IR推出高效率氮化鎵功率器件

目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結構來優化性能提升效率，不過隨著工藝技術的發展這個改善的空間已經不大了，因此對新型半導體材料的研發一直是硅功率器件半導體廠商追求突破的重要環節。為此，國際整流器公司(IR)推出了首個商用氮化鎵(GaN)功率器件產品系列，預示著一個高頻率、高密度、高效電源轉換解決方案的全新時代。全新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點(POL)應用而設計，包括服務器、路由器、交換機以及通用POL DC/DC轉換器。

“iP2010和iP2011系列器件將PowerRtune驅動IC和氮化鎵功率器件集成在一起，采用了無引線封裝，可帶來比最先進的硅集成功率級器件更高的效率和超出雙倍的開關頻率。與業內最好的功率器件相比，iP2010和iP2011系列器件的峰值效率在600KHz工作頻率時大于93％；在1.2MHz工作頻率時大于91％。”國際整流器公司環球市場及企業傳訊副總裁Graham Robertson指出。

iP2010的輸入電壓范圍為7V至13.2V，輸出電壓范圍則為0.6V至5.5V，輸出電流高達30A。這個器件最高運行頻率為3MHz。在5MHz運行時，與iP2010引腳兼容的iP2011備有相同的輸入和輸出電壓范圍，但后者經過優化，從而使最高輸出電流高達20A。通過以通用占位面積提供多種電流額定值器件，IR提供的靈活性能夠滿足不同客戶對電流水平、性能和成本的要求。此外，這兩種器件采用細小占位面積的LGA封裝，針對極低的功率損耗進行了優化，并提供高效率的雙面冷卻功能，符合RoHS標準。

iP201x系列高達5MHz的開關能力有助于設計師顯著減少輸出電容和電感值及尺寸，有助實現空間緊張的設計。因此，iP2010和iP2011大幅度改善了功率密度，與分立方案相比，其系統尺寸縮小40％。與業界最好的MOS器件相比，其系統方案電路板空間尺寸縮小35％以上，從而降低系統成本。

IR的GaNpowIR是一種革命性的氮化鎵(GaN)功率器件技術平臺，與最先進的硅技術平臺相比，能夠改善客戶主要特定應用的性能指數(FOM)高達10倍，可以顯著提高性能并節省能源消耗，目標市場包括計算和通信、汽車和家電等的終端應用，可顯著地提升這些應用系統的性能并和減少能耗。高產量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設施，可為客戶提供世界級的商業可行的氮化鎵功率器件制造平臺。