英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29
117 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術，據官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術，相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181427 
全球知名的電子元器件授權代理商富昌電子（Future Electronics）為測試設備應用推介來自 Vishay Intertechnology, Inc. 的 T55 系列 vPolyTan 聚合物鉭電容，旨在滿足測試設備應用對高性能元件的需求。
2024-03-18 18:14:10680 
日前，Vishay 宣布，推出適于 IrDA 應用的升級版 TFBS4xx 和 TFDU4xx 系列紅外（IR）收發器模塊，鏈路距離延長 20 %，抗 ESD 能力提高到 2 kV。器件支持
2024-03-14 18:17:56580 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性，還致力于提供高度的系統集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 在電子元件領域不斷創新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業應用中的有源充放電電路帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 近日，全球知名的半導體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經過改良設計的INT-A-PAK封裝。新款產品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產品特別適用于數據中心和光伏功率調節器等關鍵應用的開關電源，展現了東芝在功率半導體領域的深厚實力與持續創新。
2024-03-12 10:27:36255 在全球電力電子領域，英飛凌科技以其卓越的技術創新能力和領先的產品質量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，標志著功率系統和能量轉換領域邁入了新的發展階段。
2024-03-12 09:53:5297 在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出，標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的里程碑，為行業的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29125 碳化硅（SiC）技術一直是推動高效能源轉換和降低碳排放的關鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術，也是要在這個領域提高了MOSFET的性能指標，擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領域的市場份額。
2024-03-12 09:33:26239 
日前，Vishay 推出了新系列浪涌限流正溫度系數（PTC）熱敏電阻，名為PTCEL系列，專為浪涌限流設計。這一系列熱敏電阻在25°C時阻值范圍廣泛，能夠處理高電壓和高能量，有助于提升汽車和工業應用中有源充放電電路的性能。
2024-03-08 11:47:07262 Vishay近期發布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運用Vishay領先
2024-03-08 11:45:51266 日前，Vishay 推出新系列浪涌限流正溫度系數（PTC）熱敏電阻。Vishay BCcomponents PTCEL 系列器件 25 °C（R25）條件下阻值范圍寬，具有高電壓處理和高能量吸收能力，
2024-03-08 11:34:20293 
日前，Vishay 推出五款采用改良設計的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 組成
2024-03-08 09:15:18177 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
Vishay近日宣布推出升級版的TSOP18xx、TSOP58xx和TSSP5xx系列紅外(IR)接收器模塊，這些模塊經過優化，適用于遙控、接近探測和光幕應用。
2024-02-01 14:06:54178 日前，Vishay光電子產品部宣布推出全新全集成接近傳感器，旨在提高消費類電子應用的效率和性能。這款新傳感器采用了先進的技術，實現了多項性能提升，使其成為空間受限、電池供電應用的理想選擇。
2024-02-01 14:00:37180 Vishay近日宣布推出一款全新的可見光敏感度增強型高速硅PIN光電二極管，以擴充其光電二極管產品組合。這款光電二極管型號為VEMD2704，采用了小型2.0mm x 1.8mm x 0.6mm頂視表面貼裝封裝，具有卓越的感光性能和快速的開關時間。
2024-02-01 13:58:23273 漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區別。 首先，讓我們一起了解一下MOSFET
2024-01-31 13:39:45300 Vishay威世科技日前宣布，其光電子產品部推出了一款全集成超小型接近傳感器——VCNL36828P。這款傳感器專為提高消費類電子應用的效率和性能而設計。
2024-01-29 10:21:38283 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創新型封裝為 AOS 產品賦予了卓越的散熱性能，使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 MALVER N 、中國 上海 — 2024 年 1 月 25 日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其光電子產品部推出全集
2024-01-26 15:45:36925 安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產品平臺，平臺采用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，從而實現了高效的能源轉換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半導體推出具有完全自主知識產權的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設計確保產品的卓越性能和可靠性，在國內領先的碳化硅晶圓代工廠流片，產能充裕，供應穩定，性價比高。
2024-01-20 17:54:00916 
日前，Vishay 推出適合遙控、接近探測和光幕應用的升級版 TSOP18xx、TSOP58xx 和 TSSP5xx 系列紅外 ( IR ) 接收器模塊。增強型解決方案采用 Minicast 封裝
2024-01-19 16:41:23532 請問一下ADP1850/ADP1851 外部的DL/DH MOSFET為什么需要各擺2顆MOSFET,主要用途為何?為什么需要DL/DH需要各擺2顆?就以ADP1850的BSC0902NS
2024-01-09 07:33:10
采用了LTC3789推薦電路設計的一款12V電源，該電源用于整車上，輸入電源即為蓄電池（7－16V），在GND采用了MOSFET作為防反接，負載為2－3R加熱線，采用200HZ的PWM控制，但是
2024-01-05 07:30:21
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
MOSFET的并聯使用
2023-12-19 09:40:33308 
目前想設計一個關于MOSFET的DG極驅動方案，存在問題為MOSFET可以正常開通，但無法關斷，帶負載時GS極始終存在4V電壓無法關斷MOSFET 。
電路圖如下：
空載時，GS極兩端電壓：
是可以
2023-12-17 11:22:00
【科普小貼士】MOSFET性能改進：超級結MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16410 
Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦，有助于工業應用節能。
2023-12-08 09:27:10394 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 mosfet工作原理 jfet和mosfet的區別? MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種現代電子器件，常用于電子電路中的開關和放大器。它的工作原理與JFET（結型場效應晶體管）有很大
2023-11-22 17:33:301060 電子發燒友網站提供《Vishay創新型二極管在汽車電子中的應用.rar》資料免費下載
2023-11-10 10:00:17
0 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10459 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 國產新風尚！WAYON維安針對PC及PC電源推出MOSFET細分產品
2023-11-01 15:10:01231 
金氧半場效晶體管（MOSFET）憑借其通用性和廣泛用途躋身于最受歡迎的晶體管之列。歐時電子指南將詳述這類晶體管的工作機制，并提供關于使用和選擇恰當MOSFET類型的實用建議。
2023-10-26 10:36:16481 
Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產品 IXTY2P50PA。這個創新的產品設計能滿足汽車應用的嚴苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 美格納半導體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09736 管輸入端(柵極)的驅動電路要比雙極型晶體管的基極驅動電路簡單得多。而且MOSFET管沒有存儲時間，就避免了復雜的 Baker 鉗位電路和比例基極驅動電路。另外，雙極型晶體管β值在制造過程中可能相差達4
2023-09-28 06:33:09
V Vishay?推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降壓穩壓器，用來提高負載點 (POL) 轉換器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業設備應用。
2023-09-07 09:59:32731 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431202 
MOSFET處于導通狀態下的阻抗。導通阻抗越大，則開啟狀態時的損耗越大。因此，要盡量減小MOSFET的導通阻抗。
2023-09-06 10:47:40590 
穩定性和效率兼備，雷卯MOSFET改變您的產品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種常用的半導體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款適用于遙控系統的新系列微型紅外（IR）傳感器模塊---雙透鏡TSMP95000和單透鏡
2023-09-04 15:31:00463 
— 2023 年 8 月 17 日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內先進的標準整流器與瞬變電壓抑制器（TVS
2023-08-18 15:30:38475 
2023 年8 月18 日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 供應多款Vishay針對汽車應用設計的產品
2023-08-18 14:56:07372 
隨著現代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態和動態性能參數,將助您的設計實現更高功率密度和轉換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
Vishay 推出一種用于工業、計算機、消費和移動應用領域的新型反射式光傳感器。
2023-08-11 12:32:58538 OC5822 是一款內置功率 MOSFET的單片降壓型開關模式轉換器。OC5822在 6-60V 寬輸入電源范圍內實現 1.5 A 最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負載調整率。OC5822 采用
2023-07-29 14:13:39
MOSFET是電路中非常常見的元件，常用于信號開關、功率開關、電平轉換等各種用途。由于MOSFET的型號眾多，應用面廣，本文將詳細介紹MOSFET選型原則以及mosfet選型要考慮的因素。
2023-07-20 16:33:44734 繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ，相較于傳統的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
シリコン NチャネルMOSFET シリーズ 電力スイッチング
2023-07-07 19:38:430 Vishay 推出兩款新型固定增益紅外(IR)傳感器模塊，降低成本并提高室外傳感器應用穩定性。表面貼裝式 TSSP93038DF1PZA 和引線式 TSSP93038SS1ZA 采用小型 Minimold 封裝，典型光照強度為 1.3 mW/m2，可在陽光直射下穩定工作，同時感光度足以支持光柵應用。
2023-07-07 10:26:28415 Vishay 推出五款新系列 60V、100V 和 150V 表面貼裝溝槽式 MOS 勢壘肖特基（TMBS）整流器，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側邊焊盤 DFN3820A 封裝。VxNL63
2023-07-07 10:24:59653 
日前發布的Vishay General Semiconductor整流器首度采用Vishay新型Power DFN系列DFN3820A封裝，占位面積3.8 mm x 2.0 mm，典型厚度僅為
2023-07-07 10:00:39447 
Q A 問： Vishay熱敏電阻的計算工具 (阻值-溫度表) Vishay 熱敏電阻的計算工具為Vishay 的許多 ? NTC 熱敏電 ? 提供了一個電阻-溫度表。此免費工具可下載到任何一臺
2023-07-05 20:05:09295 
據麥姆斯咨詢報道，近日，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型固定增益紅外（IR）傳感器
2023-06-29 09:37:12404 Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢復整流器，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側邊焊盤 DFN3820A封裝。1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-21 17:25:00523 
Vishay?Draloric RCS0805 e3 器件通過 AEC-Q200 認證 節省電路板空間的同時 減少元器件數量 降低加工成本 Vishay? 推出加強版 0805 封裝抗浪涌厚膜電阻器
2023-06-21 11:56:03631 
Vishay?Techno CDMA 系列電阻 節省空間型器件采用小型 2512 封裝 工作電壓達 1415 V 適用于汽車和工業應用 Vishay? 推出新系列小型 2512 封裝汽車級厚膜片
2023-06-21 07:40:00525 Vishay 新型 Power DFN 系列?DFN3820A 封裝 汽車級 200V、400V 和 600V 器件高度僅為 0.88 mm 采用可潤濕側翼封裝 改善熱性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:00509 
? 推出新系列汽車級 vPolyTan 表面貼裝聚合物鉭模塑片式電容器。 通過 AEC-Q200 認證的 Vishay Polytech T51 系列 電容器提高了高溫高濕工作條件下的性能，降低了等效
2023-06-21 06:10:00529 
Vishay 的 WSL 系列采樣電阻采用全合金設計，功率可達 15W，同時具有低于 20ppm 的溫漂系數，以及低于 3 微伏每攝氏度的熱電動勢系數，此外我們還提供四端子設計以幫助客戶提高電流檢測精度和長期可靠性。
2023-06-14 14:39:01361 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業內先進水平 Vishay? 推出一款業內先進的新型汽車級光電壓輸出光耦，用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業內先進水平 Vishay? 推出一款業內先進的新型汽車級光伏 MOSFET 驅動器
2023-06-08 19:55:02374 
【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
MOSFET的種類有哪些 1. Enhancement MOSFET（增強型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗盡型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36937 Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產品組合 基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合
2023-05-24 17:09:59684 
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種場效應晶體管，這意味著它通過使用電場來控制電流。MOSFET 通常有三個端子：柵極、漏極和源極。漏極和源極之間傳導的電流通過施加到柵極的電壓進行控制
2023-05-24 11:19:06720 MOSFET(MOS管)中的“開關”時間可以改變電壓嗎？
2023-05-16 14:26:16
功率MOSFET怎樣關斷？能否用PWM實現？怎樣實現？
2023-05-08 16:16:27
MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現在集成電路的設計似乎是不可能的。
2023-05-08 09:43:17304 
我正在嘗試使用 ESP-01 驅動 MOSFET 來控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
OC5822 是一款內置功率 MOSFET的單片降壓型開關模式轉換器。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內實現 1.5 A最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負載調整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
OC5864 是一款內置功率 MOSFET0.6A 的峰值輸出電流的單片降壓型開關模式轉換器。OC58640.9Q 的內部功率 MOSFET在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內實現 0.6 A峰值
2023-04-07 16:43:02
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39987 
您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片內部使用的 MOSFET 的 IV 特性，該 MOSFET 開關用于數據輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數據嗎？非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出加強版0805封裝抗浪涌厚膜電阻器Vishay Draloric RCS0805 e3，額定功率高達0.5
2023-03-29 17:00:06694 
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