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電子發(fā)燒友網(wǎng)>音視頻及家電>音響技術(shù)>音響中的場(chǎng)效應(yīng)管和雙極型晶體管

音響中的場(chǎng)效應(yīng)管和雙極型晶體管

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場(chǎng)效應(yīng)極管的型號(hào)命名方法

`場(chǎng)效應(yīng)極管的型號(hào)命名方法<br/>  現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與極管相同,第三位字母J代表結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管,O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表 材料
2009-04-25 15:42:55

場(chǎng)效應(yīng)極管的型號(hào)命名方法分享

現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與極管相同,第三位字母J代表結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管,O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表 材料,D是P硅,反層是N溝道;C是N硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)
2021-05-13 06:13:46

場(chǎng)效應(yīng)晶體管

本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯 場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種改變電場(chǎng)來(lái)控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件,屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高,噪聲小,功耗低,沒(méi)有
2012-08-03 21:44:34

場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶體三極管對(duì)比,誰(shuí)能更勝一籌?

(1)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源S、柵極G、漏D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射e、基極b、集電極c,它們的作用相似,圖1-6-A所示是N溝道MOS和NPN晶體三極管引腳,圖1-6-B所示是P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-03-28 11:37:20

場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用詳解

我們常接觸到晶體三級(jí),對(duì)它的使用也比較熟悉,相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn),但是,由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),例輸入阻抗高,噪聲低,熱穩(wěn)定性好等,在我們的使用也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2018-03-17 14:19:05

場(chǎng)效應(yīng)晶體管分類、結(jié)構(gòu)、測(cè)試、工作原理是什么

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為晶體管,而FET
2011-12-19 16:30:31

場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路的五大作用,你了解哪一種?

`一、場(chǎng)效應(yīng)晶體管特點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件,因此和普通晶體管相比,場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn),這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異
2019-03-25 16:16:06

場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路的特別應(yīng)用,你未必全都清楚

的時(shí)候gate電壓不足,引起導(dǎo)通不夠徹底,從而增加功耗。3、場(chǎng)效應(yīng)晶體管電壓應(yīng)用:在一些控制電路,邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓,而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方
2019-04-16 11:22:48

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的使用

我們常接觸到晶體三級(jí),對(duì)它的使用也比較熟悉,相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn),但是,由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),例輸入阻抗高,噪聲低,熱穩(wěn)定性好等,在我們的使用也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-06-18 04:21:57

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及作用

場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種:當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏電流的稱為耗盡;當(dāng)柵壓為零,漏電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏電流的稱為增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管作用是什么1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管
2019-05-08 09:26:37

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)分享

音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動(dòng)保護(hù)等電路,可選用結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、繼電器驅(qū)動(dòng)等電路,可選
2021-05-13 07:10:20

場(chǎng)效應(yīng)晶體管相關(guān)資料下載

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18

場(chǎng)效應(yīng)晶體管知識(shí)和使用分享!

如何搞定恒流電源電路設(shè)計(jì).doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機(jī)H橋驅(qū)動(dòng)電路方案.doc詳細(xì)講解MOSFET驅(qū)動(dòng)電路.doc場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí).doc全系列場(chǎng)效應(yīng)管
2019-08-11 22:46:35

場(chǎng)效應(yīng)管MOS如何判斷好壞相關(guān)資料推薦

(幾百歐姆至一千歐姆),則可判斷黑表筆接的是柵極G,另外兩個(gè)電極分別是源S和漏D。   在兩個(gè)阻值均為高阻值的一次測(cè)量,被測(cè)為P溝道結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管;在兩個(gè)阻值均為低阻值的一次測(cè)量,被測(cè)為N
2021-05-25 07:05:04

場(chǎng)效應(yīng)管極管的比較

場(chǎng)效應(yīng)管極管的比較
2012-08-20 08:46:13

場(chǎng)效應(yīng)管晶體管對(duì)比分析

載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。(4)場(chǎng)效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34

場(chǎng)效應(yīng)管晶體管的比較

。(2)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51

場(chǎng)效應(yīng)管晶體管的比較

場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51

場(chǎng)效應(yīng)管晶體管的比較

場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為器件。(4)場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管
2018-11-05 17:16:04

場(chǎng)效應(yīng)管與BJT放大電路的比較

性能指標(biāo)。比較內(nèi)容場(chǎng)效應(yīng)管極管導(dǎo)電機(jī)理只依靠一種載流子(多子)參與導(dǎo)電,為單極器件。兩種載流子(多子和少子)參與導(dǎo)電,為器件。放大原理輸入電壓控制輸出電流,gm=0.1ms~20ms輸入電流
2011-07-12 20:09:38

場(chǎng)效應(yīng)管也是三個(gè)輸出為什么不是三極管

場(chǎng)效應(yīng)晶體管NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由此觀之,“”、“單極”是指晶體管參與導(dǎo)電的載流子類型數(shù),如同通訊系統(tǒng)的“雙工”、“單工”的區(qū)別一樣,而不是應(yīng)該是“結(jié)”和“單結(jié)”。轉(zhuǎn)載自電子發(fā)燒友網(wǎng)`
2012-07-11 11:42:48

場(chǎng)效應(yīng)管具有什么特點(diǎn)?工作原理是什么?

場(chǎng)效應(yīng)管具有什么特點(diǎn)?場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么?
2021-09-29 07:19:20

場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)照表資料分享

 在場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)照表,收編了美國(guó)、日本及歐洲等近百家半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)次晶體管(MOSFET)、肖特基勢(shì)壘控制柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SB)、金屬半導(dǎo)體
2021-05-11 06:19:48

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理

、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。一、場(chǎng)效應(yīng)管的分類  場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)、絕緣柵兩大類。結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
2013-03-27 16:19:17

場(chǎng)效應(yīng)管常用的三大作用有哪些呢?

  1、放大電路  場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn),因此經(jīng)常作為多級(jí)放大電流的輸入級(jí),與三極管一樣,根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同,將場(chǎng)效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài),如下
2023-02-24 16:28:18

場(chǎng)效應(yīng)管是一種什么元件而晶體管是什么元件

(MOS)。 晶體管一、晶體管的命名 通常使用的晶體管主要有晶體二極管晶體三極管、可控硅和場(chǎng)效應(yīng)管等等,其中最常用的是三極管和二極管兩種。三極管以符號(hào)BG(舊)或(T)表示,二極管以D表示。 按
2012-07-11 11:36:52

場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)

:將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏D和源S。因?yàn)閷?duì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管而言,漏和源極可互換,剩下
2012-07-28 14:13:50

場(chǎng)效應(yīng)管概念

。目前廣泛應(yīng)用的是SiO2為絕緣層的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱MOSFET。以功能類型劃分,MOSFET分為增強(qiáng)和耗盡兩種,其中耗盡與增強(qiáng)主要區(qū)別是在制造SiO2絕緣層
2019-07-29 06:01:16

場(chǎng)效應(yīng)管的作用及測(cè)試資料分享

作阻抗變換。 3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。 4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。 5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。 場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試 1、結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別:   場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管
2021-05-13 06:55:31

場(chǎng)效應(yīng)管的關(guān)斷問(wèn)題

場(chǎng)效應(yīng)管si2301(p溝道)柵極D1接單片機(jī)引腳,電源接源(s),輸出端漏(d)接一個(gè)DCDC然后接負(fù)載。問(wèn)題是,單片機(jī)引腳低電平時(shí),輸出端(d)確實(shí)為高電壓,但是單片機(jī)引腳高電平時(shí)。輸出端為0.69v,并沒(méi)有完全關(guān)斷。這是場(chǎng)效應(yīng)管的原因還是電路的設(shè)計(jì)問(wèn)題?怎么讓場(chǎng)效應(yīng)管完全關(guān)斷呢?
2017-12-09 18:46:35

場(chǎng)效應(yīng)管的分類

材料的不同,結(jié)和絕緣柵各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分,場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡與增強(qiáng)。結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡,絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡的,也有增強(qiáng)的。  場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10

場(chǎng)效應(yīng)管的功能和基本特性

。  ①場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線  柵極電壓(UGs)對(duì)漏電流(ID)的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取
2020-12-01 17:36:25

場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù):1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)或耗盡絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流
2009-04-25 15:43:12

場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試及測(cè)試方法

場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試1、結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別:  場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,源和漏分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射和集電極。將萬(wàn)用表置于R×1k檔,用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某
2009-04-25 15:43:42

場(chǎng)效應(yīng)管的知識(shí)與測(cè)量

場(chǎng)效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與相反,也稱為單極晶體管。FET應(yīng)用范圍很廣
2009-04-02 09:34:11

場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電壓多少

`請(qǐng)問(wèn)場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電壓多少?`
2019-08-22 15:55:28

場(chǎng)效應(yīng)管經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

場(chǎng)效應(yīng)管這種器件也是有PN結(jié)構(gòu)成的,它幾乎只利用半導(dǎo)體的一種載流子來(lái)導(dǎo)電,故又稱單極性晶體管。特點(diǎn)是輸入電阻高,有10^7~10^15歐,所以外部的電壓幾乎全部會(huì)加在管子內(nèi)部,而 不用考慮外部電源
2019-06-25 04:20:03

場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路分析

在分析的時(shí)候,比如此時(shí)輸入端為高電平,如何確定場(chǎng)效應(yīng)管(S)的電平,從而無(wú)法確定Vgs的值大小
2016-01-09 20:11:56

晶體管場(chǎng)效應(yīng)管的·輸入輸出電阻是怎么求解的·?

舉例而言,一個(gè)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管,采用自偏置結(jié)構(gòu),即柵極和源極短接在一起源也有一個(gè)電阻,在電源和漏接一個(gè)負(fù)載,此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管可以看做是一個(gè)互導(dǎo)放大器,壓控電流源,請(qǐng)問(wèn)此時(shí)這種電路的輸入輸出電阻應(yīng)該怎么求
2024-01-15 18:06:15

晶體管Ⅴbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么?

是,最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián),因?yàn)槠渎?b class="flag-6" style="color: red">極電流具有負(fù)溫度系數(shù)。 1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理,在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻? 2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21

晶體管場(chǎng)效應(yīng)管的本質(zhì)問(wèn)題理解

不會(huì)有明顯的改變。此時(shí)三極管功率基本不變,電流達(dá)到飽和,電壓降也已經(jīng)是最小值。 場(chǎng)效應(yīng)管以N增強(qiáng)為例,其本質(zhì)是一個(gè)壓控電阻,通過(guò)控制柵源電壓控制漏源電阻,具有互導(dǎo)特性,輸出阻值的變化比上輸入電壓
2024-01-18 16:34:45

晶體管工作原理

基礎(chǔ)的單一元件,如二極管、三極管場(chǎng)效應(yīng)管等等。晶體管具有整流、檢波、放大、穩(wěn)壓、開(kāi)關(guān)等多種功能,具有響應(yīng)速度快、精度高等特點(diǎn),是規(guī)范化操作手機(jī)、平板等現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建模塊,目前已有著廣泛
2016-06-29 18:04:43

晶體管摻雜和導(dǎo)電離子問(wèn)題原因分析

? 再者在場(chǎng)效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體,為什么只是有一種離子導(dǎo)電,而非兩種離子,不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電,請(qǐng)問(wèn)這是為什么?同樣對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管也有上面的問(wèn)題?
2024-02-21 21:39:24

ASEMI場(chǎng)效應(yīng)管40N120的參數(shù)特點(diǎn)和作用優(yōu)勢(shì)

使用場(chǎng)效應(yīng)管;當(dāng)信號(hào)電壓低并且允許從信號(hào)源汲取較多電流時(shí),應(yīng)使用晶體管場(chǎng)效應(yīng)管使用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此稱為單極器件,而晶體管同時(shí)使用多數(shù)載流子和少數(shù)載流子導(dǎo)電,稱為器件。有些場(chǎng)效應(yīng)管的源漏極可以互換
2021-12-18 16:12:29

ASEMI的AO3401是場(chǎng)效應(yīng)管嗎,AO3401和三管有什么區(qū)別?

電壓低并且允許從信號(hào)源汲取更多電流時(shí),應(yīng)使用晶體管。(2)場(chǎng)效應(yīng)管利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,故稱為單極器件,晶體管既有多數(shù)載流子又有少數(shù)載流子導(dǎo)電,它被稱為器件。(3)部分場(chǎng)效應(yīng)管的源漏極可以互換
2021-12-09 16:26:24

IGBT絕緣柵晶體管的相關(guān)資料推薦

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵晶體管,是由BJT(極管)和MOS(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)...
2022-02-16 06:48:11

MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理

。它一般有耗盡和增強(qiáng)兩種。本文使用的是增強(qiáng)MOS場(chǎng)效應(yīng)管,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖4。它可分為NPN和PNP。NPN通常稱為N溝道,PNP通常稱P溝道。由圖可看出,對(duì)于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管其源
2011-06-08 10:43:25

MOS 場(chǎng)效應(yīng)管資料大全

的不同,結(jié)和絕緣柵各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分,場(chǎng)效應(yīng)管又可分紅耗盡與加強(qiáng)。結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡,絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡的,也有加強(qiáng)的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡和加強(qiáng);P溝耗盡和加強(qiáng)四大類。見(jiàn)下圖。
2018-10-29 22:20:31

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管背后的聯(lián)系,看完后就全明白了

分為增強(qiáng)和耗盡,這兩種電子元器件工作原理略有不同,增強(qiáng)在柵極(G)加上正向電壓時(shí)漏(D)和源(S)才能導(dǎo)通,而耗盡即使柵極(G)沒(méi)加正電壓,漏(D)和源(S)也是導(dǎo)通的。其實(shí)到這場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-04-15 12:04:44

MOSFET和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變

縮小每個(gè)晶體管面積以獲得相同的體積,從而在相同的總尺寸中產(chǎn)生更多的晶體管。    圖1.平面場(chǎng)效應(yīng)管  在平面設(shè)計(jì),澆口僅控制一個(gè)方向。在 3D 設(shè)計(jì),門纏繞在鰭片周圍,提供兩個(gè)或三個(gè)方向的控制(圖
2023-02-24 15:20:59

N場(chǎng)效應(yīng)管FET是如何進(jìn)行工作的?

  第一部分 晶體管的工作原理  N場(chǎng)效應(yīng)管(N-Channel Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種電極介質(zhì)驅(qū)動(dòng)的晶體管,通常用來(lái)將微弱的輸入信號(hào)增強(qiáng)到數(shù)千或數(shù)萬(wàn)次。其
2023-03-08 14:21:22

NPN場(chǎng)效應(yīng)管想要電流反向流時(shí)對(duì)門電壓有什么要求

圖(1)的NPN場(chǎng)效應(yīng)管作為源跟隨器,此時(shí)門電壓值為VG。現(xiàn)在想轉(zhuǎn)換為圖(2)的狀態(tài),即讓D接地,想讓此NPN場(chǎng)效應(yīng)管電流反向流(即從S流向D),請(qǐng)問(wèn)這個(gè)時(shí)候門電壓應(yīng)該怎樣配置?是給0V還是可以維持VG呢?給0V和維持VG電流i會(huì)不同嗎?
2021-04-21 09:48:35

PNP晶體管的設(shè)計(jì)

PNP晶體管的設(shè)計(jì)
2012-08-20 08:29:56

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么?

晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍)、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。 眾所周知,傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源和漏極大大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流
2021-05-13 06:40:51

【轉(zhuǎn)】三極管和MOS的區(qū)別

優(yōu)點(diǎn),因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備。尤其用場(chǎng)效做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí),可以獲得一般晶體管很難達(dá)到的性能。(6)場(chǎng)效應(yīng)管分成結(jié)和絕緣柵兩大類,其控制原理都是一樣的。其他比較:1、三極管
2018-03-25 20:55:04

一文教你秒懂晶體三極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管選型的訣竅

,和場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣,具有放大作用和開(kāi)關(guān)特性的,是電子設(shè)備的核心器件之- -,應(yīng)用十分廣泛。三極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管雖然特性,外形相同,但是工作原理卻大不-樣,普通三極管是電流控制器件,二場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓
2019-04-09 11:37:36

一文讓你秒懂場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所有參數(shù)

的UGS一ID曲線,可明白看出IDSS和UP的意義。(3)開(kāi)啟電壓開(kāi)啟電壓UT是指加強(qiáng)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。(4)跨導(dǎo)跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏電流ID的控制
2019-04-04 10:59:27

極管場(chǎng)效應(yīng)管與IGBT到底怎么用?

件,它是繼三極管之后的新一代放大元件,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為耗盡效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)效應(yīng)晶體管,同時(shí)又有N溝道和P溝耗盡之分。場(chǎng)效應(yīng)管一般用于開(kāi)關(guān)作用,有開(kāi)關(guān)用以及有功率用。特別是電機(jī)、開(kāi)關(guān)電源等,應(yīng)用場(chǎng)
2023-02-13 15:43:28

極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管,誰(shuí)才是電子行業(yè)的領(lǐng)頭羊?

PNP和NPN兩種,一般在信號(hào)源電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)優(yōu)先選用三極管。二、場(chǎng)效應(yīng)晶體管定義:場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,也稱為單極晶體管,主要有兩種類型,JFET
2019-04-08 13:46:25

極管場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管性能當(dāng)面不是已經(jīng)超過(guò)了三管了么,三極管會(huì)不會(huì)被淘汰?為什么總是討論三極管問(wèn)題?我是初學(xué)者,剛學(xué)了場(chǎng)效應(yīng)管,嘿嘿,
2015-11-04 12:54:44

極管場(chǎng)效應(yīng)管及其IGBT到底該怎么用呢?

件,它是繼三極管之后的新一代放大元件,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為耗盡效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)效應(yīng)晶體管,同時(shí)又有N溝道和P溝耗盡之分。場(chǎng)效應(yīng)管一般用于開(kāi)關(guān)作用,有開(kāi)關(guān)用以及有功率用。特別是電機(jī)、開(kāi)關(guān)電源等,應(yīng)用場(chǎng)
2023-02-08 17:22:23

極管場(chǎng)效應(yīng)管的用法

大家好,我是電路小白。理論知識(shí)有點(diǎn),但是實(shí)踐機(jī)會(huì)甚少。想問(wèn)在維修電路板時(shí),有個(gè)別不重要的場(chǎng)效應(yīng)管壞了,可否用三極管代替呀?謝謝!
2021-11-27 12:47:16

極管和MOS管有什么不一樣?用MOS還是三極管

、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。由于它僅靠半導(dǎo)體的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱
2021-11-20 10:40:18

不懂選擇三極管場(chǎng)效應(yīng)管?看這篇就夠了

隨著電子設(shè)備升級(jí)換代的速度,大家對(duì)于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來(lái)愈高,在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā),不僅是開(kāi)關(guān)電源電路,也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會(huì)運(yùn)用到性能更好的電子元器件——場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-09-01 08:00:00

極管極管與晶閘管場(chǎng)效應(yīng)管介紹

極管極管與晶閘管場(chǎng)效應(yīng)管解析
2021-02-24 09:22:34

什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數(shù)

制成的二極管晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管、晶閘管等。晶體管大多是指晶體三極管晶體管分為兩大類:雙極晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管有三:雙極晶體管的三分別由N和P組成
2023-02-03 09:36:05

什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管?鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?

  本文探討了鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們?cè)诟鞣N應(yīng)用的用途,以及它們相對(duì)于 MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)。  什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管?  鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管,它是一個(gè)放大器和一個(gè)
2023-02-24 15:25:29

使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)注意事項(xiàng)!

的使用也是必不可少的。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多,根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管;絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管.  1、如何防止絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
2016-01-26 10:19:09

關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量

場(chǎng)效應(yīng)管的作用:放大、調(diào)制、諧振和作開(kāi)關(guān)用,場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件。場(chǎng)效應(yīng)管的好壞判斷:把數(shù)字萬(wàn)用表打到二極管檔,用萬(wàn)用表任意觸碰場(chǎng)效應(yīng)管的三只引腳,好的場(chǎng)效應(yīng)管最終結(jié)果只有一次有讀數(shù),并且在
2012-05-04 09:51:12

功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu),工作原理及應(yīng)用

)及D(漏),如圖1d所示。從圖1可以看出柵極G與漏D及源S是絕緣的,D與S之間有兩個(gè)PN結(jié)。一般情況下,襯底與源在內(nèi)部連接在一起。圖1是N溝道增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的基本結(jié)構(gòu)圖
2011-12-19 16:52:35

功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的特點(diǎn)

功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管
2019-04-10 10:02:53

功率場(chǎng)效應(yīng)管有什么主要參數(shù)?

場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)是電壓控制器件(是電流控制器件),因此在驅(qū)動(dòng)大電流時(shí)無(wú)需推動(dòng)級(jí),電路較簡(jiǎn)單。
2019-09-30 09:01:58

單極晶體管的工作原理和特點(diǎn)

  單極晶體管也稱場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱FET(FieldEffectTransistor)。它是一種電壓控制器件,由輸入電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電流的大小。它工作時(shí)只有一種載流子(多數(shù)載流子)參與
2020-06-24 16:00:16

單片機(jī)控制場(chǎng)效應(yīng)管

很多應(yīng)用,甚至可以直接貼換三極管。1概述場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極晶體管。它屬于電壓控制半導(dǎo)體器件。具有...
2021-07-14 06:38:07

如何判斷場(chǎng)效應(yīng)晶體管方向,學(xué)會(huì)這幾步輕松搞定

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是防護(hù)電壓的一種,可以被制造為增強(qiáng)或者耗盡,P溝道或N溝道共四種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)的P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。實(shí)際應(yīng)用,N場(chǎng)效應(yīng)晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16

如何去使用絕緣柵晶體管IGBT呢

IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)?如何去使用絕緣柵晶體管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06

如何快速定性判斷場(chǎng)效應(yīng)管、三極管的好壞?

如何快速定性判斷場(chǎng)效應(yīng)管、三極管的好壞?怎么判斷結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管的電極?有什么注意事項(xiàng)?如何判別晶體三極管管腳?
2021-05-10 06:36:25

如何挑選出好的場(chǎng)效應(yīng)晶體管

如何挑選出好的場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶體三極管選用技巧有哪些?
2021-06-18 06:50:42

如何辯別場(chǎng)效應(yīng)管與三極管

`從型號(hào)區(qū)分 場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)如IRF......... 三極管型號(hào)如國(guó)產(chǎn):3DD,國(guó)外:2S......... 場(chǎng)效應(yīng)管有兩種命名方法。第一種命名方法與極管,第三位字母J代表結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管,O
2012-07-11 11:41:15

常用場(chǎng)效應(yīng)管晶體管參數(shù)

常用場(chǎng)效應(yīng)管晶體管參數(shù)常用場(chǎng)效應(yīng)管晶體管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) (1)直流參數(shù) 飽和漏電流IDSS 它可定義為:當(dāng)柵、源之間的電壓等于零,而漏、源之間的電壓大于夾斷電壓時(shí),對(duì)應(yīng)的漏電流
2008-08-12 08:39:59

常用場(chǎng)效應(yīng)管晶體管參數(shù)表

`常用場(chǎng)效應(yīng)管晶體管參數(shù)表`
2012-08-20 08:40:24

開(kāi)關(guān)電源場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用

組合塊,其原理和這里的兩個(gè)源相連的場(chǎng)效應(yīng)管的原理是一樣的。在mpn,三極管多為做電子開(kāi)關(guān)來(lái)使用,這樣有一個(gè)特點(diǎn)來(lái)判別:2腳(npn)或者3腳(pnp)是接地的,場(chǎng)效應(yīng)管沒(méi)有任何一個(gè)腳是直接接地的!穩(wěn)壓IC絕對(duì)1腳是接地的,3腳是正電輸入,2腳是穩(wěn)壓輸出。但注意的是這只是一般,不是絕對(duì)!
2021-05-25 06:00:00

揭秘場(chǎng)效應(yīng)晶體管的使用訣竅,看完這里你就了然于胸

明原先假定是正確的。再次測(cè)量的阻值均很小,說(shuō)明是正向電阻,屬于P溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆所接觸的也是柵極G。若不出現(xiàn)上述情況,可以互換紅黑表筆,按上述方法進(jìn)測(cè)試,直至判別柵極爲(wèi)止。普通結(jié)效應(yīng)晶體管的源
2019-03-21 16:48:50

海飛樂(lè)技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFP14N85XM場(chǎng)效應(yīng)管

通就夠用了。電力場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種,按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道,同時(shí)又有耗盡和增強(qiáng)之分。在電力電子裝置,主要應(yīng)用N溝道增強(qiáng)。電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)電
2020-03-20 17:14:07

海飛樂(lè)技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFP20N85X場(chǎng)效應(yīng)管

和工作原理電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種,按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道,同時(shí)又有耗盡和增強(qiáng)之分。在電力電子裝置,主要應(yīng)用N溝道增強(qiáng)。電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)電機(jī)理與小功率絕緣柵MOS相同,但結(jié)構(gòu)有
2020-03-20 17:09:10

電子元件中場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶體三極管,誰(shuí)能領(lǐng)袖群倫

`晶體三極管簡(jiǎn)稱三極管,和場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣,具有放大作用和開(kāi)關(guān)特性的,是電子設(shè)備的核心器件之一,應(yīng)用十分廣泛。三極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管雖然特性,外形相同,但是工作原理卻大不一樣,普通三極管是電流控制器
2019-03-27 11:36:30

電源中場(chǎng)效應(yīng)晶體管四點(diǎn)使用心得,你知道哪一個(gè)?

的種類繁多,根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)場(chǎng)效晶體應(yīng)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管;絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。1、防止絕緣柵場(chǎng)效晶體應(yīng)擊穿由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
2019-03-26 11:53:04

結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管的分類

1、結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。 為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作,應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓,以保證耗盡層承受反向電壓;在漏源之間加正向電壓,以形成漏電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27

結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管相關(guān)資料分享

結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管資料下載內(nèi)容主要介紹了:結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)與分類結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管工作原理結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線
2021-04-01 07:50:16

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么?

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電機(jī)理是,利用UGS 控制"感應(yīng)電荷"的多少來(lái)改變導(dǎo)電溝道的寬窄,從而控制漏電流ID。若UGS=0時(shí),源、漏之間不存在導(dǎo)電溝道的為增強(qiáng)MOS,UGS=0 時(shí),漏、源之間存在導(dǎo)電溝道的為耗盡MOS
2019-09-30 09:02:16

請(qǐng)問(wèn)單結(jié)晶體管BT33可以和場(chǎng)效應(yīng)管BT33互換嗎?

請(qǐng)問(wèn)單結(jié)晶體管BT33可以和場(chǎng)效應(yīng)管BT33互換嗎?
2023-03-22 11:09:11

請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有隔離場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)芯片?

請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有隔離場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)芯片?
2015-08-17 10:41:08

隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么_隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的介紹

`在傳統(tǒng)MOSFET,載流子從源越過(guò)pn結(jié)勢(shì)壘熱注入到溝道。而隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是帶間隧穿
2018-10-19 11:08:33

場(chǎng)效應(yīng)管,晶體管,場(chǎng)效應(yīng)管晶體管的區(qū)別

場(chǎng)效應(yīng)管,晶體管,場(chǎng)效應(yīng)管晶體管的區(qū)別 場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn),因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中
2010-03-31 10:06:22906

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