有著AESl7網絡過濾器的音頻測量儀器是很必需的。當然，像傳統音頻分析器HP8903B，加上合適的前級低通濾波器也可以使用。在這里需要重要考慮的是D類功放的輸出信號在其波形上仍然含有大量的開關載波頻率，這樣就造成錯誤的讀取。這些分析器也許很難防止D類功放的載波泄露。

　　10、防止直通

　　盡管如此，一個狹窄的死區時間在大量生產中是很危險的。因為一旦高低端晶體管被同時打開，那么直流母線的電壓就會被晶體管短路，大量的直通電流將開始流動，這便會導致器件損壞。我們應該注意到有效的死區時間對每個功放是不同的，與元件參數和芯片溫度有關。對于一個D類功放的可靠設計來講確保死區時間總是正的而決不是負的來防止晶體管進入直通，這是非常重要的。

　　11、關于電源吸收能量

　　另外一個在D類功放中引起明顯降額的原因是母線充電，當半橋拓撲在給負載輸出低頻時可以看到。要時刻記住，D類功放的增益與母線電壓直接成比例關系。因此，母線電壓波動產生失真，而D類功放中的電流流動是雙向的，則就存在了從功放返回到電源時期。大量流回到電源的能量來自于輸出LPF的電感存儲的能量。通常，電源沒有辦法吸收從負載回流過來的能量。因此，母線電壓上升，造成電壓波動。母線電壓上升并不是發生在全橋拓撲上，因為從開關橋臂同儲到由源的能源熔會在另一個橋臂消耗掉。

　　12、對EMI(電磁輻射)的考慮

　　在D功放設計中的EMI(電磁輻射)是很麻煩的，像在其他開關應用中一樣。EMI的主要來源之一是來自從高到低流動的MOSFET二極管的反向恢復電荷，和電流直通很相象。在嵌入到阻止直通電流的死區過程中，在輸出LPF中的電感電流打開體二極管。在下一個階段中，當另外一端的MOSFET在死區未打開時，體晶體管保持導通狀態，除非儲存的大量少數載波被完全復合。這個反向的恢復電流趨向于形成一個很尖的形狀，和由于PCB板和封裝雜散電感因起步希望的震蕩。因此，PCB布線設計對減小EMI和系統可靠性至關重要的。

　　13、D類功放中MOSFET選擇的其他考慮

　　*選擇合適的封裝和結構

　　*功放的THD、EMI和效率，還受FET的體二極管影響。縮短體二極管恢復時間(工R的并聯肖特基二級管的FET);降低反向恢復電流和電荷，能改善THD;EMI和效率。

　　*FET結殼熱阻要盡可能小，以保證結溫低于限制。

　　*保證較好可靠性和低的成本條件下，工作在最大結溫。用絕緣包封的器件是直接安裝還是用裸底板結構墊絕緣材料，依賴于它的成本和尺寸。

　　14、D類功放參考設計見圖6所示
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　　*拓撲：半橋

　　*選用IR2011S(柵極驅動IC,最高工作電壓200V,Io+/-為1.0A/1.0A，Vout為10-20V,ton/off為80&60ns,延時匹配時間為20ns);IRFB23N15D (MOSFET功率管ID=23A,R DS=90mΩ,Qg=37nC Bv=150V To-220封裝)

　　*開關頻率：400KHz(可調)

　　*額定輸出：200W+200W/4歐

　　*THD:0.03%-1mhz半功率

　　*頻率響應：5Hz-40KHz(-3dB)

　　*電源：～220v±50V

　　*尺寸：4.0“×5.5”

　　15、結論

　　如果我們在選擇器件時很謹慎，并且考慮到精細的設計布線，因為雜散參數有很大的影響，那么目前高效D類功放可以提供和傳統的AB類功放類似的性能。