中國首家商用氮化鎵(GaN)電子器件生產(chǎn)企業(yè)蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司 (Dynax Semiconductor, Inc.),發(fā)布適合5G移動通信的寬帶、高效的GaN功放管DX1H3438140P,該功放管可支持頻段為3.4 GHz-3.8 GHz,在效率、增益,寬帶特性和線性度等指標(biāo)上,均達到世界領(lǐng)先水平。并且該功放管針對無線通信基站進行了特殊優(yōu)化,易于設(shè)計成Doherty架構(gòu)的寬帶功率放大器,非常適合輸出平均功率為20 W的宏站RRU使用。蘇州能訊正在釋放國產(chǎn)氮化鎵的潛力,為市場提供系列化性能出眾的氮化鎵器件。
中國5G移動通信系統(tǒng)已經(jīng)完成了第一階段對于大規(guī)模天線、多址多載波、高頻段通信等關(guān)鍵技術(shù)的試驗,同時也驗證了高達Gbps的用戶體驗速率、毫秒級端到端時延、每平方公里百萬節(jié)點等多樣化場景需求;目前運營商已經(jīng)展開了第二階段的試驗,開展面向移動互聯(lián)網(wǎng)、低時延高可靠和低功耗大連接三大5G典型場景的無線空口和網(wǎng)絡(luò)技術(shù)方案的研發(fā)與試驗,測試頻率為3.6 GHz, 并計劃在2017年底前完成測試,為2018年的5G 通信實驗網(wǎng)開通做準(zhǔn)備。
為了實現(xiàn)高速大容量的用戶體驗,勢必拓寬信號帶寬,在一系列規(guī)劃頻段中,3.4 GHz-3.8 GHz頻段率先成為全球的熱點頻率,引起全球移動產(chǎn)業(yè)的重點關(guān)注。各大設(shè)備商重點開發(fā)面向3.4 GHz-3.8 GHz的宏站或一體化小型基站。比如諾基亞的TD-LTE 3.5GHz 8T8R宏站RRU和4T4R低功率RRU以及一體化小基站。愛立信的宏站Macro Radio 2218和微站Micro Radio 440均聚焦3.4 GHz-3.8 GHz 應(yīng)用。華為和中興也紛紛推出了基于3.4 GHz-3.8 GHz的多載波寬帶RRU,載波信號帶寬均超過150 MHz。
各大射頻功放管廠商也爭先恐后,推陳出新,不斷發(fā)布滿足市場需求的器件。而目前主流的硅基LDMOS功放管在頻率和效率上的性能缺陷,導(dǎo)致其很難滿足5G系統(tǒng)高頻和高效的需求,逐漸喪失了在基站功放市場的主導(dǎo)地位。 而氮化鎵以其固有的高功率密度有效的降低了結(jié)電容,從而提高了帶寬,滿足了多載波系統(tǒng)對功率半導(dǎo)體器件的視頻帶寬要求。
華為率先大批量使用GaN 射頻功率管,不僅優(yōu)化了系統(tǒng)射頻性能,而且簡化了熱設(shè)計,縮小了體積和重量,便于工程建設(shè)和網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化,有效的推動了行業(yè)發(fā)展,開啟了以氮化鎵材料為主的第三代射頻功放管商用的新時代。
在這樣良好的市場環(huán)境下,能訊半導(dǎo)體應(yīng)運而生,致力于GaN射頻功率器件的開發(fā)和生產(chǎn),是國內(nèi)除科研院所外唯一一家擁有獨立氮化鎵FAB 工廠和生產(chǎn)能力的IDM公司,可以給客戶提供從外延材料,管芯設(shè)計到器件生產(chǎn)的多樣化合作模式。產(chǎn)品不斷推出,逐漸得到市場及客戶的認可。
對于3.4 GHz-3.8 GHz 寬帶多載波RRU 項目,能訊開發(fā)了多款GaN功放管,結(jié)合Doherty , DPD 等高效線性化技術(shù),給客戶提供了整機20 W 或以上的功放解決方案。
首先,功率放大器作為通信發(fā)射系統(tǒng)中極為重要的部分,其輸出功率的能力,漏級效率大小都會對整個通信系統(tǒng)有著重要的影響,從綜合性能來說,氮化鎵射頻功放管成為了高頻大功率以及寬帶高效功放模塊的最合適選擇。GaN既彌補了LDMOS的高頻帶寬和效率的性能缺失,又改善了GaAs在高頻功率容量的不足,加上氮化鎵在可靠性方面的優(yōu)勢,使其成為5G 通信的首選功放管技術(shù)。
再者,近年來歐美半導(dǎo)體公司對國內(nèi)功放管市場的封鎖趨緊,國內(nèi)氮化鎵企業(yè)受到了市場的大力追捧,加速發(fā)展。
能訊高能半導(dǎo)體有限公司作為國家首家商用氮化鎵電子器件生產(chǎn)企業(yè),針對市場及基站客戶的需要,發(fā)布了新型GaN射頻功放管DX1H3438140P。該功放管可支持頻段為3.4 GHz-3.8 GHz,借助其優(yōu)異的寬帶性能,客戶可以在該頻段內(nèi)采用同一個寬帶功放管來代替原有的兩種甚至是三種功放管。功放管的工作電壓為48 V,在該頻段擁有較好的線性度、功率密度、效率以及寬帶特性。在板級使用時,外匹配容易實現(xiàn),調(diào)試簡單。
將該功放管設(shè)計成Doherty架構(gòu),非常適合系統(tǒng)平均功率為20 W的基站使用。采用該功放管設(shè)計的Doherty架構(gòu)功率放大器,可以支持160 MHz的寬帶信號,并很好的與寬帶DPD系統(tǒng)配合,在常溫下經(jīng)過DPD校正之后,線性度可以達到-50 dBc @ 45.4 dbm,表現(xiàn)出了很完美的射頻閉環(huán)性能。 圖一為功放管圖片:
圖1、DX1H3438140P功放管圖片
下面我們對這款功率管分別作了單管及Doherty性能測試:
一、Load Pull性能
表1為功放管DX1H3438140P在3.4 GHz-3.8 GHz的Load Pull測試性能。
Load Pull性能展示 (3.4 GHz-3.8 GHz)
Freq (GHz)3.43.63.8
Pout (dBm)51.6551.6151.58
Gp (dB)19.820.119.3
DE (%)697168
測試條件:Vds=48 V,Ids=400 mA
Pulse Width = 100 μs, Duty Cycle = 10 %
表1、DX1H3438140P Load Pull測試結(jié)果
二、3.6GHz Class AB調(diào)試
該放大器的漏級電壓Vds為48 V,靜態(tài)電流Idq為400 mA。使用的PCB板材為Rogers 4350B。圖2為調(diào)試前的Demo圖片。
圖2、DX1H3438140P Demo圖片
2.1、小信號性能
該放大器在3.4 GHz-3.8 GHz內(nèi)回波損耗S11小于-10 dB,帶寬大于400 MHz。在3.6 GHz,小信號增益大于19 dB。圖3為小信號調(diào)試的結(jié)果曲線。
圖3、DX1H3438140P調(diào)試后小信號性能
2.2、脈沖飽和功率測試
調(diào)試后該放大器的飽和功率為51.7 dBm,飽和效率為67.3 %,功率回退7.5 dB時的功率增益為19.3 dB。圖4為大信號脈沖測試結(jié)果。
圖4、DX1H3438140P調(diào)試后脈沖測試性能
2.3、DPD線性度測試
該放大器經(jīng)過DPD校正后,其表現(xiàn)出了優(yōu)異的線性性能,測試信號為WCDMA 3GPP test model 1, 64 DPCH, 45% clipping, PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF。在功率回退8 dB時,其校正后ACLR可以達到-58 dBC。圖5為DPD測試結(jié)果。
圖5、DX1H3438140P調(diào)試后DPD性能
三、Doherty 性能
為了實現(xiàn)功放線性和效率的完美結(jié)合,能訊分別開發(fā)了3.4 GHz-3.6 GHz和3.4 GHz-3.8 GHz的寬帶Doherty 功放板。該功放采用1:1對稱Doherty架構(gòu)來表現(xiàn)其最佳的寬帶及線性特性。針對目前通信系統(tǒng)中常用的信號PAR 7.5 dB,我們以飽和功率回退8 dB作為其平均輸出功率,來展示其回退時的性能。具體可以參照圖6和圖7中的效率曲線。
3.1、3.4 GHz-3.6GHz Doherty脈沖功率測試
表2展示了3.4 GHz-3.6 GHz Doherty功放在200 MHz的帶寬內(nèi)的性能參數(shù),其飽和輸出功率大于53.9 dBm,在飽和功率回退8 dB,平均輸出功率為46 dBm時,其效率在42.5 %以上,增益大于15.1 dB。該Doherty功放功率回退時的性能出眾,非常適合在20-30 W區(qū)間的RRU 功放應(yīng)用。
3.4 GHz-3.6 GHz脈沖特性
主管靜態(tài)電流400 mA,峰管柵壓-4 V
Pulse Width = 100 μs, Duty Cycle = 10 %
頻率(GHz)3.43.53.6
飽和功率(dBm)54.153.953.9
效率@46dBm (%)42.544.644.0
Gain@46dBm (dB)15.715.515.1
表2、3.4 GHz-3.6 GHz Doherty功放測試數(shù)據(jù)
圖6、3.4 GHz-3.6 GHz Doherty功放脈沖測試性能
3.2、3.4 GHz-3.8GHz Doherty脈沖功率測試
表3展示了3.4 GHz-3.6 GH Doherty功放在400 MHz的帶寬內(nèi)的性能參數(shù),其飽和輸出功率大于53.9 dBm,在飽和功率回退8 dB,平均輸出功率為46 dBm時,其效率在38.5 %以上,增益大于14.7 dB。
3.4 GHz-3.8 GHz脈沖特性
主管靜態(tài)電流400 mA,峰管柵壓-4 V
Pulse Width = 100 μs, Duty Cycle = 10 %
頻率(GHz)3.43.63.8
飽和功率(dBm)53.953.9854.2
效率@46dBm (%)414338.5
Gain@46dBm (dB)15.815.514.7
表3、3.4 GHz-3.8 GHz Doherty功放測試數(shù)據(jù)
圖7、3.4 GHz-3.8 GHz Doherty功放脈沖測試性能
圖8、3.4 GHz-3.8 GHz Doherty Demo圖片
3.3、寬帶DPD線性度測試
圖9是能訊為客戶設(shè)計的3.4 GHz-3.6 GHz Doherty功放寬帶信號線性結(jié)果,測試信號為LTE 160 MHz信號,峰均比為7.5 dB。在功放口輸出功率大于45 dBm時,其校正后的線性依然可以低于-50 dBc。圖10為160 MHz信號 (11000011模式)矯正后右邊兩個載波的的頻譜圖。
圖9、寬帶LTE信號DPD校正結(jié)果
圖10、160 MHz 寬帶信號頻譜圖
四、總結(jié)
從Class AB 或者Doherty的測試性能來看,DX1H3438140P這款產(chǎn)品無論在帶寬、功率、效率特性,還是線性度方面均有杰出的表現(xiàn)。這充分驗證了能訊半導(dǎo)體公司先進的材料生長和管芯設(shè)計能力,精細的工藝控制,穩(wěn)定可靠的生產(chǎn)能力。
關(guān)于能訊半導(dǎo)體(Dynax Semiconductor, Inc.)
成立于2007年的能訊半導(dǎo)體是由獲得中國第一批“***”支持的海外歸國團隊創(chuàng)辦的高新技術(shù)企業(yè)。
公司總部位于江蘇省蘇州市昆山國家高新區(qū)晨豐路18號,并在西安、南京設(shè)立了研發(fā)中心。能訊半導(dǎo)體致力于高能效的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體材料和器件的產(chǎn)業(yè)化,率先在蘇州市昆山高新區(qū)建設(shè)了中國第一家商用氮化鎵電子材料與器件工廠。
能訊半導(dǎo)體自主開發(fā)了氮化鎵材料生長、器件設(shè)計、制造工藝、封裝與可靠性技術(shù),目前已擁有150多項中國及國際發(fā)明專利,其技術(shù)水平和產(chǎn)品指標(biāo)達到國際先進水平。能訊的核心團隊有著豐富的海外從業(yè)經(jīng)驗,目前還保持著眾多氮化鎵技術(shù)的世界紀錄。
能訊緊跟客戶需求,發(fā)布了6 GHz 以下,5 W至300 W 的系列化氮化鎵射頻功放管,同時滿足客戶TDD 及FDD 制式的多模多頻段需求,為客戶帶來了卓越的寬帶線性及效率特性。
能訊以成為領(lǐng)先的高能半導(dǎo)體供應(yīng)商為使命。在保持技術(shù)領(lǐng)先的同時,能訊半導(dǎo)體還將利用本土優(yōu)勢,建立及時響應(yīng)、深度協(xié)助、提升競爭力的服務(wù)標(biāo)準(zhǔn),竭誠服務(wù)客戶。
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