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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>IR上市600V耐壓的車載設(shè)備用柵極驅(qū)動(dòng)IC

IR上市600V耐壓的車載設(shè)備用柵極驅(qū)動(dòng)IC

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供應(yīng)ID2006SEC-R1 200V高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)IC,提供id2006芯片規(guī)格書關(guān)鍵參數(shù) ,廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、半橋功率逆變器、全橋功率逆變器、任意互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:31:284

ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2304-id5s609芯片資料

供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2304,提供id5s609芯片資料關(guān)鍵參數(shù) ,廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134

ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片可替代ir2304

供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片可替代ir2304,提供ID5S609SEC-R1 關(guān)鍵參數(shù) ,廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19

ID7U603SEC-R1 600V半橋MOS柵極驅(qū)動(dòng)IC-ID7U603規(guī)格書

供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V半橋MOS柵極驅(qū)動(dòng)IC,提供ID7U603規(guī)格書關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:11:044

ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2104

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2023-07-20 14:10:05

柵極驅(qū)動(dòng)器電流多少正常啊,柵極驅(qū)動(dòng)器電流怎么計(jì)算

柵極驅(qū)動(dòng)器是一種電子器件,它能夠?qū)⑿盘?hào)電平作為輸入,通過放大和轉(zhuǎn)換等過程,產(chǎn)生適合于驅(qū)動(dòng)下級器件的電源信號(hào)。柵極驅(qū)動(dòng)器廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,如顯示器、LED燈、電源逆變器等。
2023-07-14 14:48:441356

Allegro MicroSystems推出新型隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC

傳統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)現(xiàn)需要隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和單獨(dú)的隔離電源,在系統(tǒng)組裝時(shí),驅(qū)動(dòng)器、電源和FET之間的連接可能會(huì)帶來不必要的噪聲,并產(chǎn)生電磁干擾(EMI),從而降低系統(tǒng)性能。而要減輕這些影響可能會(huì)帶來更多設(shè)計(jì)復(fù)雜性,增大項(xiàng)目進(jìn)度時(shí)間和成本,以及解決方案的體積和重量。
2023-07-13 09:47:40361

R課堂 | 600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS?產(chǎn)品陣容又增新品

同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻,可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437

柵極驅(qū)動(dòng)IC方面取得的進(jìn)步讓開關(guān)電源實(shí)現(xiàn)新的功率密度水平

經(jīng)久耐用的電氣隔離技術(shù)以及柵極驅(qū)動(dòng)IC 輸出級和封裝的多項(xiàng)創(chuàng)新
2023-07-08 14:48:48317

三相/半橋IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)TF23892M-TLH

換到600V。   TF23892M邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)TTL和CMOS級別(降至3.3V)兼容,易于與控制設(shè)備接口,并能在低噪聲環(huán)境下更好地工作。驅(qū)
2023-07-04 11:14:43

三相/半橋IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)TF21364M-TLH

換到600V。   TF21364M邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)TTL和CMOS水平(降至3.3V)兼容,易于與控制設(shè)備接口,并能在低噪聲環(huán)境下更好地工作。
2023-07-04 10:59:30

三相/半橋IGBT MOSFET驅(qū)動(dòng)

換到600V。   TF2136M邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)TTL和CMOS水平(降至3.3V)兼容,易于與控制設(shè)備接口,并能在低噪聲環(huán)境下更好地工作。驅(qū)動(dòng)
2023-07-04 10:46:50

基于IC555的備用開關(guān)LED電路

IC555廣泛用于各種應(yīng)用,如定時(shí)器,振蕩器,在電子領(lǐng)域占有非常重要的地位。上述電路設(shè)計(jì)用作備用開關(guān)LED電路,其工作基于IC 555的不穩(wěn)定操作,該電路可以是愛好電路,適用于次要開關(guān)電路。
2023-07-03 10:53:22340

介電耐壓與擊穿試驗(yàn)的區(qū)別及測試設(shè)備選擇

介電耐壓試驗(yàn)_電介質(zhì)擊穿試驗(yàn)_絕緣耐壓測試設(shè)備
2023-06-30 16:04:48607

向右滑動(dòng)即可找到與GaN/SiC開關(guān)完美匹配的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)

圖1所示電路顯示了一個(gè)電路,其中低壓微控制器與高壓域(包括輸出開關(guān)及其柵極驅(qū)動(dòng)器)電氣隔離(出于安全原因)。更快的開關(guān)速度意味著更快的開關(guān)瞬變。例如,GaN功率系統(tǒng)的開關(guān)時(shí)間通常為5ns(比傳統(tǒng)
2023-06-28 14:33:33275

MOS管的柵極開通驅(qū)動(dòng)電阻

驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí),我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形,但是在實(shí)際情況下,我們在測得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。
2023-06-25 14:26:262111

為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)

和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比,SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07

東芝推出采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET,助力提高電源效率

線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu),耐壓600V,適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品,于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比,600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712

CM3003:高性價(jià)比MOS管/IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)

摘要:CM3003是一款高性價(jià)比的MOS管和IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)器芯片,具有邏輯信號(hào)輸入處理、欠壓保護(hù)、電平位移、脈沖濾波和輸出驅(qū)動(dòng)等功能。該芯片適用于無刷電機(jī)控制器和電源DC-DC中的驅(qū)動(dòng)電路
2023-06-08 14:32:41706

滿足當(dāng)今電源需求的全系列柵極驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品

電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ),其中的柵極驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IGBT或功率MOSFET)的柵極產(chǎn)生高電流驅(qū)動(dòng)
2023-06-08 14:03:09362

ZH619A0

600V 高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 SOP8
2023-06-01 09:19:20

如何使用esp8266通過IR控制我的A/c ?

。所有其他設(shè)備都使用 NEC 協(xié)議,而空調(diào)顯示它具有 Panasonic 協(xié)議。 這就是說,當(dāng)我使用 sendPanasonic 指定 Panasonic 地址和 IR 的十六進(jìn)制時(shí),它也不起作用。所以
2023-05-23 06:40:07

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹和選型指南

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。 為了操作 MOSFET,通常須將一個(gè)電壓施加于柵極(相對于源極或發(fā)射極)。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391473

柵極驅(qū)動(dòng)器的原理及應(yīng)用

柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅(qū)動(dòng)器的原理及應(yīng)用分析用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:526240

89PES12N3 設(shè)備用戶手冊

89PES12N3 設(shè)備用戶手冊
2023-05-06 19:02:080

當(dāng)VDD_SNVS使用備用電源時(shí),IC不工作的原因?

我有一個(gè)使用 MIMXRT1171 IC 的定制板。該系統(tǒng)使用 12V 電源供電,該電源為設(shè)備上的域提供其他電源,包括用于 MIMXRT1171 的 3V3,以及為 SNVS 備份域供電的紐扣電池
2023-05-04 07:14:47

7種MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路

首先說一下電源IC直接驅(qū)動(dòng),下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式,在這類方式中,我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過多處理,因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長度,增加走線寬度,盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進(jìn)的位置,從而達(dá)到減少寄生電感,消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:386439

89PES12N3A 設(shè)備用戶手冊

89PES12N3A 設(shè)備用戶手冊
2023-04-27 19:10:080

新聞|同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)出色低噪聲特性和超快反向恢復(fù)時(shí)間的600V耐壓Super Junction MOSFET-R60xxRNx系列

有助于配備小型電機(jī)的設(shè)備減少抗噪聲設(shè)計(jì)工時(shí)和部件數(shù)量,并降低功率損耗 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407

如何定義柵極電阻器、自舉電容器以及為什么高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器可能需要對MOSFET源極施加一些電阻?

您好,我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器,但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先,是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06

茂睿芯柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用原理與技術(shù)特點(diǎn)

簡單來說,柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
2023-04-18 13:52:56699

一個(gè)用于驅(qū)動(dòng)柵極驅(qū)動(dòng)變壓器的簡單電路

討論了如何使用一個(gè)雙開關(guān)反激式電路來提升低功耗隔離式轉(zhuǎn)換器的效率。與單開關(guān)反激式電路相比,雙開關(guān)反激式電路的主要代價(jià)就是需要一個(gè)浮動(dòng)的高側(cè)驅(qū)動(dòng)。一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)變壓器通常用于雙開關(guān)反激式電路的高側(cè)FET,而柵極驅(qū)動(dòng)變壓器的使用是需要一些技巧的。如果磁芯沒有在每個(gè)周期內(nèi)正確復(fù)位,那么它就有可能飽和。
2023-04-15 10:42:47842

SD3390B高效LED驅(qū)動(dòng)器控制IC手冊

概述SD3390B是一款PWM高效LED驅(qū)動(dòng)器控制IC。它允許高亮度(HB)LED在10VDC至600VDC的電壓源下高效工作。SD3390B以高達(dá)300kHz的固定開關(guān)頻率控制外部MOSFET
2023-04-06 17:42:580

ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù)

供應(yīng)ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ,提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-04 10:39:344

電力電子IGBT柵極驅(qū)動(dòng)

 柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)。隨著對電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)計(jì)和性能變得越來越重要。   功率
2023-04-04 10:23:45546

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001

電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A規(guī)格書參數(shù)

供應(yīng)電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:105

50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF規(guī)格書參數(shù)

供應(yīng)50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF,提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:15:592

IGBT 50A 600V 型號(hào)SGTP50V60FD2PF-士蘭微驅(qū)動(dòng)電機(jī)igbt

供應(yīng)IGBT 50A 600V 型號(hào)SGTP50V60FD2PF-士蘭微驅(qū)動(dòng)電機(jī)igbt,提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ,可應(yīng)用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域, 更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>> 
2023-04-03 17:14:31

igbt伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)管SGT30T60SD3PU 600V、30A-士蘭微IGBT代理商

 供應(yīng)igbt伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)管SGT30T60SD3PU 600V、30A,是士蘭微IGBT代理商,提供SGT30T60SD3PU關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:07:50

全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7規(guī)格書參數(shù)

供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7,提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491

士蘭微焊機(jī)IGBT單管 驅(qū)動(dòng)SGT20T60SDM1P7 20A、600V參數(shù)

供應(yīng)士蘭微焊機(jī)IGBT單管 驅(qū)動(dòng)SGT20T60SDM1P7 20A、600V參數(shù),提供SGT20T60SDM1P7 關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>> 
2023-04-03 16:01:10

士蘭微igbt 600V 20a SGT20T60SD1S用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的igbt晶體管

供應(yīng)士蘭微igbt 600V 20a SGT20T60SD1S用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的igbt晶體管,提供SGT20T60SD1S關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>> 
2023-04-03 15:27:47

5a 600v耐壓igbt SGTP5T60SD1D/F/S可代換AOD5B65M1規(guī)格書參數(shù)

供應(yīng)5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1DFS規(guī)格書參數(shù) ,可應(yīng)用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 14:48:131

ir2104驅(qū)動(dòng)芯片代換料ID7U603SEC-R1 600V半橋預(yù)驅(qū)方案

逆變器、全橋驅(qū)動(dòng)逆變器等領(lǐng)域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點(diǎn)■浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35930

IR2101PBF

半橋 柵極驅(qū)動(dòng)IC 非反相 8-PDIP
2023-03-28 18:24:30

非隔離驅(qū)動(dòng)芯片IR21814S的電路設(shè)計(jì)

IR21814類似的驅(qū)動(dòng)芯片直接驅(qū)動(dòng)MOS管,該電路具有驅(qū)動(dòng)簡單,成本低,PCB占用面積小等優(yōu)點(diǎn),在我司產(chǎn)品中得到廣泛的應(yīng)用。但是,所采用的LLC諧振拓?fù)鋪碚f,驅(qū)動(dòng)頻率在195K~360K之間變化
2023-03-28 11:42:481746

用于電力電子器件的柵極驅(qū)動(dòng)

柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)。隨著對電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)計(jì)和性能變得越來越重要。
2023-03-23 16:48:48535

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