華為P10閃存門事件，因同一手機(jī)混用emmc5.1、ufs2.0、ufs2.1三種不同規(guī)格內(nèi)存。其愚蠢的公關(guān)行為，不積極處理此事，華為一直稱這并不影響用戶體驗(yàn)。

　　至今，閃存門發(fā)生到現(xiàn)在已經(jīng)都快一個(gè)月的時(shí)間了，但是華為依然沒有拿出任何行動(dòng)出來處理這件事情，根本就沒有把消費(fèi)者放在心上。如果，消費(fèi)者再次購買華為P10，肯定還是會(huì)買到不同閃存的配置。

　　隨著UFS的普及，多數(shù)人可能更關(guān)心UFS2.0/UFS2.1之間的具體區(qū)別，下面小編就帶各位讀者一探究竟。

　　2013年9月，JEDEC發(fā)布了UFS 2.0的閃存存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)，其最大的特點(diǎn)是采用串行數(shù)據(jù)傳輸，全雙工模式，支持指令隊(duì)列。相比EMMC讀取寫入分開進(jìn)行的半雙工模式，UFS的全雙工模式意味著讀取和寫入可以同時(shí)進(jìn)行。指令隊(duì)列的加入意味著無需再向EMMC5.1之前的版本一樣，每一條指令的提交必須等待前一條指令的完成。

　　UFS 2.0閃存讀寫速度強(qiáng)制標(biāo)準(zhǔn)為HS-G2（High speed GEAR2），可選標(biāo)準(zhǔn)為HS-G3。HS-G2 1Lane最高讀寫速度為2.9Gbps（約為360MB/s），2Lane最高讀寫速度為5.8Gbps（約為725MB/s）?？蛇x標(biāo)準(zhǔn)HS-G3 1Lane最高讀寫速度為5.8Gbps（約為725MB/s），2Lane最高讀寫速度為11.6Gbps（約為1.45GB/s）。HS-G2 1Lane由于讀寫速度與EMMC5.1相比沒有明顯的優(yōu)勢，相應(yīng)的商業(yè)產(chǎn)品較為罕見。

　　UFS系統(tǒng)模型

　　2016年3月，JEDEC發(fā)布了UFS 2.1的閃存存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)。相比UFS2.0，速度標(biāo)準(zhǔn)沒有任何變化，仍然為強(qiáng)制標(biāo)準(zhǔn)HS-G2，可選標(biāo)準(zhǔn)HS-G3。改進(jìn)主要分為三部分：設(shè)備健康（包括預(yù)防性維護(hù)）、性能優(yōu)化（包括指令優(yōu)先和固件升級(jí)）和安全保護(hù)。設(shè)備健康信息包括剩余預(yù)留塊和設(shè)備使用壽命信息，指令優(yōu)先允許向緊急的任務(wù)分配更高的優(yōu)先級(jí)，安全保護(hù)則支持操作系統(tǒng)和應(yīng)用級(jí)別細(xì)粒度的寫入保護(hù)（包括UFS控制器硬件級(jí)別加密）。

　　UFS2.1/UFS2.0采用相同的速率標(biāo)準(zhǔn)

　　UFS2.1（JESD220C） / UFS2.0（JESD220B）區(qū)別

　　對(duì)于閃存制造商而言，由于UFS2.0已推出HS-G3 2Lane對(duì)應(yīng)的版本，UFS2.1選用更低的標(biāo)準(zhǔn)不再有太多的意義。因此市面上UFS2.1全部采用可選的HS-G3 2Lane標(biāo)準(zhǔn)，即最高讀寫速率為11.6Gbps。

　　需要提醒的是，部分手機(jī)制造商更青睞宣傳HS-G3 2Lane兩倍的讀寫速度（11.6Gbps，接近1.5GB/s），并將其作為“UFS2.1”的事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)。以三星S8和華為Mate9使用的東芝UFS2.0閃存為例，型號(hào)為THGBF7G9L4LBATR的產(chǎn)品采用HS-G3 2Lane標(biāo)準(zhǔn)，最高讀寫速率為1166MB/s，與三星S8+使用的東芝UFS2.1閃存THGAF4G9N4LBAIR在最高讀寫速率上沒有區(qū)別。然而，后者得益于全新的產(chǎn)品，其順序讀取、順序?qū)懭?、隨機(jī)讀取、隨機(jī)寫入比前者分別快40%、16%、120%、80%。