RF CMOS 工藝可分為兩大類：體硅工藝和SOI（絕緣體上硅）工藝。由于體硅CMOS 在源和漏至襯底間存在二極管效應，造成種種弊端，多數專家認為采用這種工藝不可能制作高功率高線性度開關。與體硅不同，采用SOI 工藝制作的RF 開關，可將多個FET 串聯來對付高電壓，就象GAAS 開關一樣。

盡管純硅的CMOS 制程被認為僅適用于數字功能需求較多的設計，而不適用于以模擬電路為主的射頻IC 設計，不過歷經十幾年的努力后，隨著CMOS 性能的提升、晶圓代工廠在0.25mm 以下制程技術的配合、以及無線通信芯片整合趨勢的引領下，RF CMOS 制程不僅是學界研究的熱門課題，也引起了業界的關注。采用RF CMOS 制程最大的好處，當然是可以將射頻、基頻與存儲器等組件合而為一的高整合度，并同時降低組件成本。但是癥結點仍在于RF CMOS 是否能解決高噪聲、低絕緣度與Q 值、與降低改善性能所增加制程成本等問題，才能滿足無線通信射頻電路嚴格的要求。

目前已采用RF CMOS 制作射頻IC 的產品多以對射頻規格要求較為寬松的Bluetooth 與WLAN 射頻IC，例如CSR、Oki、Broadcom 等Bluetooth 芯片廠商皆已推出使用CMOS 制造的Bluetooth 傳送器；英特爾公司宣布已開發出能夠支持當前所有Wi-Fi 標準（802.11a、b和g）并符合802.11n 預期要求的全CMOS 工藝直接轉換雙頻無線收發信機原型，包括了5GHz 的PA，并輕松實現了發送器與接收器功能的分離。而Atheros、Envara 等WLAN 芯片廠商也在最近推出全CMOS 制程的多模WLAN(.11b/g/a)射頻芯片組。

手機用射頻IC 規格非常嚴格，但是堅冰已經被打破。Silicon Labs 最先以數字技術來強化低中頻至基頻濾波器及數字頻道選擇濾波器功能，以降低CMOS 噪聲過高的問題所生產的Aero 低中頻GSM/GPRS 芯片組，英飛凌立刻跟進，也大量推出RF CMOS 工藝的產品，而高通在收購Berkana 后，也大力采用RF CMOS 工藝，一批新進射頻廠家無一例外都采用RF CMOS 工藝，甚至是最先進的65 納米RF CMOS 工藝。老牌的飛利浦、FREESCALE、意法半導體和瑞薩仍然堅持用傳統工藝，主要是SiGe BiCMOS 工藝，諾基亞仍然大量使用意法半導體的射頻收發器。而歐美廠家對新產品一向保守，對RF CMOS 缺乏信任，但是韓國大廠三星和LG 還有中國廠家夏新和聯想，在成本壓力下，大量采用RF CMOS 工藝的收發器。目前來看，缺點可能是故障率稍高和耗電稍大，并且需要多塊芯片，增加設計復雜程度。但仍在可忍受的范圍內。

其他應用領域還包括汽車的安全雷達系統，包括用于探測盲區的24GHz 雷達以及用于提供碰撞警告或先進巡航控制的77GHz 雷達；IBM 在此領域具備領導地位，2005 年推出的第四代SIGE 線寬有0.13 微米。

Ultra CMOS

SOI 的一個特殊子集是藍寶石上硅工藝，在該行業中通常稱為Ultra CMOS。藍寶石本質上是一種理想的絕緣體，襯底下的寄生電容的插入損耗高、隔離度低。Ultra CMOS 能制作很大的RF FET，對厚度為150~225μm 的正常襯底，幾乎不存在寄生電容。晶體管采用介質隔離來提高抗閂鎖能力和隔離度。為了達到完全的耗盡工作，硅層極薄至1000A。硅層如此之薄，以致消除了器件的體端，使它成為真正的三端器件。目前，Ultra CMOS 是在標準6 寸工藝設備上生產的，8 寸生產線亦已試制成功。示范成品率可與其它CMOS 工藝相媲美。

盡管單個開關器件的BVDSS 相對低些，但將多個FET 串聯堆疊仍能承愛高電壓。為了確保電壓在器件堆上的合理分壓，FET 至襯底間的寄生電容與FET 的源與漏間寄生電容相比應忽略不計。當器件外圍達到毫米級使總電阻較低時，要保證電壓的合理分壓，真正的絕緣襯底是必不可少的。

Peregrine 公司擁有此領域的主要專利，采用Ultra CMOS 工藝將高Q 值電感和電容器集成在一起也很容易。線卷Q 值在微波頻率下能達到50。超快速數字電路也能直接集成到同一個RF 芯片上。該公司推出PE4272 和PE4273 寬帶開關例證了UltraCMOS 的用處(見圖)。這兩個75Ω 器件設計用于數字電視、PC TV、衛星直播電視機頂盒和其它一些精心挑選的基礎設施開關。采用單極雙擲格式，它們是PIN 二極管開關的很好的替代品，它們可在改善整體性能的同時大大減少了元器件的數量。