埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣佈推出專為諸如數(shù)位視訊廣播（DVBT）和特高頻（UHF）類比電視等UHF廣播應(yīng)用設(shè)計的BLF989射頻（RF）功率電晶體。
2018-06-07 11:43:23
7780 、航空航天和國防應(yīng)用提供產(chǎn)品和解決方案。高電壓、高功率、堅固耐用的晶體管，具有無與倫比的效率和出色的熱性能。正在尋找無可爭議且可靠的無線電覆蓋范圍？從我們專為 0.4-1 GHz 操作而設(shè)計的完整移動
2021-06-28 18:02:51
RF2126是RF Micro Devices公司生產(chǎn)的大功率線性放大器。它采用先進的砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)處理，設(shè)計用于2.5GHzISM頻段末級線性RF放大，如WLAN和POS終端
2021-04-23 06:14:36
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態(tài)下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結(jié)果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
，該公司還將其大功率GaAs PHEMT器件的工作頻率擴展到6GHz，可用于WiMAX放大器。最近，飛思卡爾半導(dǎo)體宣布推出第一款具有100W輸出功率的兩級射頻集成電路(RF IC)。當由該公司高性價比
2019-07-09 08:17:05
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
大功率晶體三極管的檢測 利用萬用表檢測中、小功率三極管的極性、管型及性能的各種方法，對檢測大功率三極管來說基本上適用。但是，由于大功率三極管的工作電流比較大，因而其PN結(jié)的面積也較大。PN結(jié)較大
2012-06-04 10:58:28
按照大功率 igbt 驅(qū)動保護電路能夠完成的功能來分類，可以將大功率 igbt 驅(qū)動保護電 路分為以下三種類型：單一功能型，多功能型，全功能型。
2019-11-07 09:02:20
IGBT-1200A型測試儀可以測試大功率IGBT（雙極型晶體管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國內(nèi)電子市場上，魚目混珠的產(chǎn)品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
有做大功率PCB板的朋友嗎，電流要200A左右
2016-08-19 10:56:56
通用型TVS管和專用型TVS管；按封裝和內(nèi)部結(jié)構(gòu)，可分為軸向引線TVS管、雙列直插TVS管、貼片式TVS管、大功率TVS管、小功率TVS管等。目前，業(yè)內(nèi)普遍定義，3000W以上的TVS管均屬于大功率
2018-09-27 17:36:26
一、PN結(jié)：大功率TVS和小功率TVS兩者之間的PN結(jié)不一樣，大功率TVS二極管有很大的散熱片，而小功率TVS二極管沒有；二、結(jié)電容：大功率TVS的結(jié)電容可高達上百pF；小功率TVS的結(jié)電容可以做到
2022-05-24 16:18:18
尋求有做過大功率短波項目的人員，27.12M40.68M等的大功率短波功率能達到二百瓦，主要涉及信號震蕩，選頻，放大，耦合，控制精度較高，需符合電磁兼容標準要求YY0505有合作意向的聯(lián)系我***吳先生
2016-07-11 11:38:22
供應(yīng)晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)
2018-11-28 14:29:28
和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)的晶體管，因此基本上僅有功率型。 順便提一下，MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
300V，一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號的晶體管。 3．行推動管的選用彩色電視機中使用的行推動管，應(yīng)選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應(yīng)大于或等于10W
2012-01-28 11:27:38
FCI為混合動力及電動汽車推出大功率連接器設(shè)計
2021-05-10 06:18:51
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42
`IB2729M170是專為S波段ATC雷達系統(tǒng)設(shè)計的大功率脈沖晶體管，該系統(tǒng)工作在2.7-2.9 GHz的瞬時帶寬上。 在C類模式下工作時，該通用基礎(chǔ)設(shè)備在100μs脈沖寬度和10％占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
650W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來的全控型功率半導(dǎo)體器件，它是由MOSFET（場效應(yīng)晶體管）與GTR（大功率達林頓晶體管）結(jié)合，并由前者擔任驅(qū)動，因此具有
2018-10-17 10:05:39
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過100％大功率射頻測試負柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
MOS場效應(yīng)晶體管。所選場效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路的具體要求。小功率場效應(yīng)晶體管應(yīng)注意輸入阻抗、低頻跨導(dǎo)、夾斷電壓（或開啟電壓）、擊穿電壓待參數(shù)。大功率場效應(yīng)晶體管應(yīng)注意擊穿電壓、耗散功率
2021-05-13 07:10:20
情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計的寬帶射頻功放，采用場效應(yīng)管(FET)設(shè)計要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計方便簡單，正是基于場效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
大功率TVS管和小功率TVS管是有應(yīng)用區(qū)別是什么？小封裝大功率SMB30J系列TVS的應(yīng)用是什么？
2022-01-14 07:09:46
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監(jiān)視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
針對可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關(guān)頻率的場效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
大功率的電子元器件怎么理解？大功率的電子元器件有哪些？
2019-02-15 06:36:33
高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補驅(qū)動電路、高壓開關(guān)電路及行推動等電路。常用的國產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
BLF189XRA ，深圳市艾力達科技有限公司備用大量現(xiàn)貨
2022-06-02 17:41:23
大功率開關(guān)晶體管的重要任務(wù)
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；
(1)容易關(guān)斷，所需要的輔
2010-02-06 10:23:49
43 BLF888B,112Ampleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.47 至 0.86 GHz，650 W，20 dB，50 V，LDMOS，SOT-539A零件號： BLF
2024-02-29 16:14:13
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導(dǎo)體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場
2010-09-17 18:29:3120
大功率晶體管驅(qū)動電路的設(shè)計及其應(yīng)用
摘要：介紹了大功率晶體管（GTR）基極驅(qū)動電路的設(shè)計，分析了基極驅(qū)動電路的要求
2009-07-09 10:36:403188 
大功率開關(guān)—晶體管的重要任務(wù)
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；
(1)容易關(guān)斷，
2009-07-29 16:09:521762 
大功率晶體管的修理
2009-08-22 16:08:06349 
TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計
0 引言
TIP41C是一種中壓低頻大功率線性開關(guān)晶體管。該器件設(shè)計的重點是它的極限參數(shù)。設(shè)計反壓較高的大功率晶體管
2009-12-24 17:04:5610381 
美高森美公司近日推出基于碳化硅襯底氮化鎵技術(shù)的射頻 RF 晶體管系列，新型的S波段500W RF器件2729GN-500，主要應(yīng)用在大功率空中交通的機場管制及雷達監(jiān)視等應(yīng)用。
2012-11-30 10:10:10690 晶體管，大功率，晶體管參數(shù)NPN型、大功率開關(guān)管、音頻功放開關(guān)、達林頓、音頻功放開關(guān)。
2015-11-09 16:22:150 荷蘭奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)
2016-01-13 11:14:371706 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。
2016-01-13 15:37:091923 本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-12-07 17:53:08354 關(guān)鍵詞：射頻功率 , LDMOS , BLC2425M10LS500P 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）面向工作在2400MHz至2500MHz頻率范圍內(nèi)的脈沖和連續(xù)波（CW）應(yīng)用，推出500W
2019-01-20 16:51:01561 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時效率為72.5%，為同類最佳，其堅固耐用型設(shè)計也使其成為了工業(yè)和專業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:172639 大功率NPN硅晶體管BUX98/BUX98A數(shù)據(jù)手冊
2021-08-11 14:14:110 硅NPN大功率晶體管2SC2246中文手冊免費下載。
2022-03-21 17:21:5311 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C-Q
2023-02-16 20:10:150 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CH-Q
2023-02-16 20:20:410 50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873-Q
2023-02-16 20:21:310 45 V、4 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148-Q
2023-02-16 20:21:420 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C-Q
2023-02-16 20:21:580 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C
2023-02-16 20:29:070 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C
2023-02-16 20:29:210 50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873
2023-02-16 20:44:110 45 V、4 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148
2023-02-16 20:44:240 NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610035NK
2023-02-17 19:08:240 100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32CA
2023-02-17 19:10:300 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CA
2023-02-17 19:10:430 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31C
2023-02-17 19:30:101 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61003NY
2023-02-17 19:34:120 NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NK
2023-02-17 19:35:190 100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C
2023-02-20 19:35:381 80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11
2023-02-20 19:37:390 80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11A
2023-02-20 19:37:500 80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11
2023-02-20 19:38:021 60 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60610PY
2023-02-21 18:19:050 60 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60610NY
2023-02-21 18:19:170 40 V、15 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60415NY
2023-02-21 18:19:270 40 V、15 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60415PY
2023-02-21 18:19:410 100 V、2 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61002PYCLH
2023-02-23 19:20:190 100V、2A NPN大功率雙極晶體管-PHPT61002NYC
2023-02-27 18:50:451 60 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60606PY
2023-02-27 18:50:560 60 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60606NY
2023-02-27 18:51:080 60 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60603PY
2023-02-27 18:51:280 40 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60406PY
2023-02-27 18:52:010 40 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60406NY
2023-02-27 18:52:170 大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件，屬于電力電子技術(shù)（功率電子技術(shù)）領(lǐng)域研究范疇。其實質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作，通過功率電子器件為負載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:241038 大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設(shè)計和工作條件，因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)（即電流增益）通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比，用β表示。β的大小受到晶體管的結(jié)構(gòu)、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:592057 100 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61010PY
2023-03-02 23:13:570 100 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61010NY
2023-03-02 23:14:120 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61006PY
2023-03-02 23:14:270 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61006NY
2023-03-02 23:14:390 40 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60410PY
2023-03-02 23:14:570 40 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60410NY
2023-03-02 23:15:140 100 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61002NYCLH
2023-03-03 19:27:250 LFPAK56 中的 NXP 大功率雙極晶體管替代繼電器-AN11641
2023-03-03 19:59:430
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