轉(zhuǎn)變，不少專注GaN器件的Fabless公司正在 有著越來(lái)越大的影響力。 ? 器件設(shè)計(jì) GaN器件設(shè)計(jì)根據(jù)類型我們可以分為三個(gè)部分，分別是：射頻、功率和光電子，這次主要關(guān)注的是射頻以及功率方面的應(yīng)用。 ? ? GaN射頻器件設(shè)計(jì) GaN射頻器件主要可以分為三種：大
2022-07-18 01:59:45
4002 ）。另一方面，功率GaN的技術(shù)路線從不同的層面看還有非常豐富的種類。 ? 器件模式 ? 功率GaN FET目前有兩種主流方向，包括增強(qiáng)型E-Mode和耗盡型D-Mode。其中增強(qiáng)型GaN FET是單芯片常關(guān)器件，而耗盡型GaN FET是雙芯片常關(guān)器件（共源共柵Cascode結(jié)構(gòu)）。 ? E-
2024-02-28 00:13:001844 時(shí)間對(duì)手機(jī)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)始終是一種稀缺商品，而手機(jī)射頻部分的集成一直耗費(fèi)著過(guò)多的寶貴開(kāi)發(fā)資源。隨著手機(jī)復(fù)雜性的增長(zhǎng)，射頻IC集成的負(fù)擔(dān)也在不斷加重。然而，隨著無(wú)線手機(jī)OEM廠商開(kāi)始在他們的產(chǎn)品中增加
2019-06-26 08:17:58
可實(shí)現(xiàn)濾波器和放大器的共同集成，因此5G射頻前端還可能會(huì)采用射頻SOI等可實(shí)現(xiàn)集成的技術(shù)。雖然SOI濾波器在6GHz以下5G用途中的應(yīng)用可能還需要若干年的時(shí)間，但是對(duì)于毫米波系統(tǒng)而言，SOI技術(shù)所實(shí)現(xiàn)
2019-03-14 13:56:39
GaN功率集成電路技術(shù):過(guò)去，現(xiàn)在和未來(lái)
2023-06-21 07:19:58
（MOSFET）是在20世紀(jì)70年代末開(kāi)發(fā)的，但直到20世紀(jì)90年代初，JEDEC才制定了標(biāo)準(zhǔn)。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格認(rèn)證對(duì)GaN晶體管而言意味著什么。 標(biāo)準(zhǔn)滯后于技術(shù)的采用，但標(biāo)準(zhǔn)無(wú)需使技術(shù)可靠
2018-09-10 14:48:19
和GaN的特性比較 氧化鎵（GaO）是另一種帶隙較寬的半導(dǎo)體材料，GaO的導(dǎo)熱性較差，但其帶隙（約4.8 eV）超過(guò)SiC，GaN和Si，但是，GaO在成為主要?jiǎng)恿χ皩?b class="flag-6" style="color: red">需要更多的研發(fā)工作。系統(tǒng)參與者
2022-08-12 09:42:07
提到的更豐富，但它也意味著數(shù)字控制也做好準(zhǔn)備迎接GaN。對(duì)于做好準(zhǔn)備迎接GaN的數(shù)字電源控制來(lái)講，它需要時(shí)間基分辨率、采樣分辨率和計(jì)算馬力用于更高的開(kāi)關(guān)頻率、更窄的占空比和精確的死區(qū)時(shí)間控制。圖1和2
2018-08-30 15:05:41
”就是把手機(jī)收起來(lái)的意思；最后，我們終于可以起飛了。我們的行業(yè)發(fā)言人已經(jīng)宣布，“GaN已經(jīng)為黃金時(shí)間做好了準(zhǔn)備。”這個(gè)聲明似乎預(yù)示著GaN已經(jīng)為廣泛使用做好準(zhǔn)備，或者說(shuō)在大量的應(yīng)用中，已經(jīng)可以使用GaN
2018-09-06 15:31:50
、醫(yī)療和汽車等方面的射頻能量應(yīng)用。最近，就磁控管作為加熱源而言，固態(tài)器件的出現(xiàn)為之提供了一種可行的替代、提高技術(shù)，它具有幾個(gè)關(guān)鍵性的優(yōu)勢(shì)：更長(zhǎng)的使用壽命、增強(qiáng)了可靠性、可精確控制射頻功率水平及其投射方向
2017-04-05 10:50:35
。雖然GaN器件在名義上仍存有價(jià)格上的劣勢(shì)，然而，它與磁控技術(shù)相比卻可以節(jié)約一些系統(tǒng)成本。它的電源可以簡(jiǎn)化，無(wú)需采用回掃變壓器，也不再需要用馬達(dá)來(lái)旋轉(zhuǎn)食物承載盤。隨著GaN器件的價(jià)格在不斷的下降，這些在
2017-04-17 18:19:05
能源效率及其小型化能源效率是任何一種電器設(shè)備必須考慮的因素，微波爐也不例外。GaN組件的優(yōu)點(diǎn)是在于其效率要比 LDMOS高10%，更是遠(yuǎn)高于現(xiàn)今使用的需要烹飪不同食物量的磁控管烤爐。雖然碳化硅器件
2017-04-18 15:02:44
、醫(yī)療和汽車等方面的射頻能量應(yīng)用。 最近，就磁控管作為加熱源而言，固態(tài)器件的出現(xiàn)為之提供了一種可行的替代、提高技術(shù)，它具有幾個(gè)關(guān)鍵性的優(yōu)勢(shì)：更長(zhǎng)的使用壽命、增強(qiáng)了可靠性、可精確控制射頻功率水平及其投射
2017-05-01 15:47:21
上要優(yōu)于傳統(tǒng)的磁控管，包括在烹調(diào)過(guò)程中能對(duì)爐內(nèi)的射頻功率電平和射頻能量投射方向進(jìn)行更高的精度的控制。而今的微波爐對(duì)其功率電平或射頻能量的投射方向缺乏必要的有效控制能力，這將導(dǎo)致產(chǎn)生過(guò)度加熱部位和過(guò)度烹飪的結(jié)果。那么大家知道GaN是如何轉(zhuǎn)換射頻能量的？如何在烹飪中的應(yīng)用的嗎？
2019-07-31 06:04:54
為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說(shuō)，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢(shì)越明顯。那對(duì)于手機(jī)來(lái)說(shuō)射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢(shì)越明顯。但對(duì)于手機(jī)而言，氮化鎵材料還有很多難題需要解決，例如功耗、散熱與成本。 不同工藝比較（數(shù)據(jù)來(lái)源于OKI半導(dǎo)體）射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配雖然氮化鎵用到手機(jī)
2016-08-30 16:39:28
非接觸式IC卡又稱射頻卡，是世界上最近幾年發(fā)展起來(lái)的一項(xiàng)新技術(shù)，它成功地將射頻識(shí)別技術(shù)和IC卡技術(shù)結(jié)合起來(lái)，解決了無(wú)源(卡中無(wú)電源)和免接觸這一難題。
2019-08-09 06:49:18
非接觸式IC卡又稱射頻卡，是世界上最近幾年發(fā)展起來(lái)的一項(xiàng)新技術(shù)，它成功地將射頻識(shí)別技術(shù)和IC卡技術(shù)結(jié)合起來(lái)，解決了無(wú)源(卡中無(wú)電源)和免接觸這一難題。
2019-08-12 08:07:01
基站端。手機(jī)終端因?yàn)榭梢苿?dòng)性的要求，頻率還是以6G以下為主，所以GaAs PA還是主流。”而作為已在GaN運(yùn)用中擁有成熟技術(shù)的MACOM，MACOM技術(shù)、射頻功率工程和應(yīng)用領(lǐng)域的杰出研究員Walter
2019-12-20 16:51:12
，該技術(shù)及其應(yīng)用處于初級(jí)發(fā)展階段，存在技術(shù)水平不高、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范不完整等諸多問(wèn)題。但同時(shí)，射頻識(shí)別技術(shù)在我國(guó)又擁有廣闊的發(fā)展前景和巨大的市場(chǎng)潛力，相對(duì)于條碼技術(shù)而言，射頻識(shí)別技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的推廣將是我國(guó)
2019-07-25 07:55:32
手機(jī)在向雙模/多模發(fā)展的同時(shí)集成了越來(lái)越多的RF技術(shù)。手機(jī)射頻模塊有哪些基本構(gòu)成？它們又將如何集成？RF收發(fā)器，功率放大器，天線開(kāi)關(guān)模塊，前端模塊，雙工器，SAW濾波器……跟著本文，來(lái)一一認(rèn)識(shí)手機(jī)射頻技術(shù)和射頻模塊的關(guān)鍵元件們吧！
2019-08-12 06:44:47
手機(jī)在向雙模/多模發(fā)展的同時(shí)集成了越來(lái)越多的RF技術(shù)。手機(jī)射頻模塊有哪些基本構(gòu)成？它們又將如何集成？RF收發(fā)器，功率放大器，天線開(kāi)關(guān)模塊，前端模塊，雙工器，SAW濾波器……跟著本文，來(lái)一一認(rèn)識(shí)手機(jī)射頻技術(shù)和射頻模塊的關(guān)鍵元件們吧！
2019-08-26 07:15:19
伴隨著一輪藍(lán)牙設(shè)備、蜂窩電話和3G、4G時(shí)代來(lái)臨,使得工程師越來(lái)越關(guān)注RF電路的設(shè)計(jì)技巧。射頻(RF)電路板設(shè)計(jì)由于在理論上還有很多不確定性，因此常被形容為一種“黑色藝術(shù)”，那有誰(shuí)知道，RF電路板設(shè)計(jì)哪些準(zhǔn)則和法則需要我們引起重視嗎？
2019-08-02 08:04:54
兩成。對(duì)于中國(guó)手機(jī)品牌而言，能夠拿到更具性價(jià)比的方案，可以大大減少中間成本。結(jié)語(yǔ)當(dāng)市場(chǎng)發(fā)生變革時(shí)，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈和價(jià)值鏈將改變，廠商要么努力適應(yīng)，要么黯然離開(kāi)。襯底供應(yīng)商和代工服務(wù)商將受到這種快速技術(shù)變革的深刻影響。
2017-08-15 12:26:00
一、射頻電路組成和特點(diǎn)：普通手機(jī)射頻電路由接收通路、發(fā)射通路、本振電路三大電路組成。其主要負(fù)責(zé)接收信號(hào)解調(diào)；發(fā)射信息調(diào)制。早期手機(jī)通過(guò)超外差變頻（手機(jī)有一級(jí)、二級(jí)混頻和一本、二本振電路），后才解調(diào)
2019-07-31 07:58:48
目前手機(jī)的射頻電路是以RFIC 為中心結(jié)合外圍輔助控制電路構(gòu)成的，本文檔詳細(xì)介紹了射頻電路中各典型功能模塊工作原理和電路特點(diǎn)，對(duì)于設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)非常實(shí)用。
2012-08-12 01:44:39
設(shè)計(jì)特性范圍內(nèi)工作。 通常手機(jī)的射頻指標(biāo)測(cè)量分為接收機(jī)和發(fā)射機(jī)兩部分。對(duì)于接收機(jī)來(lái)說(shuō)，主要通過(guò)測(cè)量BER或FER來(lái)測(cè)量接收機(jī)的靈敏度，以及RXQual和RXLev等參數(shù)。
2019-05-31 07:09:04
（發(fā)光二極管）背光相對(duì)于CCFL（熒光燈）背光，總節(jié)能可以提高30～35%。顯然，就節(jié)能方面而言，CCFL燈背光技術(shù)應(yīng)該被淘汰。但由于CCFL燈背光技術(shù)相對(duì)LED 背光技術(shù)簡(jiǎn)單很多，生產(chǎn)成本也會(huì)低很多，并且在圖像顯示質(zhì)量方面LED 背光技術(shù)并沒(méi)有顯著優(yōu)勢(shì)，因此，兩種背光LCD還會(huì)同時(shí)存在很長(zhǎng)的一段時(shí)間。
2012-05-22 10:40:09
LED具有哪些傳統(tǒng)光源所不能比擬的優(yōu)勢(shì)？LED面臨哪些技術(shù)上的難題？如何去攻克？
2021-06-03 07:15:02
隨著LTE多頻多模智能手機(jī)時(shí)代的來(lái)臨，新一代智能手機(jī)要求在2G、3G模式基礎(chǔ)上增加支持LTE模式及相應(yīng)的工作頻段，并實(shí)現(xiàn)國(guó)際漫游的工作頻 段，頻段總量接近40個(gè)。頻段的快速增加引發(fā)內(nèi)部射頻(RF
2019-08-21 06:32:20
隨著LTE多頻多模智能手機(jī)時(shí)代的來(lái)臨，新一代智能手機(jī)要求在2G、3G模式基礎(chǔ)上增加支持LTE模式及相應(yīng)的工作頻段，并實(shí)現(xiàn)國(guó)際漫游的工作頻段，頻段總量接近40個(gè)。頻段的快速增加引發(fā)內(nèi)部射頻（RF）天線
2019-08-22 08:33:59
MACOM六十多年的技術(shù)傳承，運(yùn)用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù)，提供標(biāo)準(zhǔn)和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴(yán)苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
。對(duì)于某些產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，GaN與性能直接相關(guān)，它所發(fā)揮的作用只取決于不同的應(yīng)用。 這項(xiàng)技術(shù)能夠影響到人們插入到墻上電源插座中的任何設(shè)備，例如個(gè)人電腦適配器、音頻和視頻接收器以及數(shù)字電視等。插墻式適配器占用
2018-09-11 14:04:25
來(lái)確保潔凈電能的可用性。對(duì)于某些產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，GaN與性能直接相關(guān)，它所發(fā)揮的作用只取決于不同的應(yīng)用。這項(xiàng)技術(shù)能夠影響到人們插入到墻上電源插座中的任何設(shè)備，例如個(gè)人電腦適配器、音頻和視頻接收器以及數(shù)字電視等
2018-09-10 15:02:53
WAPI標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于個(gè)人用戶而言將會(huì)獲得什么利益 對(duì)于個(gè)人用戶而言，WAPI的出現(xiàn)最大的受益就是讓自己的筆記本電腦從此更加安全，因?yàn)?WLAN在進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸時(shí)是完全暴露在半空中的，而且信號(hào)覆蓋范圍廣
2009-11-16 15:03:44
金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技術(shù)而制成。GaN-on-SiC 方法結(jié)合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導(dǎo)熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高
2019-08-01 07:24:28
為何要用GaN技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)5G通信？
2020-12-29 07:30:12
能夠支持更多頻段和精簡(jiǎn)射頻架構(gòu)的手機(jī)上，將3G手機(jī)中使用的GSM、EDGE、WCDMA和HSPA等多種頻段和空中接口模塊整合在一個(gè)高度集成、經(jīng)過(guò)優(yōu)化的RF模塊中。對(duì)RF芯片技術(shù)的不斷完善與升級(jí)已經(jīng)成為
2019-08-23 08:16:02
Qorvo 密切關(guān)注著新興的5G 標(biāo)準(zhǔn)。令人興奮的是，5G 可能包括適用于高數(shù)據(jù)帶寬連接的毫米波(mmW) 功能。隨著PC 電路板空間日益緊湊且5G 環(huán)境中的頻率越來(lái)越高，氮化鎵(GaN) 技術(shù)對(duì)于
2017-07-28 19:38:38
和電機(jī)控制中。他們的接受度和可信度正在逐漸提高。（請(qǐng)注意，基于GaN的射頻功放或功放也取得了很大的成功，但與GaN器件具有不同的應(yīng)用場(chǎng)合，超出了本文的范圍。）本文探討了GaN器件的潛力，GaN和MOSFET器件的不同，GaN驅(qū)動(dòng)器件成功的關(guān)鍵并介紹了減小柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)耦合噪聲技術(shù)。
2019-06-21 08:27:30
的壓力，同時(shí)還能在很大程度上加強(qiáng)信號(hào)的通信。基于這樣的情況之下，我 們選用射頻進(jìn)行通信，可以改善現(xiàn)有的基站通信不足的現(xiàn)象，并且制定一套完整的基站網(wǎng)絡(luò)連接體系，滿足了現(xiàn)有的企業(yè)對(duì)于機(jī)械操作和人工管理的通信需要。
2019-06-19 06:54:07
請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
的頻率交換意味著GaN可以一次轉(zhuǎn)換更大范圍的功率，減少?gòu)?fù)雜裝置中的功率變換。由于每次功率變換都會(huì)產(chǎn)生新的能耗，這對(duì)于很多高壓應(yīng)用都是一項(xiàng)顯著的優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，一項(xiàng)已經(jīng)持續(xù)發(fā)展60年的技術(shù)不會(huì)一夜之間被取代
2019-03-01 09:52:45
作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對(duì)于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)新人來(lái)說(shuō)，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進(jìn)行
2019-07-31 06:44:26
GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速充電系統(tǒng)
2023-06-19 06:20:57
7倍于LDMOS的功率密度。因此，GaN on SiC功率放大器能以相同的尺寸提供大約兩倍的功率輸出。結(jié)果，GaN on SiC已經(jīng)成為高功率射頻應(yīng)用的首選技術(shù)。 GaN on SiC功率放大器
2018-12-05 15:18:26
數(shù)字射頻技術(shù)對(duì)手機(jī)電路設(shè)計(jì)帶來(lái)的影響是什么？
2021-06-01 06:53:56
別無(wú)選擇。另外，增加射頻器件必然會(huì)增加耗電量和成本。 圖1：黃線部分代表的射頻收發(fā)相關(guān)功能約占手機(jī)電路板器件總數(shù)的三分之一。要解決這個(gè)兩難的困境，關(guān)鍵在于不增加器件就能擴(kuò)大手機(jī)功能的技術(shù)，而且要盡量提高核心器件的工作效率，讓手機(jī)增加很少的電路板面積、耗電量和成本就能執(zhí)行更多的無(wú)線電操作。
2019-06-25 07:58:48
433MHZ無(wú)線射頻模塊方案還有315MHZ，470MHZ,915MHZ,2.4GHZ無(wú)線射頻模塊方案有需要詳細(xì)資料的可以留下郵箱+姓名+手機(jī)號(hào)或者致電***不懂技術(shù)的，不要隨便留言。庸人勿擾！謝謝配合
2013-07-30 11:35:24
，還有產(chǎn)生很多額外的令人欣喜的優(yōu)點(diǎn)。比如，負(fù)反饋可能會(huì)使晶體管免于匹配，既不需要匹配就可以與外界很好的接洽了。另外，負(fù)反饋的引入會(huì)提升晶體管的線性性能。射頻PA的效率提升技術(shù)晶體管的效率都有一個(gè)理論上
2021-03-28 07:00:00
機(jī)載雷達(dá)面臨哪些技術(shù)難題？機(jī)載雷達(dá)的信號(hào)是如何分布的？STAP的基本原理是什么？
2021-06-21 06:22:37
。 GaN等突破性技術(shù)的長(zhǎng)期影響是顯著的：較低的功率損耗意味著我們不需要很多新發(fā)電廠來(lái)滿足日益增長(zhǎng)的電力需求。更高的功率密度意味著更多的集成。電池供電電路(例如電動(dòng)車輛、無(wú)人機(jī)和機(jī)器人中的電路)可以
2018-11-20 10:56:25
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
，這對(duì)于很多高壓應(yīng)用都是一項(xiàng)顯著的優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，一項(xiàng)已經(jīng)持續(xù)發(fā)展60年的技術(shù)不會(huì)一夜之間被取代，但經(jīng)過(guò)多年的研究、實(shí)際驗(yàn)證和 可靠性測(cè)試，GaN定會(huì)成為解決功率密度問(wèn)題的最佳技術(shù)。德州儀器已經(jīng)在高于硅材料
2020-10-27 10:11:29
請(qǐng)問(wèn)一下GaN器件和AMO技術(shù)能實(shí)現(xiàn)高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
便攜式無(wú)線設(shè)備可能趨于一致，但是如果你愿意的話，它們的接口可以繼續(xù)分離或“進(jìn)化”。要使手機(jī)在從美國(guó)到歐洲和亞洲的旅行途中能夠繼續(xù)使用，它需要兼容不斷增多的各種不同的協(xié)議、調(diào)制技術(shù)和頻帶，要能夠識(shí)別
2019-05-28 06:38:54
。本文中，我們將為您介紹需要了解的非線性GaN 模型的基礎(chǔ)知識(shí)。什么是非線性GaN 模型？對(duì)許多工程師來(lái)說(shuō)，設(shè)計(jì)PA 的第一步是閱讀晶體管產(chǎn)品的數(shù)據(jù)手冊(cè)并查看S 參數(shù)。S 參數(shù)文件很有用，但有關(guān)器件大信號(hào)
2018-08-04 14:55:07
投影手機(jī)的四大技術(shù)難題
投影作為非常簡(jiǎn)便的輸出技術(shù)，能否重復(fù)觸摸輸入在手機(jī)上的成功？ 業(yè)界傳出的下一代iPhone上要加入的投影功能嗎？由于
2010-04-20 15:12:381075 為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。
2011-12-01 10:13:101513 手機(jī)射頻技術(shù)和手機(jī)射頻模塊解讀
2017-01-12 21:57:34
66 鎵(Ga)是一種化學(xué)元素，原子序數(shù)為31。鎵在自然界中不存在游離態(tài)，而是鋅和鋁生產(chǎn)過(guò)程中的副產(chǎn)品。 GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構(gòu)成，最常見(jiàn)的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。GaN-on-SiC在射頻
2017-11-22 10:41:028545 該晶圓產(chǎn)品具備高晶體質(zhì)量、高材料均勻性、高耐壓與高可靠性等特點(diǎn)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)材料有效壽命超過(guò)1百萬(wàn)小時(shí)，成功解決了困擾硅基GaN材料應(yīng)用的技術(shù)難題，適用于中高壓硅基GaN功率器件的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
2018-01-04 15:36:5315710 
典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長(zhǎng)-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場(chǎng)板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。
2018-10-26 17:33:0610616 本次會(huì)議將介紹恩智浦用差異化的GaN技術(shù)，推出的面向蜂窩通訊頻段高功率產(chǎn)品應(yīng)用（包括全蜂窩通訊頻段射頻功率產(chǎn)品組合）。
2019-01-09 07:26:003102 
在射頻和功率應(yīng)用中，氮化鎵（GaN）技術(shù)正日益盛行已成為行業(yè)共識(shí)。GaN器件分為射頻器件和電力電子器件，射頻器件產(chǎn)品包括PA、 LNA、開(kāi)關(guān)器、 MMIC等，面向基站衛(wèi)星、雷達(dá)等市場(chǎng)；電力電子器件
2019-02-03 12:54:0011329 目前射頻前端元器件基本均由半導(dǎo)體工藝制備，如手機(jī)端的功率放大器（PA）和低噪聲放大器（LNA）主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻（RF）開(kāi)關(guān)主要基于CMOS、Si、GaAs
2019-02-14 10:49:381650 在5G這場(chǎng)沒(méi)有硝煙的戰(zhàn)場(chǎng)上，所有廠商都在蓄力以待，盡管5G第二階段標(biāo)準(zhǔn)還沒(méi)出爐，5G牌照也沒(méi)有準(zhǔn)確的發(fā)放日期，但對(duì)于戰(zhàn)場(chǎng)上的新兵老將而言，尤其是手機(jī)廠商，已經(jīng)做好了準(zhǔn)備工作，只待時(shí)機(jī)成熟，一展雄風(fēng)。
2019-03-03 12:30:00590 OLED面板，可見(jiàn)此時(shí)對(duì)于京東方來(lái)說(shuō)首要解決的是OLED面板的生產(chǎn)良率和產(chǎn)能問(wèn)題，在這個(gè)時(shí)候它與華為合作研發(fā)折疊OLED面板自然面臨不少的技術(shù)難題。
2019-03-08 09:21:033326 自從20年前第一批商用產(chǎn)品問(wèn)世，GaN在射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域已成為L(zhǎng)DMOS和GaAs的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，并且，正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件幾乎同時(shí)
2019-05-09 10:25:184319 
我國(guó)射頻識(shí)別技術(shù)擁有廣闊的發(fā)展前景和巨大的市場(chǎng)潛力。相對(duì)于條碼技術(shù)而言，射頻識(shí)別技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的推廣將是我國(guó)自動(dòng)識(shí)別行業(yè)的一場(chǎng)技術(shù)革命。
2019-09-25 17:06:43826 對(duì)于智能手機(jī)而言，GaN的高性能和小尺寸等優(yōu)點(diǎn)吸引著OEM廠商。GaN功率放大器（PA）是否被采用，將取決于未來(lái)五年GaN技術(shù)成熟度、供應(yīng)鏈、成本以及OEM發(fā)展策略。
2020-06-02 09:18:202360 對(duì)于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個(gè)晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個(gè)晶片的成本。
2020-07-04 10:32:521862 氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢(shì)越明顯。但對(duì)于手機(jī)而言，氮化鎵材料還有很多難題需要解決。網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與反導(dǎo)雷達(dá)等領(lǐng)域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件，這使得市場(chǎng)
2020-10-09 10:44:001 知名市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Yole Développement（Yole）在其報(bào)告中表示，在過(guò)去的幾年中，射頻（RF）應(yīng)用由于 GaN 技術(shù)的實(shí)施而得到了推動(dòng)。但 GaN RF 市場(chǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力仍然是電信
2020-09-17 17:10:30864 
。GaN技術(shù)性能比LDMOS更好，非常適合5G高頻應(yīng)用的需求，不過(guò)價(jià)格相對(duì)更貴，而且在制造上還有一些難度，導(dǎo)致
2022-12-01 15:38:292501 以5G為代表的Sub 6G通信射頻系統(tǒng)非常復(fù)雜，尤其是那些需要使用高載波頻率和寬頻帶的新技術(shù)，包括載波聚合、Massive MIMO等。為此，很多半導(dǎo)體公司在技術(shù)上全面開(kāi)花希望利用先進(jìn)的半導(dǎo)體
2020-10-26 10:06:333257 技術(shù)難題 屏下指紋識(shí)別是利用光的折射和反射原理，需要手機(jī)屏幕有較強(qiáng)的透光性。而手機(jī)LCD屏幕的結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，沒(méi)有自發(fā)光的光源，需要依靠背光燈來(lái)實(shí)現(xiàn)顯示，光線無(wú)法穿透屏幕，導(dǎo)致指紋提取困難，無(wú)法
2021-03-25 14:54:251829 氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙材料，在高功率射頻 (RF) 應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。
2021-07-05 14:46:502779 
。正如任何嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)師都會(huì)告訴您的那樣，每種材料都需要權(quán)衡取舍。要充分利用 GaN 射頻功率放大器的全部?jī)?yōu)勢(shì)，通常需要在方法上進(jìn)行小幅轉(zhuǎn)變，結(jié)果非常值得付出努力。 在探索設(shè)計(jì)最佳實(shí)踐之前，有必要先解決關(guān)于 GaN 的常見(jiàn)誤解。 對(duì) GaN 的誤解 成本 工程
2022-07-15 11:47:261199 射頻芯片設(shè)計(jì)面臨的難題是非常多的，有設(shè)計(jì)者理論及經(jīng)驗(yàn)方面的主觀因素，最大的難題還是工藝及封裝的客觀限制因素。
2022-07-28 14:08:171429
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