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01有關PA放大后噪聲惡化問題
Q：我想問一個噪聲惡化問題，之前做PA在放大一個單音信號，從頻譜儀上看，間隔基波幾十兆的頻率會有一個小山坡（鼓包）一樣的雜波，RBW改小以后發現并不是單音雜散，有點類似于底噪惡化，不是外部電源引入的，調整匹配也無法消除。這種間隔基波的底噪惡化是什么原因呀？類似于紅色曲線這樣的呈現。
A：不加激勵，或者輸入接負載會怎么樣？你覺得有弱自激嗎？
Q：看不到。
A：可以看一下柵極的電壓的波形，尤其是紋波，是否有同頻信號。
Q：當時我電源都外供過，確認過沒有。另外，修改鏈路匹配，這個底噪惡化的頻率會偏移，不固定的。
A：或者換個頻點再看一下，看看跟單音的間距變不變？另外可以變換輸入功率，看看鼓包幅度有沒有變化。
A：加不加上蓋板?貼不貼吸波材料有變化嗎？
A：如果是固定的幾十兆一般有可能是電源帶進來的，電源或者地不干凈都有可能。
Q：頻帶內都有，當時我是固定輸入激勵幅度，增大vg來提高增益推大功率，功率越大幅度越高。幾十兆會根據匹配電路改變而出現頻率偏移。我還查了不同頻段的應用，發現都有這個問題，但是我當時做的那個就特別高。我也有看過布局電源走線，因為其他板子的應用同樣有問題，不傾向于電源走線。不上蓋板也一樣有這個底噪惡化。
A：一般底噪惡化是整體抬高。
Q：最終我的解決辦法是：在小信號輸入那里將一個串聯的耦合電容改到了非常小 2-3pF，然后這底噪惡化就降低下來了。指標雖然過了認證，但無法消除，但是原因我也沒確認下來。
A：你有看過你的S11差嗎？
Q：小信號的S11看了我覺得沒有意義，我當時那個應用是偏B與AB類的應用，是通過調柵壓來使得功率增大的，增益會出現擴張。
A：圖中定義的雜散，大家覺得隨頻譜儀RBW改變會變還是不變那種？
Q：頻率應該是不變的。
A：我也遇到過類似的，是不是沒個芯片鼓包的位置還不完全一致，之前發現電源上有一個噪聲包。
Q：我當時看了那個方案的應用，各頻段應用的板子都會有鼓包，頻率不一樣，因為有些板子幅度比較低，就一直沒有關注到。我外供了所有電源還是有。你那個現象最終是定位到電源噪聲包對吧？
A：我們發現低頻電源噪聲變頻到PA發射的邊帶。
02有關電容Q值仿真的問題
Q：想問一下，大家仿真時看電容的Q值時怎么看的，是當作單端口處理么，另外一端接地來計算么？還是當作兩端口，另外一端接50歐到地？
A：這倆看的結果有啥區別嗎？
Q：有區別，電容等效電路不一樣，算出來就不一樣。
A：Q 本身在復雜的網絡里面就沒有很嚴格的定義，最嚴格的是從能量損耗的角度，就你說的情況，一個叫元件的 unloaded Q, 一個叫 loaded Q，?后者在匹配網絡里面通常認為跟帶寬反比，但其實在高階網絡里面可能已經不成立。
A：有載網絡Q和無載網絡Q書上有講，有載Q跟整個網絡所有節點Q值都相關，但是到了有源器件，這個就太復雜了。
書上定義是存儲的能量與消耗的能量比值是有載Q。無源網絡的帶寬由節點Q值較大處決定。
03有關5M8RB線性度較差問題
Q：請教一下，有個B40 ACLR的問題，3.8V供電10M full RB或者5M full RB下，E_UTRA和UTRA1都有-40以下，3.4V供電(未做APT)5M full RB狀態下UTRA1也仍然能保持在-40左右。
但是如果切成PRB（8RB），start RB選high，右邊的+UTRA1就只有-34.5左右了，離3GPP標準只剩2dB左右的余量，看了低中高三個信道都有這個現象，還有就是如果把RB總數改成4或者2或者＞8的時候，都要比RB數是8的時候好很多，請問有誰知道這個要怎么優化呢？
Q：目前優化過PAIN和 loadpull位置的匹配都改善不大，也試過調bias也無明顯效果，就降功率還能稍微有點提升，不知道怎么解了，求大神指導。
A：建議還是把PA取下來，焊接豬尾巴，看看負載阻抗點，和PA廠家提供的Load pull曲線對比看看。
Q：看過loadpull，就有50ohm附近，跟推薦的差別不大，現在full. RB三個信道ACLR都是很好的，之前PRB的UTRA1有問題。
A：飽和功率有多少？
Q：飽和功率能到27dBm，寄存器用的廠商提供的，沒作修改就有這個問題。
A：那應該是芯片本身問題，估計是芯片里面的PA和BAW filter調試問題。實在不行就分開片子，一級一級測找問題。
A：降功率有用，那試試提高Vcc，如果也有用的話就是PA飽和功率不夠。
Q：沒做APT呢，提VCC沒用，固定3.4V的電壓了。
A：強發狀態下改改呢？
Q：強發功率可以發得高，電壓我都是選3.4V發的，這個倒是可以試下，雖然非信令強發的不一定很準，不過也能看看趨勢，多謝。
A：我的意思是強發，通過修改RGI控制輸出功率還是22.9左右，然后手動把Vcc提高，看看ACLR是否有改善。
Q：嗯，我知道，不過有個問題就是就算是VCC有影響，也沒法改善啊，正常來說做了APT，抬VCC肯定是能優化的，而且還得考慮功耗是否達標。
A：如果回退功率和提高Vcc都有用，說明PA的P-3不夠，就應該調PA的loadpull，往功率點去拉了。這樣必定是會犧牲功耗。
Q：能提就好了，就是我這個目前沒做APT，VCC電壓是固定3.4V的，校準的時候把VCC修改提升了也沒效果。還有一個就是，如果是loadpull在的位置增益不夠高的原因的話，是可以往增益高的位置去拉，但是很奇怪的是5M只有PRB（#RB=8）是最差的，但是#RB=2 ?#RB=4的時候，ACLR都要好很多，而且RB數是2和4的時候功率跟8的時候也都是差不多的，23dBm左右。非信令強發提高PA Bias(VCC)ACLR沒改善，應該跟我們產品沒做APT，鎖死VCC供電電壓（3.4V）有關。
A：不同帶寬和RB下看到的線性度有不同是正常現象，詳細分析可以參考問答群第4期的問題7：如果是FRB的話，不考慮記憶效應（通常在20M帶寬內記憶效應不明顯），不同帶寬測出來的EUTRA ACLR結果差別不大，因為這個是積分帶寬和offset在比值上是一樣的。
你說的小帶寬的ACLR變差，應該說的是UTRA-1.6/5M的ACLR，這個原因在于UTRA ACLR定義的鄰道到主信道的offset和主信道的帶寬是相關的，但積分帶寬是不變的，當主信道帶寬變大（RBallocation不變），UTRA積分channel就會因為offset變大而遠離主信道，積分到的鄰道能量就越小，導致體現到ACLR是變好的。比如對于1.4M和5M的信號，同樣是測E-UTRA/UTRA這些信號，帶外積分不一樣，得到的ACLR就會不同。5M8RB的Margin確實會小。
點擊圖片跳轉至第四期問答
不過5M8RB的UTRA和5M Full RB的Margin上差3~4dBc，絕對值上差2dBc左右比較合理，你的值上看絕對值差了7dBc確實有些多了。可以檢查有沒有其他問題。比如：
1. 檢查5M8RB的左邊和右邊，以及高中低頻點看是否一樣，排除是否是濾波器影響；
2. 找PA廠商提供EVB上5M8RB與5M Full RB的測試結果，看是否PA特性即是如此；
3. 小功率查看不同波形區別，如果小功率也區別明顯，則可能是RFIC的問題。
04有關LNA自激問題
Q：網分看到的，這個是自激嗎？
A：這是PA？增益怎么負的？關注下電流是不是異常偏大。
Q：是LNA，現在發現需要借助網分的smooth功能對s參數優化。
A：S21有異常尖峰凸起，代表測這個點時2端口接收到了明顯的信號。有可能是自激震蕩了，但也有可能是這個頻點有額外的干擾信號，造成2端口接收到的信號能量變大，計算S21變大。
要確認是否是自激震蕩還需要做些實驗，最好用頻譜儀來觀察看是否有雜波頻譜。網分看到的是小信號S參數，信息不夠直接。
05有關Signal Studio里配置問題
Q：問下有用過NR的軟件嗎？下圖這里對應不同config區別是啥？
A：一直準備用89600，沒有license，應該是配置一些上下行時隙配比和數據幀格式吧。
A：這個不是89601，是signal studio，這三種提供了標準的配置。frc在3gpp附錄里面有規定配置。
Q：嗯嗯?搞定了?里面定義不同RB配置生成以及調制階數。
06有關Smith圓圖問題
Q：請問哪本書有講Smith圓圖講得比較詳細嗎？
A：b站有教學視頻，smith圓圖怎么從直角坐標變換為極坐標，并且為什么換算完后是一個圓
Q：好，我去搜搜看。
07有關RF Crossovers器件
Q：請問RF Crossovers這種器件做什么用的？
A：波束賦型，有種巴特勒矩陣上有用。
08有關濾波器群延時的問題
Q：請問群延時有沒有計算公式，怎么算出來多少ns ，多少ns 會有影響？
A：Group?Delay=-dH(jw)/dw。
Q：這個公式我知道，比如濾波器有些群延時比較大，有些小。大的抖動厲害不好，OFDM子載波?通過濾波器?多大會有影響，比如BAW通用就是20ns附近。
A：換成相位誤差，用EVM的公式可以大致算。
09有關微帶線的擊穿問題
Q：第十四期問題5里有提到：”擊穿有兩種，電壓擊穿和電流擊穿“。可以指教一下什么是微帶線的電流擊穿嗎，我找了很多資料都只說了電壓擊穿。
點擊圖片跳轉至第十四期問答
A：應該說的是失效模式。
Q：微帶線有電流擊穿這個說法嗎，有個朋友非說有，給我整蒙了。
Q：他的意思是用線寬的通直流能力去衡量射頻信號的等效電流，等效電流應小于微帶線通直流能力。我查到的資料是微帶線只有電壓擊穿，也就是介質擊穿，用這個值算的話，功率容量很大的。
A：電壓擊穿一般是介質擊穿，介質擊穿的電壓是很大的。而對于射頻電流或者直流電流，我一般是考慮其等效均值電流。
A：所有的擊穿可以分為兩種，一種是電壓擊穿，一種是電流擊穿，這個分界線也比較模糊，電壓擊穿可以理解為全開路狀態，電流擊穿可以認為是短路狀態，中間的狀態我們可以不管它，因為也可能兩種擊穿是存在；電流擊穿最直觀的現象就是過熱，因為微帶線也是有電阻的；電壓擊穿有一種情況，就是微帶線和旁邊的低距離很近（或者微帶線拐彎兒處有尖角）這種會因為高壓的存在導致有點火花存在，今兒燒壞。
對于微帶線而言，考慮電流的情況為大多數，如上面老兄所屬，介質的擊穿電壓非常高。
Q：好的，感謝答疑，考慮電流，就是考慮其等效電流嗎？
A：對，因為熱是沒有瞬間一說，或者說溫升是一個時間積累的過程，所以瞬時電流沒有意義，需要靠等效電流，即一段時間內的電流平均值。
Q：好的，清楚了，感謝。
10有關PA Bonding線寄生電感影響
Q：請問一下大家，就是bonding線的電感導致PA的power高頻下降很嚴重，是6G 頻段cmos工藝，有什么好的方法解決呢？
A：這里的bonding線是RF輸出的還是電源地上的呢?
A：不是wifi的，bonding線是電源端，多大的交流電流?
Q：100ma左右。
A：把die的位置挪一下，縮短點，或者多打幾根線。
Q：好的。
11有關Buck電源不穩定問題
Q：請教各位大佬一個問題，Buck電源的SW引腳在什么情況下會出現這個波形？
A：應該是負反饋不穩定導致。
Q：好的，謝謝。
12有關放大器輸入功率損耗的理解
Q：請問大家怎了理解：放大器的輸入功率最是終消耗在哪里了，還是反射到哪里了？
A：可以看看三極管的等效模型，共射極的情況下，消耗在Rbe上了。
Q：你好，場管呢？
A：另一個角度，無論三極管還是場效應管，輸入都是有阻抗的，阻抗實部不能是0，都可以等效成一端接地的電阻。
A：場效應管，雖然輸入直流電流不能流過，但是交流電流可以流入晶體管，所以也會消耗能量。
Q：刪源交流電阻嗎？
A：嗯，里面肯定是有阻性的。
A：輸入阻抗中的這個等效電阻，可以理解為把部分輸入功率轉化成了熱量。輸入阻抗的虛部，物理意義上，不會把輸入功率變成熱，而是存儲或者耦合給了其他端口。個人理解，歡迎指正。
Q：好?謝謝大家。
13有關Doherty PA負載設計問題
Q：大佬，Doherty PA 需要牽引輔功放開啟點對應的最優輸出阻抗值嗎？
A：輔功放才開啟，有啥最優輸出阻抗的。未開啟時保證它在合路點的開路效果；飽和時做到匹配到最佳功率點阻抗就好了吧。
審核編輯：湯梓紅
工商網監
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