IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
蓉矽半導體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力，也進一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30
228 全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動汽車充電站、儲能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:19282 納斯達克股票代號：ON)，宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31 智能功率模塊 (IPM)。與市場上其他領先的解決方案相比， SPM31
2024-02-27 16:04:04458 
第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31 智能功率模塊 (IPM)。與市場上其他領先的解決方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而總體
2024-02-27 15:42:11121 智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 驅動器、逆變器和電動汽車等。 識別IGBT絕緣柵雙極型晶體管可以通過以下步驟進行： 1. 外形識別 IGBT晶體管通常有有特定的外觀特征，其封裝一般較大且多為模塊封裝。最常見的封裝類型有TO-220、TO-247、TO-3P等。在封裝上通常會標有器件型號、廠商標志或批次號等
2024-01-12 11:18:10350 本文介紹了針對電機驅動進行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術。該IGBT結構基于全新微溝槽技術，與標準技術相比，可大幅減少靜態(tài)損耗，并具備高可控性。而二極管因為優(yōu)化了場截止設計，其振蕩發(fā)生
2024-01-09 14:24:50232 
據(jù)悉，國聯(lián)萬眾公司已研發(fā)出具備指標性能堪比國外知名廠商的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，部分型號產(chǎn)品已開始供應市場。另一方面，針對比亞迪在內(nèi)的多方潛在客戶，該公司的電動汽車主驅用大功率MOSFET產(chǎn)品正在進行進一步洽談。
2023-12-12 10:41:48229 IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
2023-11-01 14:51:08
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
2023-11-01 14:51:08
IGBT MODULE 1200V 5000W
2023-11-01 10:26:39
繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認證后
2023-10-25 18:28:10422 
各位大佬，請教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測試？
2023-10-23 10:19:00
隨著新能源汽車（NEV）的崛起，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）已成為這一領域的核心元件。目前我國新能源汽車快速發(fā)展已經(jīng)使IGBT已成為我國最重要的應用領域，占據(jù)約30%的市場份額。以特斯拉Model
2023-10-21 11:30:001085 
2023年10月，凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異，開關損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅動，能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。
2023-10-20 09:43:26485 
、電磁爐、工業(yè)電源、逆變焊機等領域；針對中大功率產(chǎn)品，芯能也能提供系統(tǒng)化解決方案：650V/450A和1200V/450A EconoDUAL智能IGBT功率模塊、34mm模塊、62mm模塊等產(chǎn)品均
2023-10-16 11:00:14
來源：半導體芯科技編譯 Magnachip開始全面量產(chǎn)用于電動汽車PTC加熱器的1200V和650V IGBT。 Magnachip Semiconductor推出了1200V和650V絕緣
2023-09-19 16:04:38306 繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200VIGBT7P7芯片，并將其應用在PrimePACK模塊中，再次刷新
2023-09-14 08:16:10430 
型號：1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT，適用于高效能和高可靠性的應用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值，能夠提供低導通
2023-08-25 16:58:531477 
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管，產(chǎn)品型號為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓撲如下圖所示。
2023-08-25 15:40:571056 
NTC，并有使用預涂的熱界面材料（TIM）版本。產(chǎn)品型號：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低
2023-07-31 16:57:59584 增強型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC，并有使用預涂的熱界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44231 供應ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
在此方向上，青桐資本項目伙伴「量芯微半導體（GaNPower）」（以下簡稱「量芯微」）在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn)，并于近日與泰克科技（Tektronix Inc.）合作進行了器件測試。
2023-07-19 16:37:301366 
RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:50
0 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:220 RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330 的汽車驅動產(chǎn)品來實現(xiàn)“充電五分鐘續(xù)航百公里”的效果。 ? 針對這一需求，士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅動模塊——600A/1200V IGBT模塊（B3模塊）, 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動力，為用戶帶來更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:48735 本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
/引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EVcharger、焊機
2023-05-31 16:51:27636 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和絕緣
2023-05-20 15:19:12583 
EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產(chǎn)品，用于高功率應用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業(yè)變頻器、泵和風機（高達10kW）。
2023-05-18 16:18:24315 合作關系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執(zhí)行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:300 RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540 中，采用了羅姆的新產(chǎn)品—— 1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd.董事 常務執(zhí)行官 CFO 伊野和英（左）賽米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen（右） 隨著全球電動化技術的快速發(fā)展，對功
2023-04-26 15:27:11517 
。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執(zhí)行官?CFO 伊野和英 （左） ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51606 
以下文章來源于安森美，作者安森美領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領先的性能
2023-04-06 16:07:10367 
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應用。產(chǎn)品特點得益于著名
2023-03-31 10:52:07472 新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
2023-03-31 10:49:58674 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
2023-03-29 15:28:40
IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD
2023-03-29 15:28:38
IGBT 1200V 32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:15
IGBT 1200V 32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:11
IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
2023-03-29 15:23:12
IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
2023-03-29 15:16:31
IGBT MODULE 1200V 105A SMPD
2023-03-29 15:16:29
IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:46
IGBT MODULE 1200V 183A HEX
2023-03-29 15:14:45
IGBT MODULE 1200V 108A HEX
2023-03-29 15:14:42
IGBT MODULE 1200V 325A
2023-03-29 15:14:41
IGBT MODULE 1200V 108A HEX
2023-03-29 15:14:39
IGBT MODULE 1200V 250A
2023-03-29 15:14:38
IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
2023-03-29 15:14:37
IGBT MODULE 1200V 60A
2023-03-29 15:14:35
IGBT MODULE 1200V 84A
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IGBT MODULE 1200V 84A
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IGBT MODULE 1200V 250A
2023-03-29 15:14:30
IGBT MODULE 1200V 40A
2023-03-29 15:14:22
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:21
IGBT MODULE 1200V 40A
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IGBT MODULE 1200V 60A
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IGBT MODULE 1200V 20A HEX
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IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:15
IGBT MODULE 1200V 40A
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IGBT MODULE 1200V 12A HEX
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IGBT MODULE 1200V 40A
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IGBT MODULE 1200V 150A HEX
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IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:11
IGBT MODULE 1200V 60A
2023-03-29 15:14:08
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:05
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:05
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:14:03
IGBT MODULE 1200V 28A HEX
2023-03-29 15:14:03
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:02
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:01
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:57
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:56
IGBT MODULE 1200V ISOPLUS247
2023-03-29 15:13:53
ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片，可兼容代換IR2104，應用領域于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅動
2023-03-29 09:24:35
IGBT 1200V 80A TO247-4
2023-03-27 13:19:13
IGBT 1200V 150A TO247-4
2023-03-27 13:15:25
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