8050晶體管是一種小型設備，用于引導便攜式無線電中的電流。數字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數字名稱，以便更容易識別和區分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
從5G到6G，未來的通訊將改變中國科技智能的方方面面，面對科技爆發的新時代，華為從無到有，從弱到強，引領著通訊科技前沿變革，對國家科技領域的振興和發展貢獻力了力量。了解6G也能更好的看清更遠的路，和美國發展6G的動機和目的，開闊視野，提高自身的辨識高度。
2021-09-04 09:22:44
日前，工信部IMT-2020（5G）無線技術工作組組長粟欣透露6G概念研究將在今年啟動。這意味著中國與全球同步開始6G研究。除了中國，美國、俄羅斯、歐盟等國家和地區也在進行相關的概念設計和研發工作
2019-08-16 07:16:39
如果平衡電阻與發射極串聯，則雙極晶體管（BJT）可以并聯連接。隨著溫度的升高，BJT通常會變得更具導電性。以下MMBT2222A數據表中的示例顯示了該器件的典型增益如何隨溫度在允許的工作范圍內變化而
2018-10-26 14:45:42
:dodo1999@vip.163.com雙極晶體管陣列 (BJT)DMMT5401-7晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 200 mA, SOT-26封裝, 300 MHz, 6引腳規格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
？5. 連續脈沖？單脈沖？6. 平均功耗是否在周圍溫度的額定功率以下？功率計算的積分公式使晶體管工作會產生電氣負載和熱負載。對晶體管來講，負載太大壽命會縮短，最壞的情況下會導致晶體管被破壞。為防止這種
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
繼電器線圈時，晶體管的導通與關斷控制著線圈中電流的通過。此時，當晶體管由導通狀態向截止狀態轉換時，集電極（線圈中）的電流的突然減小，線圈將會產生一個反電動勢，并作用于集電極。這個反電動勢將高達數百伏（V
2017-03-28 15:54:24
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-04-10 06:20:24
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結構和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發
2018-11-28 14:29:28
不同的是，用于放大或導通/關斷的偏置電流會流經晶體管（基極）。 另外，MOSFET中有稱為“導通電阻”的參數，尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導通電阻”這個參數。世界上最早的晶體管
2020-06-09 07:34:33
有效芯片面積的增加，(2)技術上的簡化，(3)晶體管的復合——達林頓，(4)用于大功率開關的基極驅動技術的進步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關晶體管復合(達林頓)和并聯都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
自來水的閥門，從而調節水龍頭噴出的巨大的水量（即集電極電流）。借此，可以通俗地領會這一原理。6. 正確說明。下面通過圖1及圖2對晶體管的增幅原理作進一步詳盡的說明。與輸入電壓e和偏壓E1構成的基極-發射極
2019-05-05 00:52:40
、2SD1431、2SD1553、2SD1541等型號的高反壓大功率開關晶體管。 6．達林頓管的選用達林頓管廣泛應用于音頻功率輸出、開關控制、電源調整、繼電器驅動、高增益放大等電路中。 繼電器驅動電路與高增益
2012-01-28 11:27:38
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
您好，為了模擬ADS軟件中基于雙極晶體管的電路，我們將基板與發射器連接，還是允許空氣？謝謝 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文hello,to simulate a circuit based
2018-12-18 16:11:14
The IBM43RF0100 Silicon-Germanium (SiGe) HighDynamic Range, Low-Noise Transistor is a
2009-05-12 11:35:41
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統。 當在規定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時，該通用基本設備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統。 當在規定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時，該通用基本設備可提供至少
2021-04-01 10:29:42
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-03-27 06:20:04
MAPRST0912-50硅雙極晶體管產品介紹MAPRST0912-50報價MAPRST0912-50代理MAPRST0912-50咨詢熱線MAPRST0912-50現貨,王先生
2018-08-09 09:57:23
MRF1004MB硅雙極晶體管產品介紹MRF1004MB報價MRF1004MB代理MRF1004MB咨詢熱線MRF1004MB現貨,王先生15989509955 深圳市首質誠科技有限公司
2018-08-09 10:01:09
MRF317硅雙極晶體管產品介紹MRF317報價MRF317代理MRF317咨詢熱線MRF317現貨,王先生15989509955 深圳市首質誠科技有限公司MRF317主要用于寬帶大信號輸出放大器級
2018-08-07 17:02:08
MRF321硅雙極晶體管產品介紹MRF321報價MRF321代理MRF321咨詢熱線MRF321現貨,王先生15989509955 深圳市首質誠科技有限公司MRF321主要用于寬帶大信號驅動器
2018-08-08 11:12:43
MRF327硅雙極晶體管產品介紹MRF327報價MRF327代理MRF327咨詢熱線MRF327現貨,王先生15989509955 深圳市首質誠科技有限公司MRF327主要用于寬帶大信號輸出級
2018-08-08 11:22:49
MRF422硅雙極晶體管產品介紹MRF422報價MRF422代理MRF422MRF422現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司MRF422主要用于高功率線性放大器的設計，從2到30 MHz優勢產品
2018-10-09 12:10:05
） 電流放大以下分析僅適用于NPN硅晶體管。如上圖所示，我們將流向基極 B 流向發射極 E 的電流稱為基極電流 Ib;從集電極C流向發射極E的電流稱為集電極電流Ic。這兩個電流的方向都是從發射極流出
2023-02-08 15:19:23
，電壓源耦合到PNP晶體管。這一次，發射極連接到電源電壓V抄送通過負載電阻器，RL，限制流過連接到集電極端子的設備的最大電流。基電壓VB相對于發射極偏置負，并連接到基極電阻R。B，用于再次限制最大基極
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
(HBT)
AlgaAs/GaAs 異質結雙極晶體管 (HBT) 用于頻率高達 Ku 頻段的數字和模擬微波應用。HBT 可以提供比硅雙極晶體管更快的開關速度，主要是因為基極電阻和集電極到基板的電容降低
2023-08-02 12:26:53
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
光電器件相關聯，其特點是響應速度快（響應時間為數十皮秒），適合集成。這些類型的器件有望應用于光電集成。》 雙極晶體管雙極晶體管是音頻電路中常用的一種晶體管。雙極性是由兩種半導體材料中的電流流動引起的。雙極晶體管
2023-02-03 09:36:05
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
必須將基端子接地，如圖6所示。 圖6.PNP晶體管的開關電路 用于計算集電極電流、基極電阻和電壓的PNP晶體管方程與NPN計算中使用的公式相同。區別在于開關電流。對于PNP，開關電流是源電流
2023-02-20 16:35:09
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應用呢？如何去實現絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設計呢？
2022-01-14 07:02:41
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
電路之一是具有發射極偏置電路的自偏置功能，其中一個或多個偏置電阻器用于為三個晶體管電流（I B）設置初始DC值 ， （I C）和（I E）。雙極晶體管偏置的兩種最常見形式是：Beta依賴和Beta獨立
2020-11-12 09:18:21
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
、電壓用示波器確認晶體管上的電壓、電流。需要全部滿足規格書上記載的額定值，特別應該確認下列項目。特別應該確認的項目晶體管的種類電壓電流雙極晶體管集電極發射極間電壓 : VCE集電極電流 : IC數字晶體管
2019-05-05 09:27:01
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
異質結雙極晶體管
2012-08-20 08:57:47
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有下面的關系式。■數字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數字晶體管的型號說明IO和IC的區別GI和hFE的區別VI(on)和VI(off)的區別關于數字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數字晶體管的情況）關于數字晶體管
2019-04-09 21:49:36
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
換向故障損壞。總之，與用于LLC拓撲應用的Si和SiC晶體管相比，GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價值。
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
求購雙極晶體管BD249C，NPN，30個，要求現貨。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
用IBM43RF0100EV評估板評估IBM43RF0100 SiGe晶體管性能
2009-05-12 11:46:34
柵雙極晶體管（IGBT）實現此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優點，包括更低的開關損耗、更佳的壓擺率控制和改進的器件保護。
2020-10-27 06:43:42
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導體結構分析略。本講義附加了相關資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發展1947年的圣誕前某一天，貝爾實驗室中，布拉頓平穩地用刀片在三角形金箔上劃了一道細痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導線，隨即準確地壓進鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數據庫以外,更多更多晶體管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
硅技術的迅猛發展使工程師們能夠設計和創建出新型電路，這些電路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(異質結雙極晶體管)和PHEMT技術才能達到，電路的核心就是鍺化硅(SiGe)工藝
2019-07-30 07:56:50
一直采用陶瓷或表面聲波(SAW)技術構建，而RF功放器則一直使用GaAs異質結雙極晶體管(HBT)或FET器件構建。由于這些技術與RFIC使用的硅或SiGe工藝有著很大區別，因此功放器和濾波器一直作為
2019-06-25 07:04:59
一直采用陶瓷或表面聲波(SAW)技術構建，而RF功放器則一直使用GaAs異質結雙極晶體管(HBT)或FET器件構建。由于這些技術與RFIC使用的硅或SiGe工藝有著很大區別，因此功放器和濾波器一直作為
2019-06-26 08:17:57
應用評估板評估IBM43RF0100 SiGe HBT晶體管在 1.9GHz CDMA驅動器應用情況;
The IBM43RF0100 Silicon-Germanium (SiGe
2009-05-12 11:32:43
31 絕緣柵雙極晶體管（IGBT)
基礎知識絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET復合，結合二者的優點1986年投
2009-04-14 22:13:39
6003 
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一．絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:001282 
使用雙極晶體管的發射極接地放大電路圖
2009-08-08 16:14:36804 
絕緣柵雙極晶體管原理、特點及參數
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
2009-10-06 22:56:595421 
絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（Power MOSFET）的優點，具有
2009-11-05 11:40:14604
雙極晶體管
2009-11-07 10:44:021352 異質結雙極晶體管,異質結雙極晶體管是什么意思
異質結雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡稱HBT)基區(base)異質結SiGe外延(圖1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:554866 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:465920 雙極晶體管屬于電流控制器件，即加入變動的基極電流，產生集電極電流的變動。
2011-03-03 11:40:34150 雙極晶體管制造流程圖。
2011-03-03 11:47:32322 瑞薩電子宣布推出新款 SiGe :C異質接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網絡系統、衛星無線電及類似應用。本裝置的制程采用全新開發的硅鍺：碳
2011-09-28 09:08:46902 本文將介紹雙極型晶體管的基本結構。雙極晶體管是雙極型結型晶體管（BJT）的簡稱，在電力半導體中，也稱作大功率晶體管（GTR），在現代電力電子變換器中大多已經被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現代功率器件的結構。
2018-03-05 16:12:1422939 
RFMD的SGA8543Z是一種高性能硅鍺異質結構雙極晶體管（SiGe HBT），設計用于50MHz到3.5GHz的工作范圍。該SGA854 3Z優化3.3V操作，但可偏置在2.7V的低電壓電池操作系統。該裝置以較低的成本提供低NF和優異的線性度。
2018-09-07 11:25:003 RFMD的SGA1263Z是一種硅鍺HBT異質結構雙極晶體管（SiGe HBT）放大器，它提供了極好的隔離和平坦的增益響應應用于4GHz。該RFIC是一種2級設計，在2GHz下提供高達40dB
2018-09-05 11:25:004 RFMD的SGA9189Z是一種高性能晶體管，工作頻率為3GHz。最佳匹配在2GHz，OIP3＝39 dBm，P1dB＝25.5dBm。該RF器件基于硅鍺異質結雙極晶體管（SiGe HBT）工藝。SGA9189Z是成本效益高的線性度要求，即使在中等偏置水平的應用。
2018-07-27 11:30:002 本期介紹：本期ROHM君想與大家一同學習絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認識其原理及其應用。IGBT是一種功率開關晶體管，它結合了MOSFET和BJT的優點，用于電源和電機控制電路 該絕緣柵雙極晶體管
2022-12-08 16:01:261314 雙極晶體管（BJT）是最基礎的集成電路器件之一，在集成電路發展史中起著重要的作用。因為這種晶體管工作時，電子和空穴兩種載流子均參與導電，所以被稱為雙極性結型晶體管，簡稱雙極晶體管。
2022-09-07 09:27:162453 “晶體管”現在可以分為多種類型，每種類型具有不同的功能和結構，例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當然，它仍然是有源的，主要用于電壓/信號放大和開關控制。在本文中，工程師將解釋這種雙極晶體管是什么，以及它的原理、機制和特點。
2023-07-07 10:14:492351 絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統雙極結型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導體開關器件。
2023-09-06 15:12:291491 
絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
2023-11-24 14:45:34407 
【科普小貼士】什么是雙極晶體管（BJT）？
2023-12-13 14:38:56401 
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