JW7112是一款小型、低RON的單通道配電開(kāi)關(guān)，具有可控的開(kāi)啟轉(zhuǎn)換速率。該器件包含一個(gè)N溝道MOSFET，可以在2.8V至16V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并可以支持3A的最大連續(xù)電流。外部可編程
2024-03-18 15:25:18
JW7109是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時(shí)序的要求。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 每個(gè)
2024-03-18 14:36:43
JW7106是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低25毫歐電阻單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。它包含n溝道MOSFET，可以提供6A的最大連續(xù)電流。JW7106可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 在
2024-03-18 14:30:27
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.7V、5A、14mΩ 導(dǎo)通電阻汽車負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS2295x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:47:54
0 近日，Littelfuse正式推出了一款顛覆性的產(chǎn)品——SM10系列壓敏電阻。這款創(chuàng)新的金屬氧化物壓敏電阻（MOV）不僅為汽車電子器件、電動(dòng)汽車（EV）等關(guān)鍵領(lǐng)域提供了前所未有的瞬態(tài)浪涌保護(hù)，更在性能上實(shí)現(xiàn)了重大突破。
2024-03-13 10:46:41
217 在電子元件領(lǐng)域不斷創(chuàng)新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業(yè)應(yīng)用中的有源充放電電路帶來(lái)了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET市場(chǎng)中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:41502 日前，Vishay 推出了新系列浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻，名為PTCEL系列，專為浪涌限流設(shè)計(jì)。這一系列熱敏電阻在25°C時(shí)阻值范圍廣泛，能夠處理高電壓和高能量，有助于提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中有源充放電電路的性能。
2024-03-08 11:47:07262 如何區(qū)別普通電阻和保險(xiǎn)電阻？如何檢驗(yàn)保險(xiǎn)電阻好壞？ 普通電阻和保險(xiǎn)電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細(xì)介紹如何區(qū)分普通電阻和保險(xiǎn)電阻，并說(shuō)明如何檢驗(yàn)保險(xiǎn)電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險(xiǎn)電阻的定義
2024-03-05 15:48:06201 TDK株式會(huì)社（TSE：6762）推出用于汽車的兩款A(yù)VRH壓敏電阻系列新產(chǎn)品。此兩款新品均具備較高的靜電放電（ESD）抗擾度，進(jìn)而確保先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等安全關(guān)鍵汽車功能的安全運(yùn)行。
2024-02-28 13:42:24561 Littelfuse 宣布推出SM10壓敏電阻系列，這是一款革命性的金屬氧化物壓敏電阻 (MOV)，旨在為汽車電子器件、電動(dòng)汽車 (EV) 以及其他各類應(yīng)用提供卓越的瞬態(tài)浪涌保護(hù)。
2024-02-20 09:51:23257 美國(guó)柏恩 Bourns，全球知名的電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件制造供貨商，近日推出其創(chuàng)新的 EdgMOV? 壓敏電阻系列。這一系列產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上追求先進(jìn)與節(jié)省空間，為浪涌保護(hù)領(lǐng)域帶來(lái)了突破性的性能。
2024-02-01 16:23:51415 碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結(jié)晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的,。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好，造價(jià)低，在普通電子產(chǎn)品中應(yīng)用非常廣泛。
2024-01-21 09:58:07136 
抗浪涌電阻和普通電阻的區(qū)別? 抗浪涌電阻和普通電阻雖然都屬于電阻器件，但在功能、結(jié)構(gòu)和特性方面有很大的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地從多個(gè)方面對(duì)這兩種電阻進(jìn)行比較分析。 1. 功能區(qū)別: 抗浪涌電阻
2024-01-18 16:16:58557 近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 用萬(wàn)用表如何檢測(cè)普通電阻器？ 萬(wàn)用表是一種多功能測(cè)量工具，用于測(cè)量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測(cè)各種類型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬(wàn)用表來(lái)檢測(cè)普通電阻器的詳細(xì)步驟
2023-12-20 10:46:24669 惠斯通電橋測(cè)電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測(cè)量工具，廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)控制領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說(shuō)明其測(cè)量電阻的優(yōu)勢(shì)和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392754 提供驅(qū)動(dòng)能力的來(lái)源，市場(chǎng)潛力巨大。 金升陽(yáng)致力于為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案，基于自主電路平臺(tái)、IC平臺(tái)、工藝平臺(tái)，升級(jí)推出IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動(dòng)電源QA-R3G/QAC-R3G系列產(chǎn)品，同時(shí)為結(jié)合充電樁市場(chǎng)應(yīng)用需求，打造了全新的滿足元器件100%國(guó)產(chǎn)化、高可靠的R3代驅(qū)動(dòng)電
2023-12-13 16:36:19131 
11月27日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
ROHM 推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款 Nch MOSFET*1產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V)， 這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動(dòng)以24V 、36V 、48V
2023-11-20 01:30:56189 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:10459 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開(kāi)始。
2023-11-08 16:22:22319 全球被動(dòng)元件領(lǐng)導(dǎo)廠商-國(guó)巨集團(tuán)，推出新款薄膜氮化鉭晶片電阻-NT系列。 NT系列產(chǎn)品具備抗?jié)?、抗硫、高精密度、高穩(wěn)定表現(xiàn)的特性，外殼尺寸從0402到1206 ，電阻范圍為100Ω-481KΩ，具有
2023-11-08 11:08:37369 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個(gè)常見(jiàn)的元件，它被用來(lái)控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個(gè)主要類別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)介紹
2023-10-29 11:21:55933 電力MOSFET的反向電阻工作區(qū) 電力MOSFET在很多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用，例如電源、驅(qū)動(dòng)電路、LED控制等。MOSFET是一種基于場(chǎng)效應(yīng)管的晶體管，其主要功能是根據(jù)輸入電壓控制輸出電流。然而
2023-10-26 11:38:19435 Littelfuse宣布推出首款汽車級(jí)PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個(gè)創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)能滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 羅姆半導(dǎo)體推出了雙 MOSFET，該器件在單個(gè)封裝中集成了兩個(gè) 100V 芯片，使其適用于驅(qū)動(dòng)通信基站和工業(yè)設(shè)備中的風(fēng)扇電機(jī)。這五款新型號(hào)已添加到HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch
2023-10-23 15:44:02482 MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 過(guò)流/過(guò)熱保護(hù)，適用于各種應(yīng)用。這些低電阻自恢復(fù)PPTC包括表面貼裝低Rho SMD系列、表面貼裝LoRho系列以及電池疊片型SL系列。這些元件無(wú)鹵、無(wú)鉛、符合R
2023-10-18 17:31:17
AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)。0.5Ω（典型值）超低導(dǎo)通電阻以及只需要單電源供電即可支持負(fù)擺幅信號(hào)的特性使其非常適合應(yīng)用于音頻領(lǐng)域。
2023-10-18 09:21:40786 
AS7202是一種次級(jí)側(cè)同步整流器回程轉(zhuǎn)換器。它集成了超低導(dǎo)通狀態(tài)電阻45V功率MOSFET，即可替代肖特基二極管的高效率。AS7202支持高側(cè)和低側(cè)應(yīng)用。AS7202內(nèi)置高壓電源的VDD電容器
2023-10-17 17:53:58
穩(wěn)壓，不是本帖的討論范圍，我要探究的，是普通電阻與非線性電阻 對(duì)運(yùn)放狀態(tài)的影響。
2023-10-10 23:32:52
? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
導(dǎo)通電阻測(cè)試就是用來(lái)檢測(cè)導(dǎo)線或連線情況是否正常的一種方法，是指兩個(gè)導(dǎo)體間在一定電壓下通過(guò)的電流所引起的電壓降之比，通俗的說(shuō)就是導(dǎo)線通電后的電阻值。芯片引腳導(dǎo)通性測(cè)試是一個(gè)必要的步驟，用于驗(yàn)證和檢測(cè)芯片引腳之間的連接是否正確，以確保芯片的正常工作。
2023-09-28 14:52:341152 
DC即Direct Current，直流電，電流方向不隨時(shí)間發(fā)生改變；IR Drop中的I指電流，R指電阻，I與R相乘即為電壓，IR Drop就是電壓降；
2023-09-28 11:34:263177 
與徑向磁通電機(jī)（radial flux motors）相比，軸向磁通電機(jī)（Axial flux motors）具有許多電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)。比如，軸向磁通量電機(jī)（Axial flux motors）可改變動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方式，將電機(jī)從車軸移至車輪內(nèi)部。
2023-09-22 10:22:49243 
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:24
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:22
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:09:45
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:44:11
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:42:05
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 07:30:53
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 06:56:21
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:47:35
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:28:58
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:55
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:44
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:08:07
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:07:42
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superp&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 08:12:36
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 07:55:12
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 07:17:57
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:12:49
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:06:08
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 06:17:30
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 06:09:58
波動(dòng)，起到開(kāi)關(guān)作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權(quán)衡關(guān)系的導(dǎo)通電阻也會(huì)提高，效率會(huì)變差，因此，如何同時(shí)兼顧更高耐壓和更低導(dǎo)通電阻，是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。風(fēng)扇電機(jī)通常會(huì)使用多個(gè)MOSFET進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，為了節(jié)
2023-09-14 19:12:41305 
美甲燈殺菌燈專用升壓恒壓驅(qū)動(dòng)芯片！
2.5V~5.0V輸入升壓芯片外圍超簡(jiǎn)單！可鋰電池供電消費(fèi)電子產(chǎn)品專用升壓芯片
低功耗 PFM DC-DC 升壓芯片
概述
AP8105 系列產(chǎn)品是一種高效率、低
2023-09-14 11:10:42
相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET降低了開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
：IFNNY）推出采用TO無(wú)鉛封裝的新一代超低電阻高邊開(kāi)關(guān)家族系列Power PROFET? + 12V。 ? ? Power PROFET? + 12V系列產(chǎn)品支持全新的安裝位置和外殼選擇，助力實(shí)現(xiàn)新一代
2023-09-05 16:08:10343 
射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進(jìn)步和應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，射頻技術(shù)在越來(lái)越多領(lǐng)域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要
2023-08-18 08:32:56513 
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
、甚至斷裂等現(xiàn)象，導(dǎo)致接地引下線與主接地網(wǎng)連接點(diǎn)電阻增大，從而不能滿足電力規(guī)程的要求，使設(shè)備在運(yùn)行中存在不安全隱患，嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成設(shè)備失地運(yùn)行。因此在《防止電力生產(chǎn)
2023-08-01 10:41:40
極海宣布正式推出首款高性能、高可靠性、高性價(jià)比的電機(jī)控制專用芯片—APM32F035系列MCU，覆蓋多種電機(jī)應(yīng)用。
2023-07-28 17:13:431015 
了 “R60xxVNx系列” （含7款機(jī)型）。 此外，高速開(kāi)關(guān)型600V耐壓Super Junction MOSFET產(chǎn)品陣容中也新增了導(dǎo)通電阻更低的 “R60xxYNx系列” （含2款機(jī)型
2023-07-12 12:10:08437 為什么有時(shí)候需要MOSFET柵極電阻？它應(yīng)該是什么價(jià)值？它應(yīng)該在下拉電阻之前還是之后？事實(shí)上，有許多電路是在沒(méi)有柵極電阻的情況下工作的，但添加一個(gè)可以防止一些潛在的問(wèn)題。1000Ω很可能會(huì)起作用。
2023-07-06 11:10:48948 
采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON，或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹(shù)立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302 
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來(lái)的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來(lái)的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021448 
什么是IR-drop？其實(shí)，IR這個(gè)詞并不是什么縮寫(xiě)，這里的I就是指電流，R是指電阻，他們放在一起相乘，得出來(lái)的結(jié)果就是電壓。
2023-06-16 09:26:262660 
高速公路服務(wù)區(qū)的重要基礎(chǔ)設(shè)施，確保電動(dòng)汽車在日常駕駛和長(zhǎng)途旅行中有地方充電。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列產(chǎn)品，通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用先進(jìn)的工藝制造技術(shù)，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
高品質(zhì)抗硫化汽車級(jí)晶片電阻器NS系列-阻容1號(hào)
2023-06-10 11:14:31492 
【 2023 年 5 月 12 日，德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車和航空航天等領(lǐng)域。
2023-06-02 15:33:151180 Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的擊穿電壓強(qiáng)度，更低的損耗和
2023-05-29 10:16:48
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動(dòng)設(shè)備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護(hù)電路。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-05-22 14:33:12512 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡(jiǎn)稱“Toshiba”）推出了“SSM14N956L”，這是一款額定電流為20A的12V
2023-05-19 10:20:07718 近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個(gè)廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系列
2023-05-17 13:35:02471 
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開(kāi)通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開(kāi)通過(guò)程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片是一款高壓、高速功率
MOSFET 高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參
考輸出通道。高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片采用高低壓
兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成
2023-05-10 10:05:20
高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個(gè)重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級(jí)相應(yīng)增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。
2023-05-04 09:43:181393 
ROHM | 開(kāi)發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
電阻、片式電阻、厚膜電阻、薄膜電阻、合金電阻、高功率電阻、汽車級(jí)電阻、抗硫化電阻）品類齊全，能夠滿足客戶各種需求。
廣大客戶現(xiàn)可通過(guò)華秋商城購(gòu)買富捷電子系列產(chǎn)品！
2023-04-28 11:31:47
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電阻
2023-04-11 15:29:18
硅二極管的死區(qū)電壓和導(dǎo)通電壓分別為多少？反向飽和電流為多少數(shù)量級(jí)？
2023-03-31 11:45:58
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論