有挑戰性的內容之一。這主要表現在它同時需要滿足高增益、低噪聲、良好的輸入輸出匹配和在盡可能小的工作電流時的無條件穩定性。那么，大家知道我們該如何設計CDMA射頻前端低噪聲放大器電路嗎？
2019-08-01 06:34:15
感覺這是個很牛逼的論壇 這輩子就他了， 技術宅屌絲就這樣過一生了 新人報道{:4_95:}
2014-07-14 23:30:04
嵌入式 超牛逼 的語言 C++學習寶典！！！
2012-09-19 11:42:04
。老牌的飛利浦、FREESCALE、意法半導體和瑞薩仍然堅持用傳統工藝，主要是SiGeBiCMOS工藝，諾基亞仍然大量使用意法半導體的射頻收發器。而歐美廠家對新產品一向保守，對RFCMOS缺乏信任
2016-09-15 11:28:41
即使是最自信的設計人員，對于射頻電路也往往望而卻步，因為它會帶來巨大的設計挑戰，并且需要專業的設計和分析工具。怎么優化射頻和微波設計挑戰？來簡化任何射頻PCB 設計任務和減輕工作壓力！這個問題急需解決。
2019-08-21 06:38:27
本文介紹的L波段收發射頻前端采用LTCC工藝，利用無源電路的三維疊層結構，大大縮小了電路尺寸。在電路設計上，使用單節λ/4短截線收發開關電路，既保證了高收發隔離和低損耗接收的電路性能，又比傳統的并聯式開關電路節省了一節λ/4短截線占據的空間，縮小了電路尺寸。
2021-05-24 07:03:25
本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結構，使用一個射頻功率放大器實現GSM/DCS雙頻段功率放大功能。同時將此結構射頻功率放大器及輸出匹配網絡與CMOS控制器、射頻開關集成至一個芯片模塊，組成GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊，其中射頻開關采用高隔離開關設計，使得諧波滿足通信系統要求。
2021-05-28 06:28:14
近年來，有關將CMOS工藝在射頻（RF）技術中應用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發展。目前，幾個研究組已利用標準
2019-08-22 06:24:40
射頻前端模塊性能關系到整個接收機的性能。本文通過對接收機進行研究，分析了超外差接收機的特點，提出了一種采用PLL技術的接收機的射頻前端方案，及對射頻前端的關鍵技術指標進行了分析。并通過軟硬件平臺進行
2019-08-22 07:38:30
–4%的重量百分比范圍內（wt%），同時擴散通常是在低于1%的Tb或Dy的質量分數范圍內進行的。晶界擴散技術可以使用1/3~1/2的傳統工藝使用的鏑或鋱的用量達到和傳統工藝磁體一樣高的剩磁(Br
2018-10-17 10:33:33
。 射頻前端芯片AT2401C是采用CMOS 工藝實現的單芯片器件，其內部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發開關控制電路，輸入輸出匹配電路以及諧波濾波電路。集成度超高，使用方便
2018-11-26 10:26:16
神器可以解決之。集成射頻前端芯片AT2401C。射頻前端芯片AT2401C是采用CMOS 工藝實現的單芯片器件，其內部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發開關控制電路，輸入輸出匹配
2018-11-09 10:18:57
隨著數字移動電視不斷向移動設備的應用轉移，應用和系統工程師正面臨著各種挑戰，比如外形尺寸的小型化、更低的功耗以及信號完整性。對現有移動電視標準的研究重點將放在了DVB-H上。本文將從系統角度討論DVB-H接收器設計所面臨的機遇和挑戰，并重點介紹射頻前端。
2019-06-03 06:28:52
LTCC技術實現SIP的優勢特點有哪些？怎樣去設計一種射頻接收前端SIP？
2021-04-26 06:05:40
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機械結構的干法刻蝕技術濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
高速ADC前端設計的挑戰和權衡因素
2021-04-06 07:18:55
在研究移動電視技術發展趨勢時需要區分產品功能組合、封裝、性能、采用的半導體工藝和最重要的射頻接收器性能。目前大多數單制式解調器都采用130納米至65納米CMOS工藝制造。多數情況下，它們與射頻接收器
2019-07-29 06:49:39
硅鍺技術改善射頻前端性能
2006-05-07 13:20:01
36 摘 要 無線通信系統的多功能、小型化、低成本的趨勢，對射頻前端模塊的設計提出了很大的挑戰。人們對濾波器、巴倫、藍牙模塊和功放模塊的設計已經進行過大量的研究。在這
2010-06-19 10:31:5248 多重標準射頻前端可能是獨立的集成電路，或是一個較大、且整合了射頻及調制解調器之芯片系統(SoC)解決方案的一部份。在這兩種情況中，射頻電路系統的關鍵設計需求基本上相同
2011-04-22 11:19:44650 專注于為無線連接和蜂窩移動市場提供創新、下一代射頻解決方案的無廠半導體公司RFaxis宣布，該公司將在2012年臺北國際電腦展覽會上推出純CMOS、RFX5000射頻前端集成電路（RFeIC），該集
2012-05-14 08:49:42891 近年來，有關將CMOS工藝在射頻（RF）技術中應用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發展。目前，幾個研究組已利
2012-05-21 10:06:191850 
。 其中，通過無線網絡進行連接已逐漸成為主流，但射頻前端芯片作為移動網絡連接的關鍵部分，卻還是面臨著一些挑戰。目前，產業界在射頻前端芯片方面主要采用GaAs/SiGe技術來實現，但其工藝復雜，成本較高、產能低下，難以實現低成本的規
2017-11-09 16:28:0210 （硅鍺）BiCMOS工藝制造RF射頻前端的時代該結束了，純CMOS工藝RF前端 IC將在未來十年內主宰移動互聯網和物聯網時代。 業界對CMOS PA產品的熱情一直沒有減退。2014年6月，高通（Qualcomm）并購CMOS PA供應商Black Sand，借以強化其RF360方案競爭力；而在2013
2017-11-09 16:35:510 硅是上帝送給人類的禮物。電路板中絕大多數器件都采用體硅CMOS工藝（硅 的原材料是沙子）制造，但有一個部分卻難以實現，那就是射頻前端。目前射頻前端主要采用GaAs或SiGe工藝制造，但由于材料
2017-11-14 10:06:384 作為接收機重要組成部分的接收機射頻前端是接收機動態性能的關鍵部件，它工作于中頻放大器之前。諸如動態范圍、互調失真、-1dB壓縮點和三階互調截獲點等，都與接收機前端的性能有直接關系。本文以下將介紹接收機中的射頻前端設計技術。
2017-11-23 16:30:536906 
近年來，有關將CMOS工藝在射頻（RF）技術中應用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發展。目前，幾個研究組已利用標準
2017-11-25 11:07:014628 
供應商，漢天下計劃使用其提供的RFSOI工藝設計和制造用于射頻前端（FEM）和天線開關模塊（ASM）中的開關芯片。相比傳統的GaAs和SOS工藝，RFSOI可以同時提供優良的性能和低廉的成本。 RFSOI工藝非常適合用來做射頻開關的設計，基于這種先進的工藝，我們可以將MI
2017-12-05 13:22:37557 加州歐文--(美國商業資訊)--專注于為無線連接和蜂窩移動市場提供創新型新一代射頻解決方案的無晶圓半導體公司RFaxis宣布發布射頻前端技術白皮書《面向移動手持設備應用的CMOS Wi-Fi射頻前端
2019-03-18 12:30:07728 簡單來說就是上面這張圖，把PA、LNA、開關和外部元件都集成到單一的CMOS工藝的芯片中去。目前該公司推出單芯片射頻前端可用于WLAN（2.4G和5G）、藍牙、802.11n/MMO、WHDI及ZigBee等無線傳輸設備上。
2018-05-11 09:16:004828 為滿足下一代蜂窩電話設計對更多特性、多模式及工作頻率的需求，工程師們必須尋找提高射頻前端集成度的途徑。通過采用CMOS工藝的最新集成方案，他們找到了應對這一挑戰的答案。 消費者對更小、更便宜手機
2018-09-17 00:56:01186 本文檔的主要內容詳細介紹的是鋰電池的傳統工藝詳細資料介紹主要包括了：配料，涂布，制片，極耳焊接，卷繞，短路檢驗，入殼，滾槽，注液，封口，密封性檢驗，化成，分容，外包裝，出廠檢驗
2018-12-03 08:00:0030 在很多分析師和廠商看來，2019年將會是5G元年，但這個高速、低延遲和廣泛覆蓋網絡到來，除了在應用方面帶來了變革的機會，給上游供應商也帶來了不小的挑戰，尤其是射頻前端方面。
2019-05-02 17:32:003495 
隨著射頻無線通信事業的發展和移動通訊技術的進步，射頻的性能與速度成為人們關注的重點，市場對其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數字集成電路設計的主要工藝選擇，對于模擬與射頻集成電路來說，選擇
2020-09-25 10:44:002 射頻前端模塊性能關系到整個接收機的性能。本文通過對接收機進行研究，分析了超外差接收機的特點，提出了一種采用PLL 技術的接收機的射頻前端方案，及對射頻前端的關鍵技術指標進行了分析。并通過軟硬件平臺
2020-09-23 10:45:003 CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標準工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌入到硅中，或通過表面微加工技術在硅的頂部形成。
2020-09-01 11:21:323490 射頻（RF）前端與鏈路是雷達、通信、電子戰等系統中的核心功能模塊。新一代智能無線系統的大帶寬、多頻段、可重構信號處理與傳輸需求對RF 前端與鏈路的研發提出一系列挑戰。
2020-09-08 11:32:344680 
刀剪生產自動化，科技力量打磨傳統工藝 在刀剪制造領域，珞石機器人經過多年工藝、技術積累，憑借機器人產品高精高速的運動性能，融合豐富的自動化產業經驗，成功的實現了機器人開刃、水磨等關鍵核心生產技術
2020-09-09 09:16:222005 不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領先企業 memsstar 向《電子產品世界》介紹了 MEMS 與傳統 CMOS 刻蝕與沉積工藝的關系，對中國本土 MEMS 制造工廠和實驗室的建議
2022-12-13 11:42:001674 5G作為移動通信領域的重大變革點，是當前新基建的領銜領域。在5G的影響下，射頻前端器件正發生什么樣的變化？近日在中國MEMS制造大會上，左藍微電子創始人、總經理張博士以5G時代射頻前端的機遇與挑戰
2020-11-11 15:33:553043 射頻前端模組之濾波器技術簡要分類
2020-12-02 16:33:101860 DB HiTek已宣布通過基于130/110納米技術的射頻絕緣體上硅(RF SOI)和射頻高電阻率襯底(RF HRS)工藝來拓展射頻前端業務。 射頻前端是無線通信的必備器件，其負責IT設備之間的發射
2022-01-13 09:35:294114 ，對后張法預應力孔道壓漿的質量檢測，確保有效預應力體系的建立，是保證橋梁達到設計要求，滿足使用耐久性的一個重要環節。 一、傳統壓漿工藝存在問題 1、水泥漿液的配制 水泥漿液的配制存在很大的人為性因素，配制漿液的設備也不標準，
2022-10-21 15:26:39327 
一體成型電感工藝流程，PIM繞線代替傳統工藝 一體成型電感傳統工藝流程： 繞線：將銅線依規定要求繞至固定形狀尺寸。 點焊：將繞至好的線圈使用電流熔焊接到料片腳上。 成型：將點焊好料片放入模具使用液壓
2023-07-09 14:55:45644 
和天線技術的集成電路，主要實現處理射頻信號的功能。下面詳細講解射頻前端和射頻芯片的關系。 首先，射頻前端是指從天線開始到最后一級放大器之間的電路系統。射頻前端包括天線、跨越器、調節器、偏置器、放大器和濾波器等
2023-09-05 09:19:141805 最近十幾年中，射頻前端方案快速演進。“模組化”是射頻前端演進的重要方向。
2023-11-08 09:24:00535 
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