PCB板常用名詞解釋（初學者必知，老手也得知）1、“層(Layer) ”的概念     與字處理或其它許多軟件中為實現圖、文、色彩等的嵌套與合成

場景：工業物聯網名詞解釋：PLC單片機，每一個單片機都有一堆寄存器。RS485串口，與RS232差不多，都是串口的交互（具體百度吧，電氣啥的稍微有點差別）。MODBUS是工業通信協議，具體百度下吧

1、CCIR 通信總線（1）CCIR601：16 位數據傳輸；Y、U、V 信號同時傳輸，是并行數據，行場同步單獨輸出。（2）CCIR656：8/10 位數據傳輸；不需要同步信號；串行數據傳輸；傳輸速率是 601 的 2 倍；先傳 Y，后傳 UV；行場同步信號嵌入在數據流中。（3）行同步信號常用 HS 或 HSYNC 表示，場同步信號常用 VS 或 VSYNC 表示。行同步信號的作用是選擇出液晶面板上有效行信號區間，場同步信號的作用是選擇出液晶面板上有效場信號區間。行場同步信號的共同作用，可將選擇出液晶面板上的有效視頻信號區間。 2、MIPI CSI-2 和 DVP（1）CSI 即Camera Sensor Interface，相機串行接口；DVP 即Digital Video Port，數字式視頻端口。（2）MIPI 是差分串口傳輸，速度快，抗干擾，使用需要 CLKP/N（2 根線）、DATAP/N（4 組 8 根線），最大支持 4-lane，一般 2-lane 可以搞定。（3）DVP 是并口傳輸，速度較慢，傳輸的帶寬低，使用需要 PCLK（sensor 輸出時鐘）、MCLK（XCLK）（外部時鐘輸入）、VSYNC（場同步）、HSYNC（行同步）、D[0：11]（并口數據）——可以是 8/10/12bit 數據位數大小。（4）以分辨率 320×240 的屏為例，每一行需要輸入 320 個脈沖來依次移位、鎖存這一行的數據，然后來個 HSYNC 脈沖換一行。這樣依次輸入 240 行之后換行同時來個 VSYNC 脈沖把行計數器清零，又重新從第一行開始刷新顯示。 3、BSPBSP 即 Board Support Package，板級支持包。它是介于主板硬件和操作系統中驅動層程序之間的一層，一般認為它屬于操作系統一部分，主要是實現對操作系統的支持，為上層的驅動程序提供訪問硬件設備寄存器的函數包，使之能夠更好的運行于硬件主板。 4、SerDes（1）SerDes 是SERializer（串行器） 和 DESerializer（解串器）的簡稱。它是一種主流的時分多路復用（TDM）、點對點（P2P）的串行技術,即在發送端多路低速并行信號被轉換成高速串行信號，經過傳輸媒體（光纜或銅線），最后在接收端高速串行信號重新轉換成低速并行信號。（2）這種點對點的串行通信技術充分利用傳輸媒體的信道容量，減少所需的傳輸信道和器件引腳數目，提升信號的傳輸速度，從而大大降低通信成本。 5、FPD-Link IIIFPD-Link III 串行總線方案支持通過單個差分鏈路實現高速視頻數據傳輸和雙向控制通信的全雙工控制。 通過單個差分對整合視頻數據和控制可減少互連線尺寸和重量，同時還消除了偏差問題并簡化了系統設計。 6、RGB 格式、YUV 格式和 RAW data 格式（1）傳統的紅綠藍格式，比如 RGB565，RGB888；其16-bit數據格式為 5-bit R + 6-bit G + 5-bit B，G 多一位，原因是人眼對綠色比較敏感。（2）YUV 是指亮度參量和色度參量分開表示的像素格式，而這樣分開的好處就是不但可以避免相互干擾，還可以降低色度的采樣率而不會對圖像質量影響太大。（3）RAW 圖像就是 CMOS 或者 CCD 圖像感應器將捕捉到的光源信號轉化為數字信號的原始數據。 7、攝像頭結構和工作原理拍攝景物通過鏡頭，將生成的光學圖像投射到傳感器上，然后光學圖像被轉換成電信號，電信號再經過模數轉換變為數字信號，數字信號經過DSP加工處理，再被送到電腦中進行處理，最終轉換成手機屏幕上能夠看到的圖像。

處于充滿的狀態；當市電故障或是中斷時，UPS開啟蓄電池供電模式，直到蓄電池放電中止或是市電正常時恢復到市電工作模式，而后開始給蓄電池進行恢復充電。UPS電源*相關UPS不間斷電源名詞解釋：1.W

（一）域：是USB數據最小的單位，由若干位組成（至于是多少位由具體的域決定），域可分為七個類型：1、同步域（SYNC），八位，值固定為0000 0001，用于本地時鐘與輸入同步2、標識域（PID），由四位標識符+四位標識符反碼構成，表明包的類型和格式，這是一個很重要的部分，這里可以計算出，USB的標識碼有16種，具體分類請看問題五。3、地址域（ADDR）：七位地址，代表了設備在主機上的地址，地址000 0000被命名為零地址，是任何一個設備第一次連接到主機時，在被主機配置、枚舉前的默認地址，由此可以知道為什么一個USB主機只能接127個設備的原因。4、端點域（ENDP），四位，由此可知一個USB設備有的端點數量最大為16個。5、幀號域（FRAM），11位，每一個幀都有一個特定的幀號，幀號域最大容量0x800，對于同步傳輸有重要意義（同步傳輸為四種傳輸類型之一，請看下面）。6、數據域（DATA）：長度為0~1023字節，在不同的傳輸類型中，數據域的長度各不相同，但必須為整數個字節的長度7、校驗域（CRC）：對令牌包和數據包（對于包的分類請看下面）中非PID域進行校驗的一種方法，CRC校驗在通訊中應用很泛，是一種很好的校驗方法，至于具體的校驗方法這里就不多說，請查閱相關資料，只須注意CRC碼的除法是模2運算，不同于10進制中的除法。（二）包：由域構成的包有四種類型，分別是令牌包、數據包、握手包和特殊包，前面三種是重要的包，不同的包的域結構不同，介紹如下1、令牌包：可分為輸入包、輸出包、設置包和幀起始包（注意這里的輸入包是用于設置輸入命令的，輸出包是用來設置輸出命令的，而不是放據數的）其中輸入包、輸出包和設置包的格式都是一樣的：SYNC+PID+ADDR+ENDP+CRC5（五位的校驗碼）幀起始包的格式：SYNC+PID+11位FRAM+CRC5（五位的校驗碼）2、數據包：分為DATA0包和DATA1包，當USB發送數據的時候，當一次發送的數據長度大于相應端點的容量時，就需要把數據包分為好幾個包，分批發送，DATA0包和DATA1包交替發送，即如果第一個數據包是 DATA0，那第二個數據包就是DATA1。但也有例外情況，在同步傳輸中（四類傳輸類型中之一），所有的數據包都是為DATA0，格式如下：SYNC+PID+0~1023字節+CRC163、握手包：結構最為簡單的包，格式如下SYNC+PID

Time生產周期時間指原料由投入生產線到產品于生產線產出所須的生產/制造時間。在TI-Acer，生產周期時尚兩種解釋 : 一為"芯片產出周期時間"（wafer-out time）；一為

184) Short Channel Effect短通道效應當MOS組件愈小，信道的長度將隨之縮短，電晶體的操作速度將加快，但是，MOS電晶體的通道長度并不能無限制縮減，當長度縮短到一定的程度之后，各種因通道長度變小所衍生的問題便會發生，這個現象稱為“短通道效應”。185)Selectivity選擇性兩種材抖，分別以相同的酸液或電漿作蝕刻其兩蝕刻率的比值，謂之:例如，復晶電漿蝕：對復晶的蝕刻率為2OO0? /min (分)對氧化層的蝕刻率為20O? /min (分)則復晶對氧化層的選擇性:S20OO ?/minS= ＝10 2OO ?/min 選擇性愈高表示蝕刻特性愈好，一般干式蝕刻選擇性較化學濕蝕刻為差，吾人取較高的選擇性的目的即在于電漿蝕刻專心蝕刻該蝕刻的氧化層，而不會傷害到上層光阻或下層氧化層，以確保蝕刻的完整性。 186) Silicide硅化物 一般稱為硅化物 (Silicide)，指耐火金屬 (Refratory Metal)的硅化物，如鈦(Ti)、鎢(W)、鉬 (Mo)等元素硅(Si)結合而成的化合物 (TiSi2、WSi2、MoSi2)。硅化物應用在組件的目的，主要為降低金屬與硅界面、閘極或晶體管串連的阻抗，以增加組件的性能。以鈦的硅化物為例，其制造流程如下所示：[/td][td][/td]187) Silicide金屬硅化物"Silicide"通常指金屬硅化物，為金屬輿硅的化合物。在微電子工業硅晶集成電路中主要用為： (1) 導體接觸(Ohmic Contact)(2) 單向能阻接觸(Schottky Barrier Contact) (3) 低阻閘極(Gate Electrode)(4) 組件間通路(Interconnect) 在VLSI(超大型積逞電路)時代中，接面深度及界面接觸面積分別降至次微米及1-2平方毫米。以往廣泛應用為金屬接觸的Al，由于嚴重的穿入半導靠問題，在VLSI中不再適用。再加上其它技術及應用上的需求，金屬硅化物在集成電路工業上日益受重視。 用于集成電路中的金屬硅化物限于近貴重(Pt，Pd，Co， Ni，…)及高溫金屬(Ti，W，Mo，Ta)硅化物。188) Silicon硅硅--SI (全各SILICON)為自然界元素的一種，亦即我們使用的硅芯片組成元素，在元素周期表中排行14，原子量28.09，以結晶狀態存在(重復性單位細胞組成)，每一單位細胞為田一個硅原子在中心，與其它4個等位硅原子所組成的四面體(稱為鉆石結構)如圖標中心原子以其4個外圍共價電子與鄰近的原子其原形或其價鍵的結合。硅元素的電子傳導特性介于金屬導體與絕緣體材料的間(故稱半導體材料)，人類可經由溫度的變化，能量的激發及雜質滲入后改變其傳導特性，再配合了適當的制程步驟，便產生許多重要的電子組件，運用在人類的日常生活中。189) Silicon Nitride氮化硅氮化硅是SixNy的學名。這種材料跟二氧化硅有甚多相似處。氮化硅通常用低壓化學氣相沈積法或電漿化學氣相沉積法所生成。前者所得的薄膜品質較佳，通常作IC隔離氧化技術中的阻隔層，而后者品質稍差，但因其沉積時溫度甚低，可以作IC完成主結構后的保護層。190) Silicon Dioxide二氧化硅即SiO2，熱氧化生成的二氧化硅其特性是a) 無定型結構b) 很容易與硅反應得到c) 不容于水d) 好的絕緣性e) SiO2/Si界面態電荷低通過不同方式制得的二氧化硅在IC制程中的應用：l緩沖層（buffer layer）l隔離層（isolation)l幕罩層（masking layer）l介電材料（dielectric）l保護層（passivation）191) SOI(Silicon On Insulator)絕緣層上有硅 SOI“絕緣層上有硅”是指將一薄層硅置于一絕緣襯底上。晶體管將在稱之為"SOI" 的薄層硅上制備。基于SOI結構上的器件將在本質上可以減小結電容和漏電流，提高開關速度，降低功耗，實現高速、低功耗運行。作為下一代硅基集成電路技術，SOI廣泛應用于微電子的大多數領域，同時還在光電子、MEMS等其它領域得到應用。 192) Siloxane硅氧烷硅氧烷是用來與含有Si-O網絡相溶的有機溶劑，本身含有有機類的官能基，如CH3和C6H5，是屬于有機性的SOG來源，這些官能基，可以幫助改善這種SOG層的抗裂能力。193) S.O.G.Spin on Glass旋涂式玻璃旋制氧化硅 (Spin on Glass)是利用旋制芯片，將含有硅化物的溶液均勻地平涂于芯片上，再利用加熱方式與溶劑驅離，并將固體硅化物硬化成穩定的非晶相氧化硅。其簡單流程如下:旋轉平涂→加熱燒烤→高溫硬化 (~450℃)旋制氧化硅是應用在組件制造中，金屬層間的平坦化(Planization)，以增加層與層之間的接合特性，避免空洞的形成及膜的剝裂。其結構如圖表示: 194) Solvent溶劑1兩種物質相互溶解混合成一種均勻的物質時，較少的物質被稱為溶質，較多的物質，被稱為溶劑。例如:糖溶解于水中．變成糖水，則糖為溶質，水為溶劑，混合的結果，稱為溶液。2 溶劑分有機溶劑與無機溶劑兩種:2-1有機溶劑:分子內含有碳(C)原子的，稱為有機溶劑，例如:丙酮(CH3COCH3),IPA(CH3CHOHCH3)2-2無機溶劑:分子內不含有碳(C)原子的稱為無機溶劑 例如:硫酸(H2SO4)，輕氟酸(HF)3 在FAB內所通稱的溶劑，一般是指有機溶劑而言212) Source源極位于MOS電容器旁，電性與硅底材相反的半導體區，且在上加壓。213) Spacer間隙壁隔離閘極與其它兩個MOS電極，利用它與閘極所形成的結構，來進行S/D的重摻雜。214) SPC （Statistical Process Control）統計，過程，控制英文的縮寫，是一種質量管理方法。自制程中搜集資料，加以統計分析，并從分析中發覺異常原因，采取改正行動，使制程恢復正常，保持穩定，并持續不斷提升制程能力的方法。ü 因制程具有變異，故數據會有變異，而有不同的值出現穩定時，其具有某種分配型態ü 制程為一無限母體，只能以抽樣方式，抽取少數的樣本，以推測制程母體的情況ü 故運用 “統計手法” 作為制程分析、管制及改善 的工具。SPC的目的? 維持正常的制程 (Under Statistical Control) 事先做好應該做的 (標準，系統) – ex：monitor，機臺操作程序 制程異常發生能偵測出，并除去之，防止其再發? 能力要足 (Capable Process) 能力指標提升能力 – 持續改善 (廣義) 215) Specification(SPEC)規范是公司標準化最重要的項目之一，它規定了與生產有關事項的一切細節，包括機臺操作，潔凈室，設備及保養，材料，工具及配件，品管，可靠性，測試‥‥等等。 IC制造流程復雜，唯有把所有事項巨細靡遺的規范清楚，并確實執行，才可能做好質量管理。所有相關人員尤其是現場操作人員底隨時確實遵照規范執行，檢討規范是否合理可行，相關規范是否有沖突，以達自主管理及全員參與標準化的目標。216) Spike尖峰硅在400°C左右對鋁有一定的固態溶解度，因此沉積在硅表面上的鋁，當制程有經歷溫度約400°C以上的步驟時，Si因擴散效應而進入鋁，且鋁也會回填Si因擴散所遺留下來的空隙，而在鋁與硅底材進行接觸的部分。217) Spike TC針型熱電偶218) Spin Dry旋干通過高速旋轉產生的離心力把硅片表面水滴驅除219) SPM （Sulfuric acid , hydrogen-Peroxide Mixing）用于中CR clean，化學組成是H2SO4+H2O2(120℃)能去除嚴重有機污染H2SO4 + H2O2 → H2SO5 + H2OH2SO5 + PR → CO2 + H2O + H2SO4必須不斷補充H2O2220) Sputtering濺鍍，濺擊利用電漿所產生的離子，借著離子對被濺鍍物體電極的轟擊，使電漿的氣相（VaporPhase）內具有被鍍物的原子或離子，到達芯片表面并進行沉積。221) Standard Clean:標準清洗又叫RCA清洗。由SPM/APM/HPM組成，SPM為H2SO4和H2O2以4：1混合，APM為NH4OH和H2O2及D.I. WATER以1：1：5或0.5：1：5的比例混合，HPM為HCL和H2O2及D.I. Water以1：1：6的比例混合。標準清洗可以除去有機物、Particle和金屬粒子，使芯片表面達到比較潔凈的狀態。222) Step coverage階梯覆蓋能力表征薄膜沉積時對晶片表面上不同幾何結構的覆蓋能力，簡單地說，即膜層均勻性。如下圖，當對表面有階梯的晶片進行膜層沉積時，因為沉積角度不同等因素，導致洞口膜厚增加速率高于洞壁及洞底，這樣的話沉積的膜層將無法完全填入洞中，極有可能造成孔洞（void）.223) Stress應力對固體物體所施與的外力或其本身所承受的內力，稱為“應力（stress）”.224) Substrate底材一般而言半導體中提及的Substrate就是指Wafer225) Target靶譯意為靶，一般用在金屬濺鍍(Sputtering) 也就是以某種材料，制造成各種形狀，用此靶，當做金屬薄膜濺鍍的來源。226) TECN Temporary Engineering Change Notice臨時性制程變更通知臨時工程變更通知 (ECN)為工程師為了廣泛收集資料，或暫時解決制程問題，而做的制程變更，此一臨時性的變更將注明有效期限，以利生產作業。227) Teflon 鐵氟隆聚四氟乙烯，一種耐酸耐腐蝕耐高溫的材料，我們使用的某些cassette、特殊管路等均是用此種材料制得。228) Tensile Stress拉伸應力（參照192）因為熱膨脹系數的不同，薄膜與底材產生了應力。當沉積薄膜的熱膨脹系數高于底材，冷卻后是薄膜承受了一個拉伸應力。229) TEOS（Tetraethylorthosilicate）四乙基正硅酸鹽，含有硅與碳、氫與氧的有機硅源，化學分子式是Si(OC2H5)4，其沸點較高，常壓下約（169℃）。在CVD制程的應用上， TEOS在足夠的溫度下TEOS進行反應而產生二氧化硅Si（OC2H5）4SiO2+4C2H4+2H2O目前制程此法用來做Spacer230) TCS三氯硅烷SiHCl3231) Thermal Expansion Coefficient 熱膨脹系數反映物質受熱膨脹程度的特性。因溫度變化而引起物質量度元素的變化。膨脹系數是膨脹－溫度曲線的斜率，瞬時膨脹系數是特定溫度下的斜率，兩個指定的溫度之間的平均斜率是平均熱膨脹系數。膨脹系數可以用體積或者是長度表示，通常是用長度表示。232) Thermocouple熱電偶測量溫度之用。有兩根不同材質的探頭放入被測環境中，得到電壓值，再將電壓值轉變為溫度值。233) Thin Film薄膜234) Thin Film Deposition 薄膜沉積薄膜沉積形成的過程中，不消耗芯片或底材的材質。薄膜沉積兩個主要的方向：①物理氣象沉積，及②化學氣象沉積。前者主要借著物理的現象，而后者主要是以化學反應的方式，來進行薄膜沉積。235) Thin Film Growth 薄膜成長底材的表面材質也是薄膜的形成部分元素之一，如：硅的氧化反應（以形成二氧化硅，以做MOS組件的介電材料）便是。236) Threshold Voltage啟始電壓VT 當我們在MOS晶體管的源極（Source）及汲極（Drain）加一個固定偏壓后，再開始調整閘極（Gate）對基質（Substrate）的電壓，當閘極電壓超過某一個值之后，源極和汲極間就會產生電流而導通（Turn on），則我們就稱此時的閘極電壓稱為臨界電壓（Threshold Voltage）。*NMOS晶體管的臨界電壓相對于基質為正。*PMOS晶體管的臨界電壓相對于基質為負。一般在制程上我們會影響臨界電壓的因素主要有二： 閘極氧化層厚度：Gate Oxide越厚，則Vγ（絕對質）越高。 基質滲雜的濃度：Vγ植入Dose越高，則Vγ越高。237) Throttle Valve 節流閥節流閥主要是由一個旋轉式閥門及一個用來調整閥門位置的伺服馬達所構成，因此只要輸入適合的電流，伺服馬達便會自動調節閥門的位置來改變節流閥的傳導度，以控制真空系統的整體有效抽氣速率。238) Throughput產能生產能力，如日產能、月產能、年產能。Through Put為單位工時的產出量，例如某機器每小時生產100片，則稱其Through put = l00片/小時。如果每天運作21小時，則每天的Through put為2100片/天。 IC工業系許多昂貴且精密的設備投資，故必須充分利用，維持生產的順暢，發揮其最大的效能。故高的Through put為我們評估機器設備的一項很重要的因素之一。除了設備上發揮其最大產能外，必須要配合人為的力量，如流程安排、故障排除、‥‥等，亦即必須"人機一體"才能發揮生產的整體效益，達到最高的生產力(Productivity)。239) Trichloroethane 三氯乙烷240) Trouble Shooting問題解答在生產過程，因為4M，即設備、材料、人為、方法等，造成的一切問題而阻礙生產。例如，機器Down機、制程異常…等。工程人員解決以上所發生的問題，使這些"故障"消弭于無形謂之Trouble Shooting。241) Tungsten 鎢一種金屬。用以連接上下兩層金屬線的中間層，稱為“鎢插拔”。因為鎢的熔點高，熱膨脹系數又與硅相當，再加上以CVD法所沉積的鎢的內應力并不高，且具備極佳的階梯覆蓋能力，以CVD法來沉積做為插拔用途的金屬鎢，以成為各VLSI量產廠商的標準制程之一。242) Ultra High Vacuum超高真空在超高真空條件下，單分子層容易形成，并能持續較長時間，這就可以在一個表面尚未被氣體污染前，利用這段充分長的時間來研究其表面特性，如摩擦、黏附和發射等；另外，外層空間的能量傳輸和超高真空的能量傳輸相似，故超高真空可做空間模擬。真空度大于10-7Torr ，10-7~10-10 Torr的狀態。[td=311]真空度壓力低真空（Low Vacuum)760-1 torr中真空（Medium Vacuum)1- 10-3高真空（High Vacuum)10-3-10-7極高真空（Ultea High Vacuum)10-7~10-10 243) Ultrasonic Cleaning超音波清洗通過超音波原理進行的清洗。超音波振蕩會產生氣泡和紊流，氣泡通過轟擊爆破將Paticle帶走，紊流直接將Paticle沖走。244) Uniformity均勻性（最大值－最小值）/（2*平均值），有兩種均勻性：一種是一片Wafer的均勻性（within wafer），測得五個點，然后得到最大值最小值和平均值，再安公式計算。另一種是Wafe之間的均勻性(wafer to wafer)，同樣測得最大值和最小值和平均值再計算均勻性。245) USG (Undoped SiO2)即沒有攙雜的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉積在BPSG下面，以防止BPSG中的P元素滲透到Si表面，影響組件的特性。246) Up Time使用率表示機臺可以run貨的時間，包含run貨的時間及機臺lost時間，即除down機時間247) Vacuum真空 真空系針對大氣而言，一特定空間內的部份氣體被排出，其壓力小于1大氣壓。表示真空的單位相當多，在大氣的情況下，通稱為l大氣壓，也可表示為760torr或760mmHg或14.7psi。真空技術中，將真空依壓力大小分為4個區域：1.粗略真空(Rough Vacuum) : 760~1 torr 2.中度真空(Medium Vacuum):1~10-3 torr3.高真空 (High Vacuum) : l0-3~10-7torr 4.超高真空(Ultra-High Vacuum): 10-7torr以下在不同真空，氣體流動的型式與熱導性等均有所差異，簡略而言，在粗略真空，氣體的流動稱為黏滯流(Viscous Flow)。其氣體分子間碰撞頻繁，且運動具有方向性;在高真空或超高真空范圍，氣體流動稱為分子流(Molecular Flow)，其氣體分子間碰撞較少，且少于氣體與管壁碰撞的次數，氣體分子運動為隨意方向，不受抽氣方向影響。在熱導性方面，中度真空的壓力范圍其與壓力成正比關系﹒粗略真空與高真空區域，則無此關系。248) Vacuum Pump真空泵凡能將特定空間內的氣體去除，以減低氣體分子數目，造成某種程度的真空狀態的機件，統稱為真空邦浦。目前生產機臺所使用的真空泵，可分為抽氣式的有：旋片泵(ROTARY PUMP)，洛茲泵(ROOTS PUMP)，活塞泵(PISTON PUMP)，擴散泵(DIFFUSION PUMP)。及儲氣式的有：冷凍泵(CRYO PUMP)，離子泵 (ION PUMP)。 249) Viscosity黏度"黏度"一詞專用于液體，意指當液體接受切應力時(指作用力方向與液體表面不垂直)，液體就會產生形變，所以便定義"黏度"來表示示體產生形變程度的大小。黏度是可以調整的，因為液體受切應力而形變是巨觀形為的表現，所以在液體完全相溶前提下，可以加入不同黏度的溶劑來調整黏度。250) Vacuum System真空系統壓力小于1標準大氣壓的系統。真空系統由以下部分組成：Pump、Valve、Pipe、Gauge、Chamber251) Valve閥控制氣流開關和氣體流量的組件。Valve主要有以下種類：氣動閥（常開或常閉）、手動閥、電磁閥252) Vapor Phase氣相相是一種單一均勻的成分的狀態。氣相是一種單一均勻的成分的氣體狀態253) Vapor Phase Deposition氣相沉積一種薄膜沉積的方法，在氣態下氣體反應產物或蒸發物淀積在基體表面的薄膜技術。氣相沉積可分為物理氣相沉積和化學氣相沉積。物理氣相沉積又分為蒸鍍和濺渡。化學氣相沉積又分為APCVD、LPCVD和PECVD。254) Very Large Scale Integration超大規模集成電路255) Via金屬與金屬之間的通道256) VLF Vertical Laminar Flow垂直層流在流體的流動狀態中，可分為層流 (Laminar Flow)及紊流(Turbulent Flow) 兩種。界定值。一般流體流速較快者其流線 (streamiline)分子易受干擾，且雷諾數大易形成紊流，(雷諾數，慣性力/粘滯力)。在無塵室芯片制造場所內，其氣流為穩定的層流，如此可將人員、機臺等所產生的微塵帶離。若為紊流，則微塵將滯流不去。因此在無塵室內機臺的布置及人員的動作都以 257) Void 孔洞是一種材料缺陷，會影響材料的致密性，從而影響強度。 258) Wafer硅片硅晶圓材料（Wafer）是半導體晶圓廠（Fab）內用來生產硅芯片的材料，依面積大小而有三寸、四寸、五寸、六寸、八寸、十二寸（直徑）等規格之分。一根八寸硅晶棒重量約一百二十公斤，切割成一片片的八寸晶圓后，送至八寸晶圓廠內制造芯片電路（Die），這些芯片電路再經封裝測試等程序，便成為市面上一顆顆的ＩＣ。但因硅晶棒所切割出的晶圓片中，品質較好 者，稱為生產晶圓（Prime Wafer），更高級者稱為磊晶圓（Epi-Wafer），上述晶圓幾乎都集中在硅晶圓棒的「中間」一段，頭、尾兩端所切割出的晶圓，出現瑕疵的比例較高，大多用做非生產用途，稱為測試晶圓（共有Test Wafer或Dummy Wafer或Monitor Wafer等不等名稱）， 一片測試晶圓的售價大約是生產晶圓的五成至六成。 259) Wafer Transfer System硅片傳送系統 用以實現硅片傳送的系統。如硅片的進出爐系統、硅片在cassette與boat、cassette與chamber間的傳送系統等等。260) WELL/Tank井區 WELL即井區。在IC中的組件MOSFET(即金氧半場效晶體管)，常作兩型(N及P)相接的方式，即CMOS技術。此時為區分這兩種不同型的MOSFET，就須先擴散兩個不同型的區域于IC中。此種區域即稱為WELL區。261) Wet Oxidation濕式氧化一種熱氧化的方式，其反應機理為：2H2+O2=2H2O 2H2O+Si=SiO2+2H2溫度：875---1100℃ 特點: 生長速率快，但所生成SiO2的質量不好適用于Field oxide 262) Work Function功函數功函數：讓電子脫離金屬原子的臨界能量如果一個能量為EF的金屬價電子要脫離金屬原子而成為自由電子，它至少獲得W-EF的能量，這個能量就是我們所說的功函數。263) Yield良率即合格率，合格的產品占總產品的比例。

101) Ion Implanter 離子植入機102) Ion Source 離子源 離子植入機中產生所要植入雜質離子的部分，主要由Arc Chamber ,Filament組成，雜質氣體或固體通入Arc Chamber，由Filament產生的電子進行解離而產生離子。103) IPA 異丙醇Isopropyl Alcohol的簡稱，在半導體制造中，用來作為清洗溶劑，常用來擦拭機臺操作面板等，也作為SOG等化學液體的溶劑。104) Isotropic Etching等向性蝕刻在蝕刻反應中，除了縱向反應發生外﹒橫向反應亦同時發生(見左圖)，此種蝕刻即稱之為等向性蝕刻，一般化學濕蝕刻多發生此種現象。干式蝕刻，其蝕刻后的橫截面具有異向性蝕刻特性 (Anisotropic)，即可得到較陡的圖形105) Latch up:閉鎖效應CMOS組件里的底材、阱及PMOS的漏極與NMOS的源極，在某些條件下，會形成一個如圖（1）所示的寄生的pnpn二極管。這種pnpn二極管的電流（I）對電壓（V）的操作曲線則如圖。其中圖中的IH，為使pnpn二極管處于運作（Acting）狀態時所需的最低電流稱之為“引發電流（triggering current）”。當I≥IH發生之后，CMOS電路的功能將暫時或永久性的喪失，我們稱這個現象為“閉鎖（Latch up）”。即，如果CMOS組件的設計或制作不當，這種寄生于CMOS組件里的“pnpn二極管”，有可能處于運作的狀態，而影響到CMOS的正常運作。所以在使用CMOS的設計時，務必注意使這個pnpn二極管隨時處于“閉”的狀態，即I

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嵌入式Linux操作系統名詞解釋及資源大全

` 本帖最后由 jiuri1989 于 2011-10-20 16:50 編輯 各位大俠，請幫本青年解釋一下什么叫“開窗”，有什么作用？`

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名詞解釋硬件開發產品智能化相關名詞說明 設備指可供人們在生產中長期使用，并在反復使用中基本保持原有實物形態和功能的生產資料和物質資料的總稱。在涂鴉平臺，設備概指產品，和硬件具有同等含義。 硬件硬件

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下行導頻時隙（DwPTS） ，上行導頻時隙（upPTS）CAZAC含義　　CAZAC(Const Amplitude Zero Auto-Corelation)，即為恒包絡零自相關序列。 CAZAC序列特性　　1.恒包絡特性：任意長度的CAZAC序列幅值恒定。 　　2.理想的周期自相關特性：任意CAZAC序列移位n位后，n不是CAZAC序列的周期的整倍數時，移位后的序列與原序列不相關。 　　3.良好的互相關特性：互相關和部分相關值接近于0。 　　4.低峰均比特性：任意CAZAC序列組成的信號，其峰值與其均值的比值很低。 　　5.傅里葉變換后仍然是CAZAC序列：任意CAZAC序列經過傅里葉正反變化后仍然是CAZAC序列。 　　CAZAC序列現在廣泛應用于脈沖雷達壓縮領域，擴頻通信系統（同步CDMA和MC-CDMA），和OFDM系統（LTE和WiMAX）等。　　------ 　　經常用到的CAZAC序列主要包括Zadoff－off序列（即ZC序列）、Frank序列、Golomb多相序列和Chirp序列。CAZAC序列常用于通信系統的同步算法中。

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四軸飛行器四個槳轉動時的離心力是分散的。不象直機的槳，只有一個能產生集中的離心力形成陀螺性質的慣性離心力，保持機身不容易很快的側翻掉。所以通常用到的舵機控制信號更新頻率很低。

Java是一種可以撰寫跨平臺應用軟件的面向對象的程序設計語言。Java技術具有卓越的通用性、高效性、平臺移植性和安全性，廣泛應用于PC、數據中心、游戲控制臺、科學超級計算機、移動電話和互聯網，同時擁有全球最大的開發者專業社群。本文主要介紹java常用名詞解釋，具體的跟隨小編一起來了解一下。

原理與結構的最佳選擇。單片機的使用領域已十分廣泛，如智能儀表、實時工控、通訊設備、導航系統、家用電器等。各種產品一旦用上了單片機，就能起到使產品升級換代的功效，本文主要介紹了單片機的常用名詞解釋，具體的跟隨小編來了解一下。

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由于單一礦機想挖到一個塊的幾率是非常小的，畢竟10分鐘挖到一個塊需要很大的算力，即使有這么大算力有能力挖到，也存在很多的競爭對手。所以就變成了一個0和1的游戲。而礦池的出現就是為了打破這種0和1的玩法。一個礦池的算力是很多礦工算力的集合，遠比單打獨斗機會更大。礦池每挖到一個塊，便會根據你礦機的算力占礦池總算力的百分比，發相應的獎勵給到個體，也不會存在不公平的情況。

每個行業都有自己的行話，如果不懂這些行話，和行內人交流就容易造成誤解。所以，幣勝哥列舉一些區塊鏈行業的專有名詞的解釋，以備新人學習。

區塊鏈項目炒的火熱，很多小伙伴都想進入，趁勢實現財富自由，但是如果你剛剛進入區塊鏈世界，一開始會很茫然，太多稀奇古怪的名詞、數字，所以這就需要你先了解清楚這些基礎知識名詞。

的比壓力，保證了安全閥關閉件間有了必需的密封性，那么安全閥的作用是什么呢？安全閥是一種安全保護性的閥門，主要用于管道和各種承壓設備上，當介質工作壓力超過允許壓力數值時，安全閥自動打開向外排放介質，隨著介質壓力的降低，‘安全閥將重新關閉，從而防止管道和設備的超壓危險，大家知道安全閥技術名詞有哪些嗎？

比特幣已經成為越來越多國家所認可的數字貨幣，但涉及到比特幣一些相關的名詞可能有不少新進場的投資者不怎么懂，下面給大家深入淺出的簡單介紹比特幣的一些相關名詞及行為，首先從要從比特幣的本質說起，比特

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鑒于數字音頻質量主觀評價的局限性，數字音頻質量的客觀評價呼乎之欲出，形成主觀評價與客觀評價并存的局面。數字音頻質量客觀評價是借助外部設備或軟件。通過分析相關音頻參數做出評價的方法。與主觀數字音頻評價

基于感知體驗和主觀幸福感的交通出行決策

問題 阻塞，是我們程序員口中常常提到的詞。 這個詞，既熟悉，又陌生，熟悉到一提到它就倍感親切，但一具體解釋，就迷迷糊糊。 這個函數是阻塞的么？ public void function（） { while（true）{} } 如果你說不出來，那你再看看這個函數是阻塞

GPU:圖像在計算機中是多維矩陣，有RGBA(紅綠藍透)四層通道的，每個像素在四通道的值疊加形成像素點顏色。因此(41024680)大小的矩陣(張量)，因此計算是非常龐大的，如果用CPU計算，則CPU負擔過大，甚至無法進行其他運算。因此，增加GPU這個構建，專門用于圖像的計算，從而使CPU脫離出來去做其他事情...

無線電通信名詞解釋 【音頻】又稱聲頻，是人耳所能聽見的頻率。通常指15～20000赫（Hz）間的頻率。 【話頻】是指音頻范圍內的語言頻率。在一般電話通路中，通常指300～3400赫（Hz）間的頻率。

先來名詞解釋，SSF：Super Source Follower，也就是大家常說的超級源隨。

毫米波 :波長 1-10mm、頻率 30-300GHz 的無線電頻譜。 多普勒效應 :當聲音、光和無線電波等振動源與觀測者以相對速度運動時觀測者所收到的振動頻率與振動源所發出的頻率不同當觀測者靠近雷達天線時反射信號頻率將高于發射信號頻率。 ECU :電子控制單元(Electronicl Control Unit)控制汽車工作的微機控制器。 MCU : 微控制單元(Microcontrol

火花測試用于發現絕緣導體的絕緣皮不良.火花測試機通常用于芯線押出或芯線對絞工段.有時也用于總絞工段.一般帶屏蔽的電纜(編織線,鋁箔向外)押出外被時也用火花機測其不良點.基本方法為在與被測物相接觸的電極與接地 導體之間施加一電壓.若絕緣介質不良(如太薄或一部分缺失),施加的電壓會在接地導體上產生電弧.從而激發與此相連的指示器(如蜂鳴器.燈.計數器等).;火花測試中存在危險高壓,故相關設備必須完全接地.一般測試機可采用AC或DC電壓,老使用AC可使用不同的頻率.為了安全,測試電流通常限制為無致命危險的水平.

AGI：Artificial General Intelligence (通用人工智能)：是指具備與人類同等或超越人類的智能，能夠表現出正常人類所具有的所有智能行為。又被稱為強人工智能。