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2024-03-22 14:11:23
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙P溝道增強(qiáng)型mosfet TPS1120數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-19 09:19:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單P溝道增強(qiáng)型mosfet TPS1100數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-19 09:13:590 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 近日，全球知名的半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255 VBsemi推出的AFN4546WS8RG-VB是一款強(qiáng)勁的N-Channel功率MOSFET，擁有40V的耐壓和10A的電流承載能力。在10V和20V的情況下，RDS(ON)分別為14mΩ，具有
2024-03-11 15:43:38
VBsemi引領(lǐng)推出的AFN4424WS8RG-VB是一款強(qiáng)大的N-Channel功率MOSFET，擁有40V的耐壓和10A的電流承載能力。該器件在10V和20V的情況下，RDS(ON)分別為14m
2024-03-11 15:38:49
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
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2024-02-21 13:57:090 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20 V，雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-20 10:03:240 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V，P溝道溝槽MOSFET BUK9D120-60P數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-20 10:02:240 IRL540NSPBF-VB是VBsemi品牌推出的N溝道場效應(yīng)晶體管（N-Channel MOSFET），具有TO263封裝。以下是詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介：**詳細(xì)參數(shù)
2024-02-19 15:15:57
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2024-01-24 11:06:590 功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。
2024-01-19 15:31:54218 與工作原理 功率MOSFET主要由四層結(jié)構(gòu)組成：柵極（Gate）、漏極（Drain）、源極（Source）和氧化層（Oxide）。柵極與源極之間有一層絕緣的氧化層，漏極與源極之間有一層導(dǎo)電溝道。當(dāng)柵極施加正向電壓時(shí)，會(huì)在氧化層下方形成一個(gè)導(dǎo)電通道，使漏極和
2024-01-17 17:24:36294 
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2024-01-14 10:20:460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V，N溝道溝槽MOSFET BSS138AKW-Q數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-14 10:11:070 。按導(dǎo)電溝道功率MOSFET可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。 MOSFET的主要特
2024-01-09 10:22:43112 
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2024-01-04 14:22:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 16:28:290 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
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2023-12-19 15:37:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:36:290 型號(hào)：AO4446-VB絲印：VBA1311品牌：VBsemi參數(shù)說明：- **N溝道：** 該器件是一種N溝道MOSFET，電流在N溝道中流動(dòng)，通常用于不同類型的應(yīng)用，如電源開關(guān)等。- **工作
2023-12-19 10:43:33
- 門源電壓（Vgs）范圍：±20V- 閾值電壓（Vth）：1.5V- 封裝：SOP8應(yīng)用簡介：STN4828-VB是一款N溝道MOSFET，適用于中功率應(yīng)用。它具有適
2023-12-18 11:54:00
型號(hào)：SUD50N04-8M8P-4GE3-VB絲印：VBE1405品牌：VBsemi參數(shù)說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：40V- 最大電流：85A- 導(dǎo)通電阻（RDS
2023-12-14 16:25:40
, 20Vgs (±V)- 閾值電壓 (Vth)：1.6V- 封裝：SOP8應(yīng)用簡介：AO4480-VB是一款N溝道MOSFET，具有較高的額定電壓和電流特性，適
2023-12-14 14:48:13
Ω @ 4.5Vgs- 閾值電壓（Vth）：0.8V 到 2.5V 可調(diào)- 封裝類型：SOP8應(yīng)用簡介：AO4724-VB是一款N溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體
2023-12-14 09:27:08
Ω@4.5V, 20Vgs(±V)；1.5Vth(V)；SOP8NCE6005AS-VB是一款VBsemi品牌的N溝道功率MOSFET。它具有2個(gè)N溝道，工作電壓為60V，
2023-12-13 15:01:50
- 門源極電壓：20Vgs(±V)- 閾值電壓：1.72Vth(V)- 封裝：SOP8詳細(xì)參數(shù)說明：APM4330KC-TRL-VB 是一款 N溝道功率MOSFET
2023-12-13 14:51:27
Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦，有助于工業(yè)應(yīng)用節(jié)能。
2023-12-08 09:27:10394 
問一下，搖表分500V1000V2500V,都在什么情況下使用啊？
2023-11-24 08:04:50
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
N溝道MOSFET截止，電感電流下降，電感中的能量轉(zhuǎn)移到電池中。當(dāng)電感電流下降到外部電流檢測電阻設(shè)置的下限時(shí)，外置N溝道MOSFET再次導(dǎo)通，如此循環(huán)。當(dāng)BAT管腳電壓第一次達(dá)到內(nèi)部設(shè)置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
型號(hào) ZXMC4559DN8TA-VB絲印 VBA5638品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N+P溝道
2023-11-15 17:08:55
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:10459 ? 中國上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備
2023-11-09 15:19:57663 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 型晶體管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和柵極驅(qū)動(dòng)電壓的不同，可以分為N溝道-增強(qiáng)型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強(qiáng)型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
Ω@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.78Vth 封裝 SOP8應(yīng)用簡介 IRF8788TRPBF 是一款 N溝道MOSFET，適用于高電流的應(yīng)用
2023-11-03 15:31:19
FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關(guān)和放大電路中，可以控制電流流動(dòng)并放大信號(hào)。
2023-11-03 14:56:23293 
門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.72Vth 封裝 SOP8應(yīng)用簡介 AO4430是一款N溝道MOSFET，適用于低電壓和高電流的應(yīng)用。其最大耐壓為3
2023-11-03 11:26:46
型號(hào) AFN4634WSS8RG絲印 VBA1303品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 18A 導(dǎo)通電阻 5mΩ @10V, 6.5m
2023-11-01 11:21:18
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.55Vth 封裝 SOP8應(yīng)用簡介 AO4882是一款具有兩個(gè)N溝道MOSFET的器件，適用于需要同時(shí)控制多個(gè)N
2023-10-31 15:35:39
型號(hào) IRF7313TRPBF絲印 VBA3328品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 2個(gè)N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 6.8A/6.0A 導(dǎo)通電阻 22m
2023-10-31 11:48:47
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 0.8~2.5Vth 封裝 SOP8應(yīng)用簡介 IRF7413TRPBF是一款N溝道MOSFET，適用于中等電
2023-10-31 11:06:50
1.5Vth (V) 封裝類型 SOP8應(yīng)用簡介 AO4828是一款雙N溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。它具有較高的額定電壓和額定電流能力，能夠提供
2023-10-30 10:36:46
功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實(shí)際
2023-10-26 08:02:47373 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
， 電感電流檢測單元,電池電壓檢測電路和內(nèi)置場效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)電路等，具有外部元件少， 電路簡單等優(yōu)點(diǎn)。
當(dāng)電池電壓低于輸入電壓或電池短路時(shí),YB5082 在內(nèi)部N溝道MOSFET和P溝道MOSFET
2023-10-12 15:36:55
輸出、輸出功率1~~~3W的隔離電源。
VPS8504N內(nèi)部集成振蕩器，提供一對高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對稱性，避免
2023-10-12 09:38:22
的 TRIAC 調(diào)光性能
? 最低的物料成本
? 恒定電流 LED 驅(qū)動(dòng)器
? 集成 500V MOSFET
? 內(nèi)部高壓快速啟動(dòng)
? 單個(gè)繞組電感
? 高功率因數(shù)（>0.7）
? 出色的 LED
2023-10-09 11:55:40
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
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2023-09-27 11:35:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-27 09:32:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK6D16-30E N溝道溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:43:170 。ZXMS6008N8 非常適合在標(biāo)準(zhǔn) MOSFET 不夠堅(jiān)固的惡劣環(huán)境中作為由 3.3V 或 5V 微控制器驅(qū)動(dòng)的通用開關(guān)。 產(chǎn)品規(guī)格 品
2023-09-25 11:11:04
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2023-09-19 17:29:110 V Vishay?推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降壓穩(wěn)壓器，用來提高負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng)，如果把水平的溝道變?yōu)榇怪?b class="flag-6" style="color: red">溝道，從側(cè)面控制溝道，就可以消除JFET效應(yīng)。
2023-08-28 10:10:392917 
功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。
2023-08-25 10:07:56188 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
STF140N6F7內(nèi)容簡介STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET電子元器件，為廣泛的電壓范圍（30V至350V）應(yīng)用提供了卓越的解決方案。采用TO-220FP封裝，以其N溝道結(jié)構(gòu)
2023-08-21 16:34:33
（Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應(yīng)用場景：適用于高效率開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和照明應(yīng)用等，可用于電源因數(shù)校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要
2023-08-18 08:32:56513 
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
自恢復(fù)功能的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流 限制、輸出過壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過載保護(hù)和VDD過壓保護(hù)等。
集成 500V 高壓 MOSFET 和高壓啟動(dòng)電路
特性：
集成 500V 高壓 MOSFET
2023-08-03 14:48:21
這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚(yáng)聲器提供超過 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級(jí)使用6個(gè)N溝道MOSFET IRFP450，即可為您提
2023-07-28 17:04:191357 
功率MOSFET的類型：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。當(dāng)柵極電壓為零時(shí)，有導(dǎo)電通道和增強(qiáng)型。對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)。
2023-07-04 16:50:23881 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:14477 
在H橋電路中實(shí)現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人，但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。
2023-06-29 15:28:02957 
需求：將鋰電池3.7V升壓成500V的5KHz交流電去點(diǎn)亮EL線
現(xiàn)有電路
原理：
在Q1關(guān)斷期間，導(dǎo)通Q2，電感儲(chǔ)能；關(guān)斷Q2后，電感產(chǎn)生反向電動(dòng)勢，給EL燈的等效電容C1充電；理論上可以升到D1
2023-06-28 19:43:57
在這個(gè)設(shè)計(jì)中，我們看到了使用N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30228 
HY1908D/U/V N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書免費(fèi)下載。
2023-06-14 17:04:041 PTS4842 N溝道高功率MOSFET規(guī)格書
PTS4842采用溝槽加工技術(shù)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻。并且切換速度快，傳輸效率提高。這些特征結(jié)合在一起，使這種設(shè)計(jì)成為一種適用于各種DC-DC應(yīng)用的高效可靠的設(shè)備。
2023-06-14 16:55:480 中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-13 16:38:50712 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認(rèn)證 開關(guān)速度和開路輸出電壓（8.5V）達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進(jìn)的新型汽車級(jí)光伏 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
2023-06-08 19:55:02374 
Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認(rèn)證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達(dá) 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173 ，
邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯
輸出電平。 高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片其浮動(dòng)通道可
用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè) N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作電壓可達(dá) 700V。高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片采用
SOIC8 封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內(nèi)工作
2023-05-10 10:05:20
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288 
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 應(yīng)用: DC-DC轉(zhuǎn)換 SMPS中的同步整流 硬開關(guān)和高速電路 電動(dòng)工具 電機(jī)控制 概述： PL1303N04是寶礫微推出的4開關(guān)N溝道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封裝。產(chǎn)品具有較強(qiáng)
2023-04-11 14:47:50513 MRF166C RF MOSFET 系列 20W，500MHz，28V主要設(shè)計(jì)用于 30-500MHz 的寬帶大信號(hào)輸出和驅(qū)動(dòng)器。 特征N 溝道增強(qiáng)型
2023-03-31 11:39:26
MRF166W RF MOSFET 系列 40W，500MHz，28V主要設(shè)計(jì)用于 30 – 500 MHz 的寬帶大信號(hào)輸出和驅(qū)動(dòng)級(jí)。 特征N溝道增強(qiáng)型
2023-03-31 11:36:26
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32727 LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45514
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