IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。
2024-03-13 11:46:21
107 
型號和規格，以確保其穩定、高效地工作。IGBT的選型涉及到多個參數的考慮，下面將詳細介紹這些參數。 額定電壓（Vce）：這是指IGBT能夠承受的最大電壓。根據應用需求，選擇的IGBT型號的額定電壓應大于應用中最高電壓。 額定電流（Ic）：這是指IGBT能夠承受的最大連續電流。根據應用需求，選擇的
2024-03-12 15:31:12253 在電子元件領域不斷創新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業應用中的有源充放電電路帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半導體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經過改良設計的INT-A-PAK封裝。新款產品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 Vishay近期發布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運用Vishay領先
2024-03-08 11:45:51266 日前，Vishay 推出新系列浪涌限流正溫度系數（PTC）熱敏電阻。Vishay BCcomponents PTCEL 系列器件 25 °C（R25）條件下阻值范圍寬，具有高電壓處理和高能量吸收能力，
2024-03-08 11:34:20293 
日前，Vishay 推出五款采用改良設計的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 組成
2024-03-08 09:15:18177 
的CE電壓在到達最高點時刻之前，會有一個小尖峰，就是會先有一個極點然后再到達最大值，請問這是什么原因？是IGBT的驅動引起的還是其他什么原因，請具體解釋？
2024-02-21 20:12:42
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時間是什么關系？ IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號轉換為高電壓、高電流能力的輸出信號。在工業控制和電源
2024-02-20 11:00:57204 什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會發生退飽和現象？ IGBT是一種高性能功率半導體器件，結合了MOSFET和BJT的優點。它在高電壓和高電流應用中具有低開啟電阻、低導通壓降和高開關速度等優點
2024-02-19 14:33:28472 聊聊什么是IGBT的膝電壓？ IGBT是一種半導體器件，常用于功率放大和電流控制應用。作為一種開關器件，IGBT能夠在低驅動電壓下實現較高的電流和電壓控制能力。膝電壓是其關鍵的特性之一，本文將對
2024-02-03 16:23:43286 Field-Effect Transistor）的控制性能，又具有異質結的管子功率特性。IGBT也是一個開關器件，可以在高電壓和高電流條件下工作，并且被廣泛應用于各種電力電子設備中。 IGBT由三個主要區域組成
2024-02-01 13:59:45447 Vishay威世科技日前宣布，其光電子產品部推出了一款全集成超小型接近傳感器——VCNL36828P。這款傳感器專為提高消費類電子應用的效率和性能而設計。
2024-01-29 10:21:38283 。
產品特征
l 內置150V高壓MOS
l 寬壓8V-120V輸入范圍
l 支持輸出電壓最低可調至3.3V
l 典型的1.5A持續電流及4A峰值瞬間電流
l 轉換效率最高可達95%
l 超低的待機功耗
2024-01-26 14:13:26
MOS管在DCDC恒壓/恒流電路中扮演著重要的角色。DCDC恒壓電路用于將一個直流電源的電壓轉換為另一個恒定的電壓輸出。DCDC恒流電路則用于將一個直流電源的電流轉換為另一個恒定的電流輸出。
MOS
2024-01-20 15:30:35
舞臺燈電源的PFC與LLC線路，推薦使用多層外延超結MOS系列，具有低導通電阻，提升功率密度，有效降低電源電路開關損耗，提高整個電源系統的效率
2024-01-17 17:31:28126 
舞臺燈電源的PFC與LLC線路，推薦使用多層外延超結MOS系列，具有低導通電阻，提升功率密度，有效降低電源電路開關損耗，提高整個電源系統的效率
2024-01-17 17:09:45150 
電壓和電流對電源濾波器是否具有影響？ 電壓和電流是電源濾波器中的兩個重要參數，它們對電源濾波器有著直接的影響。本文將詳細介紹電壓和電流對電源濾波器的影響，并探討它們之間的實際關系。 1. 電壓對電源
2024-01-11 16:38:30234 轉眼2024年的第一個周末了，也許只有到了隆冬，我們才會知道，我們身上有著一個不可戰勝的夏天。之前在聊到特斯拉減少75% SiC用量的話題時，我們聊了Hybrid(Si IGBT+SiC MOS
2024-01-07 09:35:17432 
使用LTC3112，輸入3.3V，輸出3.8V0.7A，怎么設計才能使電源轉換效率最高？有沒有仿真工具軟件可以在設計過程中仿真轉換效率和輸出紋波等參數？
2024-01-04 08:03:57
使用LTC4359，做負載開關控制，要具有防反充功能和完全斷開電壓功能，問題如下：
1.資料里寫明輸入最高電壓100V，可我需要輸入電壓DC400V，下圖是我的設計方案，這樣用有問題嗎？
我不確定
2024-01-04 07:31:47
功率器件在儲能變流器(PCS)上的應用，雙向DC-DC高壓側BUCK-BOOST線路，推薦瑞森半導體超結MOS系列。模塊BOOST升壓/雙向DC-AC轉化器，推薦瑞森半導體IGBT系列。
2024-01-03 13:41:09310 
功率器件在儲能變流器(PCS)上的應用，雙向DC-DC高壓側BUCK-BOOST線路，推薦瑞森半導體超結MOS系列。模塊BOOST升壓/雙向DC-AC轉化器，推薦瑞森半導體IGBT系列。
2024-01-03 11:44:30240 
。 首先，讓我們了解一下這兩種器件的簡單工作原理。MOS管，即金屬氧化物半導體場效應晶體管，由金屬柵、氧化物絕緣層和半導體基底構成。通過在金屬柵上施加電壓來控制半導體中的電流。而IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種混合的MOS管和雙極型晶體
2023-12-19 09:25:161744 MOS管在5G電源上的應用——PFC線路、Fly?back線路，推薦瑞森半導體超結MOS系列，同步整流線路推薦低壓SGT MOS系列。
2023-12-18 10:26:43161 
MOS管在5G電源上的應用——PFC線路、Fly?back線路，推薦瑞森半導體超結MOS系列，同步整流線圖推薦低壓SGT MOS系列。
2023-12-18 10:06:17198 
IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率
2023-12-18 09:40:221150 
、詳實、細致的比較分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率電子領域的半導體器件。它們的主要區別在于結構和工作原理。 MOSFET：MOSFET是一種由金屬氧化物絕緣體（MOS）構成的雙極性晶體管。它由源極、漏極和柵極組成。在MOSFET中，源極和漏極之間的電流由柵極的電壓控制
2023-12-15 15:25:35366 IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的簡稱，中文稱作絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT (雙極型三極管) 和MOS (絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
2023-12-12 09:54:34659 
SL9008是一款內置MOS管、具有PWM調光功能的LED降壓恒流芯片，適用于3.6-60V的輸入電壓范圍。它采用了先進的電路設計，確保了高效率和長壽命，同時具有寬電壓輸入范圍和優異的負載調整率
2023-12-11 15:52:12
IGBT集電極電壓超過額定電壓會發生什么？
2023-12-08 16:55:30455 
Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦，有助于工業應用節能。
2023-12-08 09:27:10394 
Transistor）是兩種常見的功率開關器件，用于電力電子應用中的高電壓和高電流的控制。雖然它們都是晶體管的一種，但在結構、特性和應用方面有很大的區別。本文將詳細介紹IGBT和MOS管的區別。 首先
2023-12-07 17:19:38785 上一章講到了IGBT的飽和電流，與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數關系，這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。
2023-12-01 10:20:11307 
分析IGBT，一般可以采用兩種模型，一種是簡化的“PIN+MOS”模型，一種是更切合實際的“PNP+MOS”模型，前者邏輯分析簡單
2023-11-30 17:00:48519 
在推導MOS的IV特性時，我們通過建立了電阻R和電壓V之間的關系，從而消除歐姆定律中的電阻R，得到電流與電壓之間的關系，但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。
2023-11-29 15:09:43494 
分析完閾值電壓的機制后，下面我們重點分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關系。
2023-11-29 14:42:33997 
MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關的作用，正是由于上述反型層的機制
2023-11-29 14:19:08778 
在“IGBT中的若干PN結”一章中我們提到，IGBT是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）所構成
2023-11-29 14:08:04547 
電子發燒友網站提供《ADuM4135：提供米勒箝位的單電源/雙電源 高電壓隔離IGBT柵極驅動器.pdf》資料免費下載
2023-11-29 09:37:15
4 承受所需的功率和電流。一般來說，功率較大的直流穩壓電源需要選擇功率較高的MOS管，以確保其正常工作。 2.電壓能力：MOS管的耐壓能力也是選擇的重要考慮因素之一。直流穩壓電源中，輸出電壓通常比輸入電壓高，因此選擇的MOS管需要具備足夠的耐壓能
2023-11-16 14:39:26481 、高效率、高可靠性等優點，被廣泛應用于各種電源、電機控制、電力轉換等領域。本文將介紹一款具有內置MOS管、電流能力2.5A、耐壓40V的SL3061芯片，并探討其是否可以替代芯龍XL1509系列。
一
2023-11-13 15:24:19
Abracon 超級電容
Supercapacitor
Abracon推出全新的5.5V 紐扣式超級電容和電壓高達7.5V EDLC串聯超級電容器模組。相比現有的2.7V和3V 超級電容
2023-11-06 14:18:58
是一款支持寬電壓輸入的開關降壓型DC-DC，芯片內置100V/5A功率MOS，最高輸入電壓90V。SL3036具有低待機功耗、高效率、低紋波、優異的母線電壓調整率和負載調整率等特性。支持大電流輸出，輸出
2023-10-25 17:45:15
。 MOS管為什么需要電源啟動？ MOS管是一種主動元件，需要在電路中特定的工作環境下才能正常工作，否則將無法實現所需的功能。所以，為了確保MOS管在工作時能夠正常運行，必須通過電源的啟動來確保MOS管引腳接收到正確的電壓信號。只有在發
2023-10-24 10:11:04716 IGBT在控制極上加正電壓可以控制導通，電壓為0時可以讓其關斷，那么加一個反壓呢？IGBT會是什么情況？ 關于IGBT在控制極上加反壓的情況，我們需要探討IGBT的結構、工作原理以及反壓對其產生
2023-10-19 17:08:11860 IGBT在結構上是NPN行MOSFET增加一個P結，即NPNP結構，在原理上是MOS推動的P型BJT。
2023-10-18 10:28:072717 
，推出了系列化的滿足工業應用、消費電子、新能源的IGBT模塊，模塊電壓涵蓋600V～1700V，電流等級涵蓋10A ～ 800A。公司IGBT產品可廣泛應用于白色家電、逆變焊機、工業變頻、感應
2023-10-16 11:00:14
體，IGBT具有BJT的輸入特性和MOS管的輸出特性。 與BJT或MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管IGBT優勢在于它提供了比標準雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高工作電壓和更低MOS管輸入損耗。 0****1 **什么是IGBT ** IGBT是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，是一種三端半導體開關器件，可用于多種
2023-10-16 10:28:541213 
反激式電源MOS管漏極開機瞬間尖峰電壓很大，如何解決？
本電源設計輸入范圍直流30V---700V，輸出電壓11V/100mA，反射電壓80v，實測變壓器漏感<15uH
以下波形測試
2023-10-09 23:06:47
的控制要求。
2、IGBT驅動IGBT常被用于中大功率數字電源開發，其驅動電壓范圍為-15~15V。IGBT驅動電路分為正壓驅動和負壓驅動，兩者的區別在于關斷時的門極電位。采用負壓關斷可以避免因米勒電容
2023-10-07 17:00:40
AH8788A是一款集成同步開關的降壓轉換器，提供解決方案適用于車載充電器、快充適配器和智能排插。AH8788A內置功率MOS，輸入電壓范圍為9.6V到32V，輸出電壓范圍為3V到12V，-大可
2023-09-27 11:07:50
ACDC電源模塊的原邊MOS管漏極尖峰電壓很高，在AC輸入270V下尖峰高達600多伏。
我調整了一下RCD電路，比如增大原來的470pf電容到1.88nf，繼續增大尖峰就不再下降了，電阻從150k
2023-09-22 11:20:23
MOS管在服務器電源上的應用——PFC與全橋式LLC電路，推薦瑞森半導體-超結MOS系列；DC/DC同步整流SR線路，推薦瑞森半導體-低壓MOS系列。
2023-09-21 11:25:57546 
MOS管中的橫向BJT的基極電壓是哪里來的？? MOS管中的橫向BJT是一種重要的結構，它能夠起到放大信號的作用，也被廣泛應用于邏輯電路中。對于MOS管中的橫向BJT來說，其基極電壓對于整個結構
2023-09-18 18:20:42691 怎么選擇MOS管的尺寸大小和電壓？? MOS管是現代電子電路中應用最廣泛的一種電子元件，其應用范圍涉及到許多領域，比如說電源管理、信號處理、開關控制等等。而在選擇MOS管的時候，尺寸大小和電壓是我們
2023-09-17 16:44:492458 IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？
2023-09-16 08:32:131710 
意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 近年來，新型功率開關器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認識，IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件(圖2)，IGBT
2023-09-11 10:42:41907 
MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的驅動電壓降低可能會受到以下因素的影響
2023-09-05 09:48:15618 TSMP96000及TSMP98000。Vishay Semiconductors 雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000具有調制載波輸出功能，適用于代碼學習應用，供電電壓范圍2.0 V至5.5
2023-09-04 15:31:00463 
MOS開啟電壓一般為多少？ MOS（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種常見而重要的半導體器件。在電子行業中，MOS被廣泛應用于電路設計、功率放大、數字信號處理、高速數據傳輸和電子設備控制等方面
2023-09-02 11:14:045913 等性能，被廣泛應用于音頻、視頻、通訊、電源等領域。 MOS管是一種半導體器件，包括源極、柵極、漏極三個電極。其工作原理是通過柵極施加電壓，控制源漏流的大小，從而實現信號放大或開關控制。當柵極施加電壓時，會形成電場，控制電荷的移動
2023-09-02 10:05:211757 igbt和mos管的區別 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2023-08-25 14:50:013217 設計用于驅動N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓最高可達650V。
特性
?650V無芯變壓器隔離驅動器IC
?軌到軌輸出
?保護功能
?浮動高側驅動
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
管型號大全，供讀者參考。 1. IRF510: 這是一款N溝道MOS場效應管，主要應用于低電壓、低功率的開關電源中。其最大漏極電壓為100V，最大漏電流為5.6A，可靠性高、性價比較高。 2. IRF540: 這也是一款N溝道MOS管，具有較高的開關速度和較低的導通電阻，適用于
2023-08-18 14:35:337571 在 IGBT驅動電源板 中有著廣泛的應用。 ? ? ? ?IGBT驅動板是控制系統和開關器件中的中間環節，承擔著接受控制系統信號并傳輸信號，確保IGBT執行開關、保護、和反饋器件工作狀態的重任。 ? ? ? ?通常，IGBT驅動板由IGBT驅動芯片、驅動外圍電路、驅動輔
2023-08-04 17:35:03609 如圖，MOS管剛啟動時波形會從5V降到3點多V，后面慢慢又會升回正常的5V，請問是什么原因導致電壓掉落的？我MOS管就驅動一個電機。
2023-08-01 11:02:55
輸入電壓：1000V,輸出12V/2A
要把此電源做成反激電源，用碳化硅MOS來驅動的話，請問去驅動IC用哪個？要怎么處理？有專門的IC嗎？
2023-07-31 17:36:47
IGBT是雙極型三極管和MOS管結合在一起的產物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點。
2023-07-13 11:03:24268 
MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態半導體器件，且都屬于電壓控制器件。
2023-07-07 09:15:451486 
。Nexperia在其龐大的產品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉換和電機驅動應用中的功率密度，包括工業電機驅動（例如
2023-07-05 16:34:291053 在開關電源應用MOS管的時候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。
2023-07-01 16:06:29492 
IGBT的VGE的耐壓值為±20V，在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場合，由于會導致損壞的危險，因而在柵極-發射極之間不能超出耐壓值的電壓，這點請注意。
2023-06-30 09:19:221150 當MOS管關斷之后，在DCM工作條件下的Vds電壓變化展示如下圖所示，在波形的中段位置Vds=Vor+Vin，其中Vin是開關電源的輸入電壓，而Vor就是反射電壓。
2023-06-25 15:15:232990 
雖然MOS管名義上是壓控器件，只要柵極的電壓超過其閾值就會控制MOS管導通。
2023-06-25 14:49:24759 
摘要：CM3003是一款高性價比的MOS管和IGBT管柵極驅動器芯片，具有邏輯信號輸入處理、欠壓保護、電平位移、脈沖濾波和輸出驅動等功能。該芯片適用于無刷電機控制器和電源DC-DC中的驅動電路
2023-06-08 14:32:41706 
引言：MOS管開關電路在分立設計里面應用非常廣泛，包括邏輯控制，電源切換，負載開關等，在一些電路巧妙設計上具有非常大的創新性。以下電路均以使用增強型MOS為示例。MOS驅動電路的基本要求包括：對柵極施加足夠高于Vth的電壓的能力，以及對輸入電容進行足夠充電的驅動能力，本節介紹MOS的驅動電路示例。
2023-06-08 11:55:599243 
摘要：前兩天同學做了一個電路，功能就是用MOS管來控制一個電源的開關,但是做出來后發現不能用控制MOS管的開關，MOS管一直處于導通狀態。一起來看看到底是什么原因？
2023-06-06 10:36:522845 
mos管漏極電壓8V,柵極電壓9V，仍低于源極12V電壓，持續導通。現電路板出現故障后，柵極電壓上升很快，達到11.7V，mos管截止，造成漏極無電壓輸出，達不到輸出供電效果。請教大神們講解下此電路原理，最有可能出錯的地方？mos管和運放經過單獨驗證，是正常的
2023-06-05 22:50:12
PL30502是寶礫微電子推出的20V同步升壓轉換器，內置柵極驅動器，可斷開負載。 PL30502集成了兩個低導通電阻功率FET：一個7mΩ的開關FET和一個7mΩ的整流FET。PL30502
2023-05-30 14:54:09
一般情況下，常見的IGBT主要定義的是其正向阻斷電壓，而反向阻斷電壓一般不會在Datasheet中被提及到，這是因為IGBT通常會反并聯續流二極管
2023-05-25 17:21:031068 
IGBT導通后，電源1000V，電阻100Ω，仿真出電路電流10A（如圖1、圖2），這個沒問題。但電源1000V，電阻10Ω，仿真出電流為什么不是100A（如圖3、圖4）？是IGBT引起的嗎？
圖1
圖2
圖3
圖4
2023-05-25 11:47:38
MOS管和IGBT管作為現代電子設備使用頻率較高的新型電子器件，被廣泛應用于各種電子電路，是車載充電機、DC-DC變換器和模塊電源中重要的電子元器件。
2023-05-22 08:59:39700 
和PD3.1PHY，支持PD3.1、BC1.2規范、UFCS以及多種主流的DPDM快充協議。最高可支持32V電壓輸入和輸出。主要應用于筆記本電腦、顯示器、移動電源、快充適配器等領域。2.規格?系統控制?C
2023-05-18 22:49:2529 MOS管和IGBT管作為現代電子設備使用頻率較高的新型電子器件，被廣泛應用于各種電子電路，是車載充電機、DC-DC變換器和模塊電源中重要的電子元器件。
2023-05-18 16:32:20585 
igbt在電動汽車上的作用 IGBT是一種由控制電路控制、是否導電的半導體；由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件；IGBT使電源品質好、效率高
2023-05-17 15:15:191316 igbt和mos管的優缺點 在電子電路中，MOS管和IGBT管會經常出現，它們都可以作為開關元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路
2023-05-17 15:11:541041 在開關電源里MOS導通時D—S之間的電壓為什么接近于0呢？
2023-05-16 14:29:20
便攜式儲能電源MOS管應用，主逆變儲能單元，推薦“平面高壓MOS”系列；DC-DC單元，推薦“低壓MOS-SGT”系列
2023-04-27 10:13:57397 
便攜式儲能電源MOS管應用，主逆變儲能單元，推薦“平面高壓MOS”系列；DC-DC單元，推薦“低壓MOS-SGT”系列
2023-04-27 09:00:51554 
初步的了解了以上的關于MOS管的一些知識后，一般的就可以簡單的分析，采用MOS管開關電源的電路了。
2023-03-27 13:54:154040 概述OC5802L 是一款支持寬電壓輸入的開關降壓型 DC-DC，芯片內置 60V/5A 功率 MOS，支持最高輸入電壓 55V。OC5802L 具有低待機功耗、高效率、低紋波、優異的母線電壓調整率
2023-03-24 11:35:11
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